Указ Президента РФ от 17.12.2011 N 1661

ПРЕЗИДЕНТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

УКАЗ
от 17 декабря 2011 г. N 1661

ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ

В целях защиты национальных интересов, выполнения международных обязательств Российской Федерации и в соответствии со статьей 6 Федерального закона от 18 июля 1999 г. N 183-ФЗ "Об экспортном контроле" постановляю:

1. Утвердить прилагаемый Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль.

2. Установить, что коды единой Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Таможенного союза, приведенные в Списке товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, при необходимости могут уточняться Федеральной таможенной службой по согласованию с Федеральной службой по техническому и экспортному контролю.

3. Признать утратившими силу:

Указ Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2004, N 19, ст. 1881);

Указ Президента Российской Федерации от 1 декабря 2005 г. N 1384 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2005, N 49, ст. 5201);

Указ Президента Российской Федерации от 6 марта 2008 г. N 326 "О внесении изменений в Указ Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" и в Список, утвержденный этим Указом" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N 10, ст. 912);

Указ Президента Российской Федерации от 4 декабря 2008 г. N 1726 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N 50, ст. 5893).

4. Настоящий Указ вступает в силу через три месяца со дня его официального опубликования.

Президент
Российской Федерации
Д. МЕДВЕДЕВ

Москва, Кремль

17 декабря 2011 года

N 1661

УТВЕРЖДЕН
Указом Президента
Российской Федерации
от 17 декабря 2011 г. N 1661

СПИСОК
ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ

РАЗДЕЛ 1

N пункта	Наименование <*>	Код ТН ВЭД <**>
КАТЕГОРИЯ 1. СПЕЦИАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И СВЯЗАННЫЕ С НИМИ ОБОРУДОВАНИЕ И СНАРЯЖЕНИЕ
1.1.	Системы, оборудование и компоненты
1.1.1.	Компоненты, изготовленные из фторированных соединений:
1.1.1.1.	Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или топливные диафрагмы, специально разработанные для использования в летательных или аэрокосмических аппаратах и изготовленные из материалов, содержащих более 50% (по весу) любого материала, определенного в пункте 1.3.9.2 или 1.3.9.3;	3919 90 900 0
1.1.1.2.	Пьезоэлектрические полимеры или сополимеры, изготовленные из винилиденфторидных (CAS 75-38-7) материалов, определенных в пункте 1.3.9.1, имеющие форму листа или пленки толщиной более 200 мкм;	3921 90 900 0
1.1.1.3.	Уплотнения, прокладки, седла клапанов, диафрагмы или мембраны, отвечающие всем следующим условиям:	3919 90 900 0
	а) изготовленные из фторэластомеров, содержащих по крайней мере одну группу винилового эфира как структурное звено; и
	б) специально разработанные для использования в летательных аппаратах, авиационно-космических средствах или ракетах
1.1.2.	Конструкции из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, имеющие любую из следующих составляющих:
1.1.2.1.	Состоящие из органической матрицы и материалов, определенных в пункте 1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5; или	3926 90 910 0;
		3926 90 980
1.1.2.2.	Состоящие из металлической или углеродной матрицы и любого из следующего:
1.1.2.2.1.	Углеродных волокнистых или углеродных нитевидных материалов, имеющих все следующие характеристики:	3801;
	а) удельный модуль упругости, превышающий м; и	3926 90 910 0;
	б) удельную прочность при растяжении, превышающую м; или	3926 90 980;
		6903 10 000 0
	Примечание.
	Пункт 1.1.2.2.1 не применяется к частично изготовленным конструкциям, включающим максимум двухмерное сплетение нитей и специально разработанным для следующего использования:
	а) в печах для отпуска металлов термообработкой;
	б) в оборудовании для производства кремниевых булей
1.1.2.2.2.	Материалов, определенных в пункте 1.3.10.3
	Примечания:
	1. Пункт 1.1.2 не применяется к элементам конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, изготовленным из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:
	а) площадь, не превышающую 1 м2;
	б) длину, не превышающую 2,5 м; и
	в) ширину более 15 мм.
	2. Пункт 1.1.2 не применяется к частично изготовленным конструкциям, специально разработанным для следующего только гражданского использования:
	а) в спортивных товарах;
	б) в автомобильной промышленности;
	в) в станкостроительной промышленности;
	г) в медицинских целях.
	3. Пункт 1.1.2 не применяется к полностью изготовленным товарам (конструкциям), специально разработанным для конкретного использования
	Особое примечание.
	В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункты 1.1.1 - 1.1.1.2.2 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3
1.1.3.	Изделия из неплавких ароматических полиимидов в виде пленки, листа, ленты или полосы, имеющие любую из следующих характеристик:	3919 90 900 0;
	а) толщину более 0,254 мм; или	3920 99 900 0
	б) покрытие или ламинирование углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами
	Примечание.
	Пункт 1.1.3 не применяется к изделиям, покрытым или ламинированным медью и разработанным для производства электронных печатных плат
	Особое примечание.
	Для плавких ароматических полиимидов в любом виде см. пункт 1.3.8.1.3
1.1.4.	Защитное снаряжение, аппаратура систем обнаружения и комплектующие изделия, не специально разработанные для военного применения:
1.1.4.1.	Противогазы, коробки противогазов с фильтрами и оборудование для их обеззараживания, разработанные либо модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:	9020 00 000 0
	а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях;
	б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях;
	в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии; или
	г) химических средств для борьбы с массовыми беспорядками, включающих:
	-бромбензацетонитрил (бромбензил цианид) (CA) (CAS 5798-79-8);
	[(2-хлорфенил) метилен] пропандинитрил (о-хлорбензальмалононитрил) (CS) (CAS 2698-41-1);
	2-хлор-1-фенил-этанон, хлористый фенацил (-хлорацетофенон) (CN) (CAS 532-27-4);
	дибенз-(b, f)-1,4-оксазепин (CR) (CAS 257-07-8);
	10-хлор-5,10-дигидрофенарсазин, (хлористый фенарсазин), (адамсит) (DM) (CAS 578-94-9);
	N-нонилморфолин (MPA) (CAS 5299-64-9);
1.1.4.2.	Защитные костюмы, перчатки и обувь, специально разработанные или модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов:	3926 20 000 0;
	а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях;	4015 19 900 0;
	б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или	4015 90 000 0;
	в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии;	6204 23;
		6210 40 000 0;
		6210 50 000 0;
		6216 00 000 0;
		6401 92;
		6401 99 000 0;
		6402 91;
		6402 99 100 0;
		6402 99 930 0;
		6404 19 900 0
1.1.4.3.	Системы, специально разработанные или модифицированные для обнаружения или распознавания любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:	9027 10 100 0;
	а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях;	9027 10 900 0;
	б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или	9027 80 170 0;
	в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии	9027 80 970 0;
		9027 90 800 0;
		9030 10 000 0;
		9030 89 300 0;
		9030 89 900 0;
		9030 90 850 0;
1.1.4.4.	Электронное оборудование, разработанное для автоматического обнаружения или распознавания наличия следов взрывчатых веществ (ВВ) с использованием методов их обнаружения (например, поверхностной акустической волны, спектрометрии подвижных ионов, в том числе с дифференциальной подвижностью, масс-спектрометрии)	9027 10 100 0
		9027 30 000 0
		9027 80 170 0
		9027 90 800 0
		9030 89 300 0
	Техническое примечание.
	Под обнаружением следов понимается обнаружение менее миллионной части испарения или 1 мг твердого вещества или жидкости
	Примечание.
	Пункт 1.1.4.4 не применяется:
	а) к оборудованию, специально разработанному для лабораторного использования;
	б) к пропускным порталам безопасности для бесконтактного контроля
	Примечание.
	Пункт 1.1.4 не применяется:
	а) к персональным радиационным дозиметрам;
	б) к снаряжению или системам, конструктивно или функционально ограниченным определением факторов риска в целях обеспечения безопасности в местах проживания или в гражданских областях, включающих:
	горное дело;
	работу в карьерах;
	сельское хозяйство;
	фармацевтическую промышленность;
	медицинскую промышленность;
	ветеринарию;
	охрану окружающей среды;
	сбор и утилизацию отходов;
	пищевую промышленность
	Технические примечания:
	1. Пункт 1.1.4 включает снаряжение, системы и их компоненты, которые были сертифицированы, либо их работоспособность в отношении обнаружения или защиты от радиоактивных материалов, бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях, токсичных химикатов, используемых в химическом оружии, имитирующих продуктов (заменителей) или химических средств для борьбы с массовыми беспорядками была подтверждена испытаниями, проведенными в соответствии с национальными стандартами, или иным способом, даже если такие системы, снаряжение или их компоненты используются в гражданских областях, таких как горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность.
	2. Имитирующие продукты (заменители) - вещества или материалы, которые используются вместо токсичных веществ (химических или биологических) для обучения, исследования, опробования или оценки
1.1.5.	Бронежилеты и специально разработанные для них компоненты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям и неравноценные им по характеристикам	6211 43 900 0
	Примечания:
	1. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, которые вывозятся пользователем для собственной индивидуальной защиты.
	2. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для обеспечения только фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывных устройств
	Особое примечание.
	Для нитевидных и волокнистых материалов, используемых в производстве бронежилетов, см. пункт 1.3.10
1.1.6.	Оборудование, специально разработанное или модифицированное для обезвреживания самодельных взрывных устройств, приведенное ниже, а также специально разработанные компоненты и принадлежности для него:
1.1.6.1.	Дистанционно управляемые транспортные средства;
1.1.6.2	Подрыватели (разрушители)	8424 30;
		8424 89 000 9;
		8479 89 970 9
	Техническое примечание.
	Подрыватели (разрушители) - устройства, специально разработанные для предотвращения срабатывания взрывного устройства путем воздействия жидкостью, твердым или хрупким снарядом
	Примечание.
	Пункт 1.1.6 не применяется к оборудованию, которое не является предметом передачи или обмена и сопровождается его оператором
1.1.7.	Оборудование и устройства, специально разработанные для инициации зарядов и устройств, содержащих энергетические материалы, воздействием электричества:
1.1.7.1.	Запускающие устройства (запальные системы), разработанные для приведения в действие детонаторов взрывчатого вещества, определенных в пункте 1.1.7.2;	8543 70 900 9;
		9306 90 900 0
1.1.7.2.	Электродетонаторы взрывчатого вещества, такие как:	3603 00 900
1.1.7.2.1.	Детонаторы со взрывающимся мостиком (ВМ) (искровые детонаторы);
1.1.7.2.2.	Детонаторы со взрывающейся перемычкой из провода (токовые детонаторы);
1.1.7.2.3.	Детонаторы с ударником (пробойником) (детонаторы ударного действия);
1.1.7.2.4.	Инициаторы со взрывающейся фольгой
	Технические примечания:
	1. Понятие "детонатор" также включает понятие "инициатор" или "зажигатель".
	2. Для целей пункта 1.1.7.2 во всех описанных в нем детонаторах используется небольшой электрический проводник (мостик, перемычка из провода или фольга), который испаряется со взрывом, вызванным прохождением через него короткого сильноточного электрического импульса. В детонаторах безударного действия взрывающийся проводник инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним бризантном взрывчатом веществе, таком как ТЭН (PETN) - тетранитропентаэритрит. В детонаторах ударного действия (типа "Слэппер") вызванное взрывом испарение электрического проводника приводит в действие боек или пробойник, который воздействует на взрывчатое вещество и инициирует химическую детонацию. В некоторых конструкциях ударник приводится в движение силой магнитного поля. Термин "инициатор со взрывающейся фольгой" может относиться как к ВМ, так и к детонатору ударного действия (типа "Слэппер")
1.1.8.	Заряды, устройства и компоненты:	3604 90 000 0
1.1.8.1.	Кумулятивные заряды, имеющие все нижеперечисленные характеристики:
	а) количество нетто ВВ (КНВ) более 90 г; и
	б) внешний диаметр оболочки, равный или больше 75 мм;
1.1.8.2.	Кумулятивные линейные заряды для резки, имеющие все нижеперечисленные характеристики, и специально разработанные для них компоненты:
	а) заряд ВВ более 40 г/м; и
	б) ширину, равную или больше 10 мм;
1.1.8.3.	Шнур детонирующий с внутренним зарядом ВВ более 64 г/м;
1.1.8.4.	Резаки, отличные от определенных в пункте 1.1.8.2, и другие отрезные средства, имеющие КНВ более 3,5 кг
	Техническое примечание.
	Кумулятивные заряды - устройства, концентрирующие действие ВВ в процессе его взрыва
	Примечание.
	К зарядам и устройствам, определенным в пункте 1.1.8, относятся только те заряды, которые содержат ВВ, перечисленные в таблице к этому пункту, и их смеси

<*> См. общее примечание к настоящему Списку.

<**> Здесь и далее код ТН ВЭД - код единой Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Таможенного союза.

Таблица к пункту 1.1.8

N пункта	Наименование	Код ТН ВЭД
1.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование
1.2.1.	Оборудование, приведенное ниже, для производства или контроля конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, а также специально разработанные для него компоненты и вспомогательные устройства:
1.2.1.1.	Машины для намотки волокон, специально разработанные для производства конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры из волокнистых или нитевидных материалов, в которых движения, связанные с позиционированием, пропиткой и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более осям основного сервопозиционирования;	8445 40 000;
		8445 90 000 1
1.2.1.2.	Машины для выкладки ленты, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой ленты или ее слоев, координируются и программируются по пяти или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов;	8445 40 000;
		8445 90 000 1
1.2.1.3.	Многокоординатные ткацкие машины или машины для плетения, включая приспособления и устройства, специально разработанные или модифицированные для плетения, ткачества или переплетения волокон для конструкций из композиционных материалов объемной структуры	8446 21 000 0;
		8446 90 000
	Техническое примечание.
	Для целей пункта 1.2.1.3 плетение включает вязание;
1.2.1.4.	Оборудование, специально разработанное или приспособленное для производства армирующих волокон:
1.2.1.4.1.	Оборудование для превращения полимерных волокон (таких как полиакрилонитриловые, вискозные, пековые или поликарбосилановые) в углеродные или карбидкремниевые волокна, включая специальное оборудование для натяжения волокон при нагреве;	8456 10 00;
		8456 90 000 0;
		8515 80 990 0
1.2.1.4.2.	Оборудование для химического осаждения элементов или соединений из паровой фазы на нагретую нитевидную подложку в целях производства карбидкремниевых волокон;	8419 89 989 0
1.2.1.4.3.	Оборудование для получения тугоплавких керамических волокон (например, из оксида алюминия) по мокрому способу;	8445 90 000 9
1.2.1.4.4	Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна оксида алюминия;	8514 10 800 0;
		8514 20 100 0;
		8514 20 800 0;
		8514 30 190 0;
		8514 30 990 0;
		8514 40 000 0
1.2.1.5.	Оборудование для производства препрегов, определенных в пункте 1.3.10.5, методом горячего плавления;	8451 80 800 9;
		8477 59 100 0;
		8477 59 800 0
1.2.1.6.	Оборудование для неразрушающего контроля, специально разработанное для композиционных материалов, такое как:
1.2.1.6.1.	Системы рентгеновской томографии для трехмерного обнаружения дефектов;	9022 12 000 0;
		9022 19 000 0;
		9022 29 000 0
1.2.1.6.2.	Установки ультразвуковой дефектоскопии с числовым программным управлением, в которых перемещения для позиционирования трансмиттеров или приемников одновременно координируются и программируются по четырем или более осям, чтобы отслеживать трехмерные контуры обследуемого объекта;	9031 80 380 0
1.2.1.7.	Машины для выкладки жгута, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой жгута или его слоев, координируются и программируются по двум или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов	8445 40 000;
		8445 90 000 1
	Техническое примечание.
	Для целей пункта 1.2.1 основное сервопозиционирование (позиционирование от основного сервопривода) означает управление положением рабочего органа (например, головки) в пространстве с помощью задающей направление компьютерной программы для его точной ориентации относительно осей координат обрабатываемой детали и достижения заданных требований обработки
1.2.2.	Оборудование, специально разработанное для исключения загрязнения при производстве металлических сплавов, порошков металлических сплавов или легированных материалов и использования в одном из процессов, определенных в пункте 1.3.2.3.2
1.2.3.	Инструменты, пресс-формы, матрицы или арматура для формообразования в условиях сверхпластичности или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально разработанные для производства любого из следующего:	8207 30 100 0
	а) корпусных конструкций летательных аппаратов или авиационно-космических средств;
	б) двигателей для летательных аппаратов или авиационно-космических средств; или
	в) компонентов, специально разработанных для конструкций, определенных в подпункте "а" пункта 1.2.3, или двигателей, определенных в подпункте "б" пункта 1.2.3
1.3.	Материалы
	Техническое примечание.
	Термины "металлы" и "сплавы", если специально не оговорено иное, относятся к следующим необработанным формам и полуфабрикатам:
	а) необработанные формы - аноды, блюмы, болванки, брикеты, бруски, гранулы, губка, дробь, катоды, кольца, кристаллы, спеки, заготовки металла неправильной формы, листы, окатыши, плитки, поковки, порошки, прутки (включая надрубленные прутки и заготовки для проволоки), слитки, слябы, стаканы, сутунки, чушки, шары;
	б) полуфабрикаты (независимо от того, имеют они плакирование, покрытие, сверления, пробитые отверстия или нет):
	1) материалы, подвергнутые обработке давлением или иным способом, полученные путем прокатки, волочения, штамповки выдавливанием, ковки, штамповки ударным выдавливанием, прессования, гранулирования, распыления и размалывания, а именно: диски, изделия прессованные и штампованные, кольца, ленты, листы, плиты, поковки, полосы, порошки, профили, прутки (включая непокрытые сварочные прутки, присадочную проволоку и катанку), пудры, трубы круглого и квадратного сечения, уголки, фасонные профили, фольга и тонкие листы, чешуйки, швеллеры;
	2) отливки, полученные литьем в любые формы (песчаные, металлические, гипсовые и другие), включая полученные литьем под давлением, а также спеченные заготовки и заготовки, полученные методами порошковой металлургии.
	Цель контроля не должна нарушаться при экспорте не указанных выше заготовок или полуфабрикатов, выдаваемых за готовые изделия, но, по существу, представляющих собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты
1.3.1.	Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитных волн, или полимеры, обладающие собственной проводимостью:
1.3.1.1.	Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от Гц до Гц	3815 19;
		3910 00 000 9
	Примечания:
	1. Пункт 1.3.1.1 не применяется:
	а) к поглотителям войлочного типа, изготовленным из натуральных и синтетических волокон, содержащим немагнитный наполнитель;
	б) к поглотителям, не имеющим магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности;
	в) к плоским поглотителям, имеющим все нижеперечисленные характеристики:
	1) изготовленным из любых следующих материалов:
	вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на ± 15%, и неспособных выдерживать температуры, превышающие 450 K (177 °C); или
	керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на ± 15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 K (527 °C)
	Техническое примечание.
	Для целей подпункта 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1 образцы для проведения испытаний на поглощение должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента;
	2) прочность при растяжении менее Н/м2; и
	3) прочность при сжатии менее Н/м2;
	г) к плоским поглотителям, выполненным из спеченного феррита и имеющим все нижеперечисленные характеристики:
	удельный вес более 4,4 г/см3; и максимальную рабочую температуру 548 K (275 °C).
	2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках
1.3.1.2.	Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих Гц, но ниже, чем Гц, и непрозрачные для видимого света;	3815 19;
		3910 00 000 9
1.3.1.3.	Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/м2, полученные на основе любого из следующих полимеров:
1.3.1.3.1.	Полианилина;	3909 30 000 0
1.3.1.3.2.	Полипиррола;	3911 90 990 0
1.3.1.3.3.	Политиофена;	3911 90 990 0
1.3.1.3.4.	Полифенилен-винилена; или	3911 90 990 0
1.3.1.3.5.	Политиенилен-винилена	3919 90 900 0
	Техническое примечание.
	Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом
	Особое примечание.
	В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5, см. также пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5 разделов 2 и 3
1.3.2.	Металлические сплавы, порошки металлических сплавов и легированные материалы следующих типов:
1.3.2.1.	Алюминиды:
1.3.2.1.1.	Алюминиды никеля, содержащие от 15 до 38% (по весу) алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;	7502 20 000 9
1.3.2.1.2.	Алюминиды титана, содержащие 10% (по весу) или более алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;	8108 20 000;
		8108 90 300 9;
		8108 90 500 9;
		8108 90 600 2;
		8108 90 600 8;
		8108 90 900 9
1.3.2.2.	Металлические сплавы, приведенные ниже, изготовленные из порошков или частиц материалов, определенных в пункте 1.3.2.3:
1.3.2.2.1.	Никелевые сплавы с:	7502 20 000 9
	а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 676 МПа и температуре 923 K (650 °C); или
	б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 823 K (550 °C) и максимальном напряжении цикла 1095 МПа;
1.3.2.2.2.	Ниобиевые сплавы с:	8112 92 310 0;
	а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 400 МПа и температуре 1073 K (800 °C); или	8112 99 300 0
	б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 973 K (700 °C) и максимальном напряжении цикла 700 МПа;
1.3.2.2.3.	Титановые сплавы с:	8108 20 000;
	а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 200 МПа и температуре 723 K (450 °C); или	8108 90 300 9;
	б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 723 K (450 °C) и максимальном напряжении цикла 400 МПа;	8108 90 500 9;
		8108 90 600 2;
		8108 90 600 8;
		8108 90 900 9
1.3.2.2.4.	Алюминиевые сплавы с пределом прочности при растяжении:	7601 20;
	а) 240 МПа или выше при температуре 473 K (200 °C); или	7604 29 100 9;
	б) 415 МПа или выше при температуре 298 K (25 °C);	7608 20 810 9;
		7608 20 890 9
1.3.2.2.5.	Магниевые сплавы:	8104
	а) с пределом прочности при растяжении 345 МПа или выше; и
	б) со скоростью коррозии в 3-процентном водном растворе хлорида натрия менее 1 мм в год, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом;
1.3.2.3.	Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики:
1.3.2.3.1.	Изготовленные из любых следующих по составу систем:
	Техническое примечание.
	X в дальнейшем соответствует одному или более легирующим элементам
1.3.2.3.1.1.	Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), для деталей или компонентов газотурбинных двигателей, содержащие менее трех неметаллических частиц размером более 100 мкм (введенных в процессе производства) на частиц сплава;	7504 00 000 9
1.3.2.3.1.2.	Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);	8112 92 310 0
1.3.2.3.1.3.	Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al);	8108 20 000 5
1.3.2.3.1.4.	Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или	7603
1.3.2.3.1.5.	Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и	8104 30 000 0
1.3.2.3.2.	Изготовленные в контролируемой среде с использованием одного из нижеследующих процессов:
	а) вакуумное распыление;
	б) газовое распыление;
	в) центробежное распыление;
	г) скоростная закалка капли;
	д) спиннингование расплава и последующее измельчение;
	е) экстракция расплава и последующее измельчение; или
	ж) механическое легирование;
1.3.2.3.3.	Могущие быть исходными материалами для получения сплавов, определенных в пункте 1.3.2.1 или 1.3.2.2;
1.3.2.4.	Легированные материалы, характеризующиеся всем нижеследующим:	7504 00 000 9;
	а) изготовлены из любых систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1;	7504 12 000 9;
	б) имеют форму неизмельченных чешуек, ленты или тонких стержней; и	7506;
	в) изготовлены в контролируемой среде любым из следующих методов:	7603 20 000 0;
	скоростная закалка капли;	7604 29 100 9;
	спиннингование расплава; или	7606 12 910 9;
	экстракция расплава	7606 92 000 0;
		7607 19;
		8104 30 000 0;
		8104 90 000 0;
		8108 20 000;
		8108 90 300 9;
		8108 90 500 9;
		8112 92 200 9;
		8112 92 310 0;
		8112 99 300 0
	Примечание.
	Пункт 1.3.2 не применяется к металлическим сплавам, порошкам металлических сплавов и легированным материалам для подложек, предназначенных для нанесения покрытий
	Технические примечания:
	1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся сплавы, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем любых других элементов.
	2. Ресурс длительной прочности следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-139 или ее национальным эквивалентом. 3. Малоцикловую усталость следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Технические рекомендации по испытаниям на малоцикловую усталость при постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Образцы должны нагружаться в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации напряжения (), равном единице. Средний показатель нагрузки определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку
1.3.3.	Магнитные металлические материалы всех типов и в любой форме, имеющие любую из следующих характеристик:
1.3.3.1.	Начальную относительную магнитную проницаемость 120 000 или более и толщину 0,05 мм или менее	8505 11 000 0;
		8505 19 100 0;
		8505 19 900 0;
	Техническое примечание.
	Измерение начальной относительной магнитной проницаемости следует проводить на полностью отожженных материалах;
1.3.3.2.	Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик:	2803 00;
	а) магнитострикцию насыщения более ; или	2846 90 000 0
	б) коэффициент магнитомеханического взаимодействия (к) более 0,8; или
1.3.3.3.	Ленты из аморфных или нанокристаллических сплавов, имеющие все следующие характеристики:	7226 11 000 0;
	а) содержание железа, кобальта или никеля не менее 75% (по весу);	7506;
	б) магнитную индукцию насыщения () 1,6 Т или более; и	8105
	в) любое из нижеследующего:
	толщину ленты 0,02 мм или менее; или
	удельное электрическое сопротивление Ом·см или более
	Техническое примечание.
	К нанокристаллическим материалам, указанным в пункте 1.3.3.3, относятся материалы, имеющие размер кристаллических зерен 50 нм или менее, определенный методом рентгеновской дифракции
1.3.4.	Урано-титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики:	2844 10 900 0;
	а) плотность выше 17,5 г/см3;	8101 94 000 0;
	б) предел упругости выше 880 МПа;	8101 96 000 0;
	в) предел прочности при растяжении выше 1270 МПа; и	8101 99 100 0;
	г) относительное удлинение более 8%	8101 99 900 0;
1.3.5.	Следующие сверхпроводящие проводники из композиционных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г:	8108 20 000;
		8108 90 300 9;
		8108 90 500 9;
		8108 90 600 2;
		8108 90 600 8;
		8108 90 900 9
1.3.5.1.	Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько ниобийтитановых нитей, имеющих все нижеперечисленное:	8544
	а) уложенных в матрицу не из меди или не на основе меди; и
	б) имеющих площадь поперечного сечения менее (6 мкм в диаметре для нитей круглого сечения);
1.3.5.2.	Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобийтитана, имеющих все нижеперечисленное:	8544
	а) критическую температуру при нулевом магнитном поле, превышающую 9,85 K (-263,31 °C); и
	б) остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре 4,2 K (-268,96 °C) в магнитном поле, ориентированном в любых направлениях, перпендикулярных продольной оси проводника, и соответствующем магнитной индукции 12 Т, при пропускании электрического тока критической плотностью более 1750 А/мм2 по всему сечению проводника;
1.3.5.3.	Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре выше 115 K (-158,16 °C)	8544
	Техническое примечание.
	Для целей пункта 1.3.5 нити могут быть в виде проволоки, цилиндра, пленки, ленты или полосы
1.3.6.	Жидкости и смазочные материалы:
1.3.6.1.	Гидравлические жидкости, содержащие в качестве основных составляющих любые из следующих соединений или материалов:
1.3.6.1.1.	Синтетические кремнийуглеводородные масла, имеющие все следующие характеристики:	3910 00 000 9
	а) температуру воспламенения выше 477 K (204 °C);
	б) температуру застывания 239 K (-34 °C) или ниже;
	в) индекс вязкости 75 или более;
	г) термостабильность при температуре 616 K (343 °C) или выше; или
	Техническое примечание.
	Для целей пункта 1.3.6.1.1 кремнийуглеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод
1.3.6.1.2.	Хлорофторуглероды, имеющие все следующие характеристики:	2812;
	а) температуру воспламенения не имеют;	2826;
	б) температуру самовоспламенения выше 977 K (704 °C);	2903 41 000 0;
	в) температуру застывания 219 K (-54 °C) или ниже;	2903 42 000 0;
	г) индекс вязкости 80 или более; и	2903 43 000 0;
	д) температуру кипения 473 K (200 °C) или выше	2903 44;
		2903 45;
		3819 00 000 0;
		3824 71 000 0
	Техническое примечание.
	Для целей пункта 1.3.6.1.2 хлорофторуглероды содержат исключительно углерод, фтор и хлор
	Техническое примечание.
	Для целей пункта 1.3.6.1:
	а) температура воспламенения определяется с использованием метода Кливлендской открытой чашки, описанного в стандартной методике ASTM D-92 или ее национальном эквиваленте;
	б) температура застывания определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-97 или ее национальном эквиваленте;
	в) индекс вязкости определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-2270 или ее национальном эквиваленте;
	г) термостабильность определяется в соответствии со следующей методикой испытаний или ее национальным эквивалентом:
	20 мл испытуемой жидкости помещается в камеру объемом 46 мл из нержавеющей стали типа 317, содержащую шары номинального диаметра 12,5 мм из инструментальной стали М-10, стали марки 52100 и корабельной бронзы (Cu - 60%, Zn - 39%, Sn - 0,75%).
	Камера наполняется азотом, герметизируется при давлении, равном атмосферному, температура повышается до (644 ± 6) K [(371 ± 6) °C] и выдерживается в течение шести часов.
	Образец считается термостабильным, если по завершении вышеописанной процедуры выполнены все следующие требования:
	потеря веса каждым шаром не превышает 10 мг/мм2 его поверхности;
	изменение первоначальной вязкости, определенной при температуре 311 K (38 °C), не превышает 25%; и
	суммарное кислотное или основное число не превышает 0,40;
	д) температура самовоспламенения определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM E-659 или ее национальном эквиваленте;
1.3.6.2.	Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие соединения или материалы:
1.3.6.2.1.	Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функциональных групп или их смесей; или	2909 30 900 0;
		2930 90 850 0
1.3.6.2.2.	Фторированные кремнийорганические жидкости, имеющие кинематическую вязкость менее 5000 мм2/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 K (25 °C);	3910 00 000 9
1.3.6.3.	Амортизаторные или флотационные жидкости, отвечающие всему следующему:	2903 46 900 0;
	а) имеющие чистоту более 99,8%;	3904 69 900 0
	б) содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл; и
	в) полученные по меньшей мере на 85% из любого из следующего:
	дибромтетрафторэтана (CAS 25497-30-7, CAS 124-73-2, CAS 27336-23-8);
	полихлортрифторэтилена (только маслообразные и воскообразные модификации); или
	полибромтрифторэтилена;

1.3.6.4.	Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, имеющие все следующие характеристики:	2903 41 000 0;
	а) содержащие 85% (по весу) или более любого из следующих веществ или любой из их смесей:	2903 42 000 0;
	мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров;
	перфторалкиламинов;
	перфторциклоалканов; или
	перфторалканов;
	б) плотность 1,5 г/мл или более при температуре 298 K (25 °C);
	в) жидкое состояние при температуре 273 K (0 °C); и	3824 90 980 9
	г) содержащие 60% (по весу) или более фтора	2903 45 100 0;
1.3.7.	Исходные керамические материалы, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры:
1.3.7.1.	Исходные материалы из простых или сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, менее 5000 частей на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньше 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм;	2850 00 900 0
1.3.7.2.	Некомпозиционные керамические материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98% или более от теоретической плотности	2850 00 900 0
	Примечание.
	Пункт 1.3.7.2 не применяется к абразивам;
1.3.7.3.	Композиционные материалы типа керамика-керамика со стеклянной или оксидной матрицей, армированной волокнами, имеющими все следующие характеристики:	2849;
	а) изготовлены из любых нижеследующих материалов:	2850 00;
	Si-N;	8803 90 200 0;
	Si-C;	8803 90 300 0;
	Si-Al-O-N; или	8803 90 900 0;
	Si-O-N; и	9306 90
	б) имеют удельную прочность при растяжении, превышающую м;
1.3.7.4.	Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора	2849 20 000 0;
		2849 90 100 0;
		2850 00 200 0;
		8113 00 200 0;
		8113 00 900 0
	Особое примечание.
	В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.7.3 и 1.3.7.4, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2;
1.3.7.5.	Следующие материалы-предшественники (то есть полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, определенных в пункте 1.3.7.3:	3910 00 000 9
	а) полидиорганосиланы (для производства карбида кремния);
	б) полисилазаны (для производства нитрида кремния);
	в) поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами);
1.3.7.6.	Композиционные материалы типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными матрицами, армированными непрерывными волокнами любой из следующих систем:	6903;
	а) (CAS 1344-28-1); или	6914 90 900 0
	б) Si-C-N
	Примечание.
	Пункт 1.3.7.6 не применяется к композиционным материалам, армированным указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 K (1000 °C) или деформацию ползучести более 1% при напряжении 100 МПа и температуре 1273 K (1000 °C) за 100 ч
1.3.8.	Нефторированные полимерные вещества:
1.3.8.1.	Нижеперечисленные плавкие имиды в жидкой или твердой форме, в том числе в виде смол, порошков, гранул, пленок, листов, лент или полос:
1.3.8.1.1.	Бисмалеимиды;	2925 19 950 0
1.3.8.1.2.	Ароматические полиамид-имиды (PAI), имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние () выше 563 K (290 °C);	3908 90 000 0
1.3.8.1.3.	Ароматические полиимиды;	3911 90 990 0
1.3.8.1.4.	Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние () выше 513 K (240 °C)	3907 20 990 0;
		3907 91 900 0
	Особое примечание.
	Для неплавких ароматических полиимидов в форме пленки, листа, ленты или полосы см. пункт 1.1.3;
1.3.8.2.	Термопластичные жидкокристаллические сополимеры, имеющие температуру термодеформации выше 523 K (250 °C), измеренную в соответствии с международным стандартом ISO 75-2 (2004), метод A, или его национальным эквивалентом при нагрузке 1,80 Н/мм2, и состоящие из:	3907 91 900 0
	а) любых из следующих соединений:
	фенилена, бифенилена или нафталена; или
	метил, третбутил или фенилзамещенного фенилена, бифенилена или нафталена; и
	б) любой из следующих кислот:
	терефталевой кислоты (CAS 100-21-0);
	6-гидрокси-2 нафтойной кислоты (CAS 16712-64-4); или 4-гидроксибензойной кислоты (CAS 99-96-7);
1.3.8.3.	Полиариленовые кетоны;	3907 99
1.3.8.4.	Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации;	3911 90 190 0
1.3.8.5.	Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние () выше 513 K (240 °C)	3911 90 190 0
	Техническое примечание.
	Температура перехода в стеклообразное состояние () для материалов, определенных в пункте 1.3.8, определяется с использованием метода, описанного в международном стандарте ISO 11357-2 (1999) или его национальном эквиваленте. Кроме того, для ароматических полиамид-имидов (PAI), указанных в пункте 1.3.8.1.2, температура перехода в стеклообразное состояние () определяется на образце, первоначально отвержденном при минимальной температуре 310 °C в течение 15 минут
1.3.9.	Необработанные фторированные соединения:
1.3.9.1.	Сополимеры винилидена фторида (1,1-дифторэтилена), содержащие 75% или более бета-кристаллической структуры, полученной без вытягивания;	3904 69 900 0
1.3.9.2.	Фторированные полиимиды, содержащие 10% (по весу) или более связанного фтора;	3904 69 900 0
1.3.9.3.	Фторированные фосфазеновые эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора	3904 69 900 0
1.3.10.	Волокнистые или нитевидные материалы:
1.3.10.1.	Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:	5402 11 000 0;
	а) удельный модуль упругости более м; и	5404 12 000 0;
	б) удельную прочность при растяжении более м	5404 19 000 0;
		5501 10 000 1;
		5503 11 000 0
	Примечание.
	Пункт 1.3.10.1 не применяется к полиэтилену;
1.3.10.2.	Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:	6815 10 100 0
	а) удельный модуль упругости более м; и
	б) удельную прочность при растяжении более м
	Техническое примечание.
	Свойства материалов, описанных в пункте 1.3.10.2, должны определяться в соответствии с методами 12 - 17 (SRM 12 - 17), рекомендуемыми Ассоциацией поставщиков современных композиционных материалов (SACMA), международным стандартом ISO 10618 (2004), 10.2.1, метод A, или их национальным эквивалентом для испытания волокон, и должны основываться на усредненных значениях большого количества измерений
	Примечание.
	Пункт 1.3.10.2 не применяется:
	а) к элементам конструкций из волокнистых или нитевидных материалов объемной или слоистой структуры для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:
	площадь, не превышающую 1 м2;
	длину, не превышающую 2,5 м; и
	ширину более 15 мм;
	б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее;
1.3.10.3.	Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:	8101 96 000 0;
	а) удельный модуль упругости, превышающий м; и	8101 99 900 0;
	б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 K (1649 °C)	8108 90 300 9;
		8108 90 900 9
	Примечание.
	Пункт 1.3.10.3 не применяется:
	а) к дискретным, многофазным, поликристаллическим волокнам оксида алюминия в виде рубленых волокон или волокон, беспорядочно уложенных в матах, содержащим 3% или более (по весу) диоксида кремния и имеющим удельный модуль упругости менее м;
	б) к молибденовым волокнам и волокнам из молибденовых сплавов;
	в) к волокнам бора;
	г) к дискретным керамическим волокнам с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде ниже 2043 K (1770 °C);
1.3.10.4.	Волокнистые или нитевидные материалы, имеющие любой из следующих составов:
1.3.10.4.1.	Состоящие из любого из нижеследующих материалов:
1.3.10.4.1.1.	Полиэфиримидов, определенных в пункте 1.3.8.1; или	5402 11 000 0;
		5402 20 000 0;
		5402 49 000 0;
		5404 12 000 0;
		5404 19 000 0;
		5501 10 000 1;
		5501 20 000 0;
		5501 90 000 0;
		5503 11 000 0;
		5503 20 000 0;
		5503 90 900 0
1.3.10.4.1.2.	Материалов, определенных в пунктах 1.3.8.2 - 1.3.8.5; или	5402 20 000 0;
		5402 49 000 0;
		5404 12 000 0;
		5404 19 000 0;
		5501 20 000 0;
		5501 90 000 0;
		5503 20 000 0;
		5503 90 900 0
1.3.10.4.2.	Состоящие из материалов, определенных в пункте 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, определенных в пункте 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3
	Особое примечание.
	В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2, см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2 раздела 2;
1.3.10.5.	Волокнистые или нитевидные материалы, полностью или частично пропитанные смолой или пеком (препреги), волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, имеющие все следующее:	3801;
	а) имеющие любое из следующего:	3926 90 980 5;
	1) неорганические волокнистые или нитевидные материалы, определенные в пункте 1.3.10.3; или	6815 10 100 0;
	2) органические или углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующее:	6815 10 900;
	удельный модуль упругости, превышающий м; и	6815 99 900 0;
	удельную прочность при растяжении, превышающую м; и	7019 11 000 0;
	б) имеющие любое из следующего:	7019 12 000 0;
	1) смолу или пек, определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2; или	7019 19;
	2) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому-термомеханическому анализу (DMA ), равную 453 K (180 °C) или выше, а также феноло-альдегидный полимер; или	7019 40 000 0;
	3) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому-термомеханическому анализу (DMA ), равную 505 K (232 °C) или выше, а также смолу или пек, не определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2, и не являющиеся феноло-альдегидным полимером	7019 51 000 0;
		7019 52 000 0;
		7019 59 000 0
	Техническое примечание.
	Температура перехода в стеклообразное состояние по динамическому (во времени) - термомеханическому (гранулометрическому) анализу (DMA ) для материалов, определенных в пункте 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 7028-07, или его национальном эквиваленте, на сухом образце для испытаний. Для термореактивных материалов степень отверждения сухого образца для испытаний должна быть минимум 90%, как это определяется стандартом ASTM E 2160-04 или его национальным эквивалентом
	Примечания:
	1. Волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, не пропитанные смолой или пеком, определяются как волокнистые или нитевидные материалы по пункту 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3.
	2. Пункт 1.3.10.5 не применяется:
	а) к элементам конструкций объемной или слоистой структуры из углеродных волокнистых или нитевидных материалов, пропитанных матрицей из эпоксидной смолы (препрегов), для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:
	площадь, не превышающую 1 м2;
	длину, не превышающую 2,5 м; и
	ширину более 15 мм;
	б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее, полностью или частично пропитанным смолами или пеками, отличными от определенных в пунктах 1.3.8 или 1.3.9.2
1.3.11.	Следующие металлы и соединения:
1.3.11.1.	Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм сферической, пылевидной, сфероидальной форм, чешуйчатые или измельченные, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов	8104 30 000 0;
		8109 20 000 0
	Техническое примечание.
	При определении содержания циркония в него включается природная примесь гафния (обычно 2 - 7%)
	Примечание.
	Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;
1.3.11.2.	Бор или его сплавы, приведенные ниже, с размерами частиц 60 мкм или менее:	2804 50 100 0;
	а) бор чистотой 85% по весу или выше;	2849 90 100 0;
	б) сплавы бора с содержанием бора 85% по весу или выше	3824 90 980 9
	Примечание.
	Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;
1.3.11.3.	Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4);	2925 29 000 0
1.3.11.4.	Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)	2925 29 000 0
1.3.12.	Следующие материалы:
1.3.12.1.	Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу)	2844 20 510 0;
		2844 20 590 0;
		2844 20 990 0
	Примечание.
	Пункт 1.3.12.1 не применяется:
	а) к поставкам, содержащим плутоний в количестве 1 г или менее;
	б) к поставкам, содержащим три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах;
1.3.12.2.	Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме	2844 40 200 0;
		2844 40 300 0
	Примечание.
	Пункт 1.3.12.2 не применяется к поставкам, содержащим нептуний-237 в количестве 1 г или менее
	Техническое примечание.
	Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла
	Особое примечание.
	В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см. также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2 и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3
1.4.	Программное обеспечение
1.4.1.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, определенного в пункте 1.2
1.4.2.	Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц
	Особое примечание.
	В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 1.4.2, см. также пункт 1.4.1 раздела 2
1.4.3.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4;
1.5.	Технология
1.5.1.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства компонентов из фторированных соединений, определенных в пункте 1.1.1.2 или 1.1.1.3, конструкций из композиционных материалов, определенных в пункте 1.1.2, изделий из ароматических полиимидов, определенных в пункте 1.1.3, снаряжения, систем и комплектующих, определенных в пункте 1.1.4, бронежилетов и компонентов, определенных в пункте 1.1.5, оборудования, определенного в пункте 1.1.6.2, 1.1.7 или 1.2, или материалов, определенных в пункте 1.3
	Особое примечание.
	В отношении технологий, указанных в пункте 1.5.1, см. также пункт 1.5.1 разделов 2 и 3
1.5.2.	Иные нижеследующие технологии:
1.5.2.1.	Технологии разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолов;
1.5.2.2.	Технологии разработки или производства фторэластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер;
1.5.2.3.	Технологии разработки или производства следующих исходных материалов или некомпозиционных керамических материалов:
1.5.2.3.1.	Исходных материалов, обладающих всем нижеперечисленным:
	а) любой из следующих композиций:
	простые или сложные оксиды циркония и сложные оксиды кремния или алюминия;
	простые нитриды бора (с кубической кристаллической решеткой);
	простые или сложные карбиды кремния или бора; или
	простые или сложные нитриды кремния;
	б) суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем:
	1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или
	5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и
	в) являющихся любым из следующего:
	1) диоксидом циркония (CAS 1314-23-4), имеющим средний размер частиц, равный или меньше 1 мкм, и не более 10% частиц размером, превышающим 5 мкм;
	2) другими исходными материалами, имеющими средний размер частиц, равный или меньше 5 мкм, и не более 10% частиц размером более 10 мкм; или
	3) имеющих все следующее:
	пластинки, отношение длины к толщине которых превышает значение 5;
	нитевидные кристаллы диаметром менее 2 мкм, отношение длины к диаметру которых превышает значение 10; и
	непрерывные или рубленные волокна диаметром менее 10 мкм;
1.5.2.3.2.	Некомпозиционных керамических материалов, состоящих из материалов, определенных в пункте 1.5.2.3.1
	Примечание.
	Пункт 1.5.2.3.2 не применяется к технологиям разработки или производства абразивных материалов;
1.5.2.4.	Технологии производства ароматических полиамидных волокон;

1.5.2.5.	Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, определенных в пункте 1.3.1;
1.5.2.6.	Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или композиционных материалов, определенных в пункте 1.3.7.3 или 1.3.7.4
	Примечание.
	Пункт 1.5.2.6 не применяется к технологиям ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащимся в руководствах производителя летательных аппаратов
	Особое примечание.
	В отношении технологий, указанных в пунктах 1.5.2.5 и 1.5.2.6, см. также пункты 1.5.2.1 и 1.5.2.2 раздела 2;
1.5.2.7.	Библиотеки (параметрические технические базы данных), специально разработанные или модифицированные, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4
	Техническое примечание.
	Для целей пункта 1.5.2.7 под термином "библиотека" (параметрическая техническая база данных) понимается совокупность технической информации, обращение к которой может улучшить рабочие характеристики соответствующего оборудования или систем
КАТЕГОРИЯ 2. ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ
2.1.	Системы, оборудование и компоненты
2.1.1.	Подшипники качения или подшипниковые системы и их составные части:
2.1.1.1.	Шариковые и неразъемные роликовые радиальные и радиально-упорные подшипники качения, имеющие все допуски, определенные производителем, в соответствии с классом точности 4 или лучше по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения (ISO 5593) изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия	8482 10 100 9;
		8482 10 900;
		8482 30 000 9;
		8482 40 000 9;
		8482 50 000 9;
		8482 91 900 0;
		8482 99 000 0
	Примечание.
	Пункт 2.1.1.1 не применяется к коническим роликовым подшипникам;
2.1.1.2.	Активные магнитные подшипниковые системы, характеризующиеся хотя бы одним из нижеперечисленных качеств:	8483 30 380 9;
	а) выполнены из материала с магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 МПа;	8483 30 800 8;
	б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или	8505 11 000 0;
	в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 K (177 °C) и выше, позиционные датчики	8505 19 100 0;
		8505 19 900 0;
		8505 90 100 0;
		8505 90 900 0
	Примечание.
	Пункт 2.1.1 не применяется к шарикам с допусками, определенными производителем, в соответствии с международным стандартом ISO 3290, по степени точности 5 или ниже (хуже)
2.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование
	Технические примечания:
	1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360 градусов. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой).
	2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке. Такие оси включают:
	а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках;
	б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей;
	в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов.
	3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения".
	4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения.
	5. Заявленная точность позиционирования для каждой модели станка, полученная в результате измерений, проведенных в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом, может использоваться для всех станков одной модели как альтернатива испытаниям отдельных станков. Заявленная точность позиционирования означает значение точности, представленное в качестве показателя точности станков модели конкретного исполнения специально уполномоченному федеральному органу исполнительной власти в области экспортного контроля. Определение заявленной точности позиционирования:
	а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке;
	б) измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997);
	в) определяются величины показателей A для каждой оси каждого станка. Метод определения величины показателя A описан в стандарте ISO;
	г) определяется среднее значение показателя A для каждой оси. Эта средняя величина становится заявленной величиной (, ) для всех станков данной модели;
	д) поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего раздела, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей;
	е) если любая из осей какой-либо модели станка, не определенного в пунктах 2.2.1.1 - 2.2.1.3, характеризуется показателем , для шлифовальных станков равным 5 мкм или менее (лучше), для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм или менее (лучше), то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности позиционирования
2.2.1.	Станки, определенные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими условиями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления, а также специально разработанные для них компоненты:
	Примечания:
	1. Пункт 2.2.1 не применяется к станкам, ограниченным изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3.
	2. Пункт 2.2.1 не применяется к станкам, ограниченным изготовлением любых из следующих деталей:
	а) коленчатых или распределительных валов;
	б) режущих инструментов;
	в) червяков экструдеров;
	г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий.
	3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3
	Особое примечание.
	Для станков чистовой обработки (финишных станков) оптики см. пункт 2.2.2
2.2.1.1.	Токарные станки, имеющие все следующие характеристики:	8458;
	а) точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и	8464 90 800 0;
	б) две или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления	8465 99 100 0
	Примечание.
	Пункт 2.2.1.1 не применяется к токарным станкам, специально разработанным для производства контактных линз, имеющим все следующие характеристики:
	а) контроллер станка, ограниченный для применения в офтальмологических целях и основанный на программном обеспечении для частичного программируемого ввода данных; и
	б) отсутствие вакуумного патрона;
2.2.1.2.	Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик:	8459 31 000 0;
	а) имеющие все следующие характеристики:	8459 51 000 0;
	точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и	8459 61;
	три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;	8464 90 800 0;
	б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;	8465 92 000 0
	в) для координатно-расточных станков точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; или
	г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики:
	биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и
	повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения;
2.2.1.3.	Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик:	8460 11 000;
	а) имеющие все следующие характеристики:	8460 19 000 0;
	точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и	8460 21;
	три или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или	8460 29;
	б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления	8464 20 950 0;
		8465 93 000 0
	Примечание.
	Пункт 2.2.1.3 не применяется к следующим шлифовальным станкам:
	а) круглошлифовальным, внутришлифовальным и универсальным шлифовальным станкам, обладающим семи следующими характеристиками:
	предназначенным лишь для круглого шлифования; и
	максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм;
	б) станкам, специально разработанным как координатно-шлифовальные станки, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом;
	в) плоскошлифовальным станкам;
2.2.1.4.	Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;	8456 30
2.2.1.5.	Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики:	8424 30 900 0;
	а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов:	8456 10 00;
	струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками;	8456 90 000 0
	электронным лучом; или
	лазерным лучом; и
	б) по крайней мере две оси вращения, имеющие все следующее:
	возможность быть совместно скоординированными для контурного управления; и
	точность позиционирования менее (лучше) 0,003 градуса;
2.2.1.6.	Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм, и специально разработанные для них компоненты	8458;
		8459 21 000 0;
		8459 29 000 0
2.2.2.	Станки с числовым программным управлением для чистовой обработки (финишные станки) асферических оптических поверхностей с выборочным снятием материала, имеющие все следующие характеристики:	8464 20 110 0;
	а) осуществляющие доводку контура до менее (лучше) 1,0 мкм;	8464 20 190 0;
	б) осуществляющие чистовую обработку до среднеквадратичного значения шероховатости менее (лучше) 100 нм;	8464 20 950 0;
	в) имеющие четыре или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и	8465 93 000 0
	г) использующие любой из следующих процессов:
	магнитореологической чистовой обработки (МРЧО);
	электрореологической чистовой обработки (ЭРЧО);
	чистовой обработки пучками высокоэнергетических частиц;
	чистовой обработки с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны; или
	жидкоструйной чистовой обработки
	Техническое примечание.
	Для целей пункта 2.2.2:
	а) под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем;
	б) под ЭРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную жидкость, вязкость которой регулируется электрическим полем;
	в) под чистовой обработкой пучками высокоэнергетических частиц понимается процесс, использующий плазму атомов химически активных элементов или пучки ионов для избирательного съема материала;
	г) под чистовой обработкой с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны понимается процесс, в котором используется мембрана под давлением, деформирующая изделие при контакте с ней на небольшом участке;
	д) под жидкоструйной чистовой обработкой понимается процесс, использующий поток жидкости для съема материала
2.2.3.	Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально предназначенные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (Rc = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328	8461 40 710 0;
		8461 40 790 0
2.2.4.	Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления:	8462 99
	а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и
	б) любую из следующих характеристик:
	максимальное рабочее давление выше 207 МПа;
	регулируемые температуры выше 1773 K (1500 °C); или
	оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения
	Техническое примечание.
	Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой
2.2.5.	Оборудование, специально разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования:
2.2.5.1.	Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее:	8419 89 989 0
	а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов:
	CVD с пульсирующим режимом;
	термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или
	CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и
	б) включающее любое из следующего:
	высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше) вращающиеся уплотнения; или
	средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения;
2.2.5.2.	Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более;	8543 10 000 0
2.2.5.3.	Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих:	8543 70 900 9
	а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или
	б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;
2.2.5.4.	Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик:	8419 89 300 0;
	а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или	8419 89 98
	б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления;
2.2.5.5.	Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/мм2 или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более;	8419 89 300 0;
		8419 89 98
2.2.5.6.	Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде;	8543 70 900 9
2.2.5.7.	Производственное оборудование, способное к измерению в процессе ионного осаждения любого из следующего:	8543 70 900 9
	а) толщины покрытия на подложке с управлением скоростью осаждения; или
	б) оптических характеристик
	Примечание.
	Пункты 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не применяются соответственно к оборудованию химического осаждения из паровой фазы (CVD), ионной имплантации, осаждения распылением, катодно-дугового напыления и ионного осаждения, специально разработанному для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента
2.2.6.	Системы, оборудование и электронные сборки для измерения или контроля размеров:
2.2.6.1.	Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2009) пространственную (объемную) максимально допустимую погрешность измерения длины () в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) () мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах)	9031 80 320 0;
		9031 80 340 0
	Техническое примечание.
	() лучшей компоновки КИМ, определенная производителем, например, лучшее из следующего: измерительная головка, длина измерительного наконечника, параметры хода, режим работы) и со всеми доступными компенсациями, должна сравниваться с пороговой величиной () мкм;
2.2.6.2.	Приборы для измерения линейных или угловых перемещений:
2.2.6.2.1.	Приборы для измерения линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих:	9031 49 900 0;
	Техническое примечание.	9031 80 320 0;
	Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом	9031 80 340 0;
	а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм;	9031 80 910 0
	б) системы с индуктивными дифференциальными датчиками, имеющие все следующие характеристики:
	линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и
	дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1% в день, при стандартной комнатной температуре ± 1 K;
	в) измерительные системы, имеющие все следующие составляющие:
	содержащие лазер; и
	сохраняющие в течение по крайней мере 12 часов при температуре 20 °C ± 1 °C все следующие характеристики:
	разрешение на полной шкале 0,1 мкм или меньше (лучше); и
	способность достигать погрешности измерения при компенсации показателя преломления воздуха, равной или меньше (лучше) () мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах); или
	г) электронные сборки, специально разработанные для обеспечения возможности обратной связи в системах, определенных в подпункте "в" пункта 2.2.6.2.1
	Примечание.
	Пункт 2.2.6.2.1 не применяется к измерительным интерферометрическим системам с автоматическим управлением, разработанным для применения техники без обратной связи, содержащим лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования;
2.2.6.2.2.	Приборы для измерения угловых перемещений с погрешностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,00025 градуса	9031 49 900 0;
		9031 80 320 0;
		9031 80 340 0;
		9031 80 910 0
	Примечание.
	Пункт 2.2.6.2.2 не применяется к оптическим приборам, таким как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;
2.2.6.3.	Оборудование для измерения чистоты поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше)	9031 49 900 0
	Примечание.
	Пункт 2.2.6 включает станки, отличные от определенных в пункте 2.2.1, которые могут быть использованы в качестве измерительных машин, если их параметры соответствуют критериям, определенным для параметров измерительных машин, или превосходят их
2.2.7.	Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы:	8479 50 000 0;
	а) способность в реальном масштабе времени осуществлять полную трехмерную обработку изображений или полный трехмерный анализ сцены с генерированием или модификацией программ либо с генерированием или модификацией данных для числового программного управления	8537 10 100 0;
	Техническое примечание.	8537 10 910 9;
	Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D);	8537 10 990 0
	б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами, которые могут быть использованы в военных целях
	Примечание.
	Подпункт "б" пункта 2.2.7 не применяется к роботам, специально разработанным для применения в камерах для окраски распылением;
	в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более Гр (по кремнию) [ рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или
	г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м
2.2.8.	Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или системы для контроля или измерения размеров:
2.2.8.1.	Линейные измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность менее (лучше) нм (L - эффективная длина в миллиметрах)	9031
	Особое примечание.
	Для лазерных систем см. также подпункты "в" и "г" пункта 2.2.6.2.1;
2.2.8.2.	Угловые измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность менее (лучше) 0,00025 градуса	9031
	Особое примечание.
	Для лазерных систем см. также пункт 2.2.6.2.2;
2.2.8.3.	Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, применение которых в соответствии с техническими характеристиками изготовителя может модифицировать станки до уровня, определенного в пункте 2.2, или выше	8466
2.2.9.	Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики:	8462 21 100;
	а) две или более контролируемые оси, по крайней мере две из которых могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и	8462 21 800;
	б) усилие на валке/ролике более 60 кН	8463 90 000 0
	Техническое примечание.
	Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к гибочным станкам
2.3.	Материалы - нет
2.4.	Программное обеспечение
2.4.1.	Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 2.4.2, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2
	Особое примечание.
	В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2
2.4.2.	Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления
	Примечания:
	1. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для работы станков, не определенных в категории 2.
	2. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению для изделий, определенных в пункте 2.2.2. Для такого программного обеспечения см. пункт 2.4.1
2.5.	Технология
2.5.1.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, оборудования, определенного в пункте 2.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 2.4
2.5.2.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2
	Особое примечание.
	В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2
2.5.3.	Иные нижеследующие технологии:
2.5.3.1.	Технологии разработки интерактивной графики как встроенной части блока числового программного управления для подготовки или модификации программ обработки деталей;
2.5.3.2.	Технологии производственных процессов металлообработки:
2.5.3.2.1.	Технологии проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов:
	а) формообразования в условиях сверхпластичности;
	б) диффузионной сварки; или
	в) гидравлического прессования прямого действия;
2.5.3.2.2.	Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры:
	а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов:
	подготовка поверхности;
	скорость деформации;
	температура;
	давление;
	б) для диффузионной сварки титановых сплавов или суперсплавов:
	подготовка поверхности;
	температура;
	давление;
	в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов:
	давление;
	время цикла;
	г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов:
	температура;
	давление;
	время цикла;
2.5.3.3.	Технологии разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;
2.5.3.4.	Технологии разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления;
2.5.3.5.	Технологии разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;
2.5.3.6.	Технологии нанесения наружных слоев неорганических покрытий, в том числе для модификации поверхностей, определенных в колонке "Получаемое покрытие" таблицы к настоящему пункту, на подложки для неэлектронных приборов/компонентов, определенные в колонке "Подложки" указанной таблицы, с использованием процессов, определенных в колонке "Процесс нанесения покрытия" этой же таблицы и описанных в технических примечаниях к ней
	Особое примечание.
	Нижеприведенная таблица к пункту 2.5.3.6. должна рассматриваться для определения технологии конкретного процесса нанесения покрытия, только когда относящееся к этому процессу получаемое покрытие находится в абзаце таблицы, расположенном напротив выбранной подложки.
	Например, технические характеристики процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD) (колонка таблицы "Процесс нанесения покрытия") включают нанесение силицидов (колонка таблицы "Получаемое покрытие") на подложки из углерод-углерода, композиционных материалов с керамической или металлической матрицей (колонка таблицы "Подложки"), но не включают их нанесение на подложки из металлокерамического карбида вольфрама (16), карбида кремния (18), так как во втором случае покрытие из силицидов не перечислено в абзаце колонки "Получаемое покрытие", расположенном непосредственно напротив абзаца соответствующего перечня колонки "Подложки" (металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

Таблица к пункту 2.5.3.6
Технические приемы нанесения покрытий

<*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.

Примечания к таблице:

1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий.

2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов.

3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия.

4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.

5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где M обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, X - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;

б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;

в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.

6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 °C).

7. Термин "коррозионностойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта.

8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.

9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.

10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.

11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны.

12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются.

13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 °C).

14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20 °C) коэффициент линейного расширения или менее.

15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. "Диэлектрический слой" - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев в структуре диэлектрик - металл.

16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель.

17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы.

18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.

19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, так и в сочетании с другими компонентами.

Технические примечания к таблице:

Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера.

Особые примечания:

а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;

б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;

в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении.

2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.

Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.

Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:

а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;

б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;

в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и который имеет дуговой разряд, инициирующийся на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку.

Особое примечание.

Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку;

д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.

3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:

а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.

Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 °C) до 1375 К (1102 °C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия.

4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую плазму и управляющую ею, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости.

Особые примечания:

а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 °C) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.

5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия.

6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку.

Особые примечания:

а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;

б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).

7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.

Некоторые пояснения к таблице.

Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:

1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:

1.1.1. Состав раствора:

1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;

1.1.2. Время обработки;

1.1.3. Температура ванны;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;

1.3. Параметры цикла термообработки:

1.3.1. Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав атмосферы;

1.3.1.2. Давление;

1.3.2. Температура термообработки;

1.3.3. Время термообработки;

1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:

1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:

1.4.1.1. Состав крошки, дроби;

1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;

1.4.1.3. Скорость крошки;

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;

1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;

1.5. Параметры маски:

1.5.1. Материал маски;

1.5.2. Расположение маски.

2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:

2.1. Параметры атмосферы:

2.1.1. Состав;

2.1.2. Давление;

2.2. Время;

2.3. Температура;

2.4. Толщина;

2.5. Коэффициент преломления;

2.6. Контроль состава покрытия.

3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:

3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость дроби;

3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;

3.3. Параметры цикла термообработки:

3.3.1. Параметры атмосферы:

3.3.1.1. Состав;

3.3.1.2. Давление;

3.3.2. Температура и время цикла;

3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки.

4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:

4.1. Критерии для статистической выборки;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1. Увеличения;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности;

4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):

4.3.1. Коэффициент отражения;

4.3.2. Коэффициент пропускания;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние.

5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:

5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):

5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;

5.1.2. Состав газа-носителя;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температура - время - давление циклов;

5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;

5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:

5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав газа-реагента;

5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;

5.2.5. Температура - время - давление циклов;

5.2.6. Управление пучком и подложкой;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1. Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:

5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;

5.3.2. Состав газа-носителя;

5.3.3. Температура - время - давление циклов;

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.4.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;

5.5. Для осаждения распылением:

5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;

5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;

5.5.3. Состав газа-реагента;

5.5.4. Напряжение смещения;

5.5.5. Температура - время - давление циклов;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Управление деталью (подложкой);

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1. Управление пучком и подложкой;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температура - время - давление циклов;

5.7. Для ионного осаждения:

5.7.1. Управление пучком и подложкой;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температура - время - давление циклов;

5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.

N пункта	Наименование	Код ТН ВЭД
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1.	Системы, оборудование и компоненты
	Примечания:
	1. Контрольный статус оборудования и компонентов, описанных в пункте 3.1, других, нежели описаны в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.10, и которые специально разработаны для другого оборудования или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования.
	2. Контрольный статус интегральных схем, описанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 или пункте 3.1.1.1.10, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения определенных функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования.
	Особое примечание.
	В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус для интегральных схем определяется в соответствии с отдельными пунктами 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 или пунктом 3.1.1.1.10
3.1.1.	Электронные компоненты:
3.1.1.1.	Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:
3.1.1.1.1.	Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий:	8542
	а) суммарную дозу или выше;
	б) мощность дозы или выше; или
	в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) н/см2 или более по кремнию или его эквивалент для других материалов
	Примечание.
	Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре);
3.1.1.1.2.	Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны, или неизвестно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик:	8542
	а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (125 °C);
	б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 °C); или
	в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 °C) до 398 К (125 °C)
	Примечание.
	Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным схемам, используемым для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;
3.1.1.1.3.	Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц	8542 31900 1;
		8542 31900 9;
		8542 39 900 9
	Примечание.
	Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;
3.1.1.1.4.	Следующие интегральные схемы аналого-цифровых преобразователей (АЦП) и цифроаналоговых преобразователей (ЦАП):	8542 31 900 3;
	а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:	8542 31 900 9;
	разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду;	8542 39 900 5;
	разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 300 млн. слов в секунду;	8542 39 900 9
	разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду;
	разрешающую способность более 12 бит, но равную 14 бит или меньше, со скоростью на выходе более 125 млн. слов в секунду; или
	разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 20 млн. слов в секунду
	Технические примечания:
	1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.
	2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности АЦП.
	3. Скоростью на выходе является максимальная скорость на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации.
	4. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и скоростью на выходе является максимальная скорость на выходе любого канала.
	5. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, выходные сигналы объединяются и скоростью на выходе является максимальная объединенная общая скорость на выходе всех выходных сигналов.
	6. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с).
	7. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду.
	8. Многоканальные АЦП определяются как устройства, которые объединяют более одного АЦП, разработанные так, чтобы каждый АЦП имел отдельный аналоговый вход.
	9. АЦП с временным разделением каналов определяются как устройства, имеющие блоки с многоканальными АЦП, которые производят выборку одного и того же аналогового входного сигнала в различное время таким образом, чтобы при объединении выходных сигналов осуществлялись эффективный выбор аналогового входного сигнала и его преобразование на более высокую скорость выборки;
	б) цифроаналоговые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:
	1) разрешающую способность 10 бит или более с приведенной скоростью обновления 3,5 миллиарда выборок в секунду или более; или
	2) разрешающую способность 12 бит или более с приведенной скоростью обновления, равной 1,25 миллиарда выборок в секунду или более, и имеющие любое из следующего:
	время установления сигнала менее 9 нс с точностью 0,024% полной шкалы от шага полной шкалы; или
	динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) более 68 дБнч (несущая частота) при синтезировании аналогового сигнала полной шкалы в 100 МГц или наивысшей частоты аналогового сигнала полной шкалы, определенной ниже 100 МГц
	Технические примечания:
	1. Динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) определяется как отношение среднеквадратичного значения несущей частоты (максимального компонента сигнала) на входе ЦАП к среднеквадратичному значению следующего наибольшего компонента шума или гармонического искажения сигнала на его выходе.
	2. SFDR определяется непосредственно из справочных таблиц или графиков зависимости характеристик SFDR от частоты.
	3. Сигнал определяется как сигнал полной шкалы, когда его амплитуда более - 3 дБпш (полная шкала).
	4. Приведенная скорость обновления для ЦАП:
	а) для обычных (неинтерполирующих) ЦАП приведенная скорость обновления - скорость, на которой цифровой сигнал преобразуется в аналоговый сигнал при помощи ЦАП. ЦАП, в которых интерполяционный режим может быть обойден (коэффициент интерполяции 1), следует рассматривать как обычные (неинтерполирующие) ЦАП;
	б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с избыточной дискретизацией) приведенная скорость обновления определяется как скорость обновления ЦАП, деленная на наименьший коэффициент интерполяции. Для интерполирующих ЦАП приведенная скорость обновления может выражаться по-разному, в том числе как:
	скорость ввода данных;
	скорость ввода слов;
	скорость ввода выборок;
	максимальная общая скорость пропускания шины;
	максимальная тактовая частота ЦАП для входного тактового сигнала ЦАП;
3.1.1.1.5.	Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие:	8542
	а) один внутренний лазерный диод или более;
	б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и
	в) световоды;
3.1.1.1.6.	Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик:	8542 39 900 5
	а) максимальное количество цифровых входов/выходов более 200; или
	б) количество логических элементов (вентилей) в системе более 230 000
	Примечание.
	Пункт 3.1.1.1.6 включает:
	простые программируемые логические устройства (ППЛУ);
	сложные программируемые логические устройства (СПЛУ);
	программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ);
	программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ);
	программируемые пользователем межсоединения (ППМС)
	Технические примечания:
	1. Программируемые пользователем логические устройства известны также как программируемые пользователем логические элементы (вентили) или программируемые пользователем логические матрицы.
	2. Максимальное количество цифровых входов/выходов, определенное в подпункте "а" пункта 3.1.1.1.6, называется также максимальным количеством пользовательских входов/выходов или максимальным количеством доступных входов/выходов, независимо от того, является ли интегральная схема заключенной в корпус или бескорпусным кристаллом;
3.1.1.1.7.	Интегральные схемы для нейронных сетей;	8542
3.1.1.1.8.	Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю неизвестен статус контроля аппаратуры, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик:	8542 31 900 3;
	а) более 1500 выводов;	8542 31 900 9;
	б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,02 нс; или	8542 39 900 5;
	в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;	8542 39 900 9
3.1.1.1.9.	Цифровые интегральные схемы, иные, нежели описанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и пункте 3.1.1.1.10, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего:	8542
	а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или
	б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;
3.1.1.1.10.	Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее	8542 31 900 1;
	мс, где N - количество точек	8542 31 900 9;
		8542 39 900 9
	Техническое примечание.
	В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.10 дает результат времени выполнения 500 мкс
	Примечания:
	1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1.
	2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:
	монолитные интегральные схемы;
	гибридные интегральные схемы;
	многокристальные интегральные схемы;
	пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";
	оптические интегральные схемы;
3.1.1.2.	Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона:
3.1.1.2.1.	Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:
3.1.1.2.1.1.	Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия:	8540 79 000 0
	а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;
	б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;
	в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
	г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:
	мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;
	мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или
	пригодные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2.	Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ;	8540 71 000 0
3.1.1.2.1.3.	Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/см2	8540 99 000 0
	Примечания:
	1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
	а) частота не превышает 31,8 ГГц; и
	б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.
	2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, непригодным для применения в космосе и имеющим все следующие характеристики:
	а) среднюю выходную мощность, равную или меньше 50 Вт; и
	б) разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
	частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и
	диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
3.1.1.2.2.	Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:	8542 31 900 3;
	а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 15%;	8542 33 000;
	б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%;	8542 39 900 5;
	в) определенные изготовителем для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%;	8543 90 000 1
	г) определенные изготовителем для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт;
	д) определенные изготовителем для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%; или
	е) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт
	Примечания:
	1. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности.
	2. Примечания 1 и 2 к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например, для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей;
3.1.1.2.3.	Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:	8541 21 000 0;
	а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);	8541 29 000 0
	б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);
	в) определенные изготовителем для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);
	г) определенные изготовителем для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или
	д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и имеющие среднюю выходную мощность более 0,1 нВт
	Примечание.
	Контрольный статус транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;
3.1.1.2.4.	Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик:	8543 70 900 9
	а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 15%;
	б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%;
	в) определенные изготовителем для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт;
	г) определенные изготовителем для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%;
	д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт; или
	е) определенные изготовителем для работы на частотах выше 3,2 ГГц и имеющие все следующее:
	среднюю выходную мощность P (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: или в единицах размерности ;
	относительную ширину полосы частот 5% или более; и
	любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см·ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: или в единицах размерности
	Техническое примечание.
	Для усилителей, имеющих номинальный рабочий диапазон частот, простирающийся в сторону уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в формуле последнего абзаца подпункта е пункта 3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты f (ГГц) следует применять равным 3,2 ГГц, то есть: или в единицах размерности
	Особое примечание.
	Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2
	Примечание.
	Контрольный статус изделий, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;
3.1.1.2.5.	Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик:	8543 70 900 9
	а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или
	б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;
3.1.1.2.6.	Преобразователи и смесители на гармониках, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, описанной в пункте 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 или 3.1.2.5, сверх пороговых значений, установленных в этих пунктах;	8543 70 900 9
3.1.1.2.7.	Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики:	8543 70 900 9
	а) рабочие частоты выше 3 ГГц;
	б) среднюю выходную мощность по отношению к массе, превышающую 80 Вт/кг; и
	в) объем менее 400 см3
	Примечание.
	Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или определенной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
3.1.1.2.8.	Микроволновые модули питания (ММП), содержащие, по крайней мере, лампу бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики:	8540 79 000 0;
	а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с;	8542 31 900 3;
	б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 см3/Вт; и	8543 70 900 9;
	в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы () и любое из следующего:	8543 90 000 1
	для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или
	частоту выше 18 ГГц
	Технические примечания:
	1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности ММП.
	2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема ММП.
	Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как . Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом ММП;
3.1.1.2.9.	Гетеродины или сборки гетеродинов, разработанные для работы со всем нижеследующим:	8543 20 000 0
	а) фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах для 10 Гц F 10 кГц; и
	б) фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах для 10 кГц F 500 кГц
	Техническое примечание.
	В пункте 3.1.1.2.9 F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц;
3.1.1.2.10.	Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты, определенное любым из следующего:	8543 20 000 0
	а) менее 312 пс;
	б) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц;
	в) менее 250 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;
	г) менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц;
	д) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот, превышающего 43,5 ГГц
	Особое примечание.
	Для анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров общего назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно;

3.1.1.3.	Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:
3.1.1.3.1.	Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое, имеющие любую из следующих характеристик:	8541 60 000 0
	а) несущую частоту выше 6 ГГц;
	б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из следующих характеристик:
	частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 65 дБ;
	произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
	ширину полосы частот выше 250 МГц; или
	дисперсионную задержку более 10 мкс; или
	в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и имеющие любую из следующих характеристик:
	произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
	дисперсионную задержку более 10 мкс; или
	частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 65 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц
	Техническое примечание.
	Частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности - максимальная величина подавления, определенная в перечне технических характеристик (проспекте изделия);
3.1.1.3.2.	Приборы на объемных акустических волнах, обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц;	8541 60 000 0
3.1.1.3.3.	Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку	8541 60 000 0
	Примечание.
	Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на акустических волнах, ограниченным пропусканием сигнала через однополосный фильтр, фильтр низких или верхних частот или узкополосный режекторный фильтр или функцией резонирования;
3.1.1.4.	Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанные для работы при температурах	8540;
	ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, и имеющие любое из следующего:	8541;
	а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее Дж; или	8542;
	б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;	8543
3.1.1.5.	Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:
3.1.1.5.1.	Элементы:
3.1.1.5.1.1.	Первичные элементы с плотностью энергии, превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C;	8506
3.1.1.5.1.2.	Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 250 Вт·ч/кг при температуре 20 °C	8507
	Технические примечания:
	1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в ампер-часах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах.
	2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи.
	3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии.
	4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии
	Примечание.
	Пункт 3.1.1.5.1 не применяется к батареям, включая батареи, содержащие один элемент;
3.1.1.5.2.	Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:
3.1.1.5.2.1.	Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:	8506;
	а) номинальное напряжение 5 кВ или более;	8507;
	б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и	8532
	в) полную энергию 25 кДж или более;
3.1.1.5.2.2.	Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:	8506;
	а) номинальное напряжение 5 кВ или более;	8507;
	б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;	8532
	в) полную энергию 100 Дж или более; и
	г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более;
3.1.1.5.3.	Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все следующие характеристики:	8504 50;
	а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;	8505 90 100 0
	б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и
	в) номинальную магнитную индукцию более 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/мм2
	Примечание.
	Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к сверхпроводящим электромагнитам или соленоидам, специально разработанным для медицинской аппаратуры отображения магнитного резонанса (аппаратуры магниторезонансной томографии);
3.1.1.5.4.	Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20% при рабочей температуре 301 К (28 °C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/м2 при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО)	8541 40 900
	Техническое примечание.
	АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равном одной астрономической единице (АЕ);
3.1.1.6.	Преобразователи абсолютного углового положения вала, имеющие точность на входе в код, равную ± 1,0 угловая секунда или меньше (лучше);	9031 80 320 0;
		9031 80 340 0
3.1.1.7.	Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик:	8536 50 030 0;
	а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или	8536 50 800 0;
	б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее:	8541 30 000 9
	импульсное напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; и
	максимальный ток в импульсе (ударный ток) более 3000 А
	Примечания:
	1. Пункт 3.1.1.7 включает:
	кремниевые триодные тиристоры;
	электрические триггерные тиристоры;
	световые триггерные тиристоры;
	коммутационные тиристоры с интегральными вентилями;
	вентильные запираемые тиристоры;
	управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник);
	солидтроны.
	2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к тиристорным устройствам и тиристорным модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах
	Техническое примечание.
	Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств;
3.1.1.8.	Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или модули, имеющие все следующие характеристики:	8504 40 400 0;
	а) рассчитанные для максимальной рабочей температуры p-n-перехода выше 488 К (215 °C);	8536 50 030 0;
	б) повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (блокирующее напряжение), превышающее 300 В; и	8536 50 050 0;
	в) постоянный ток более 1 А	8536 50 800 0;
		8541 10 000 9;
		8541 21 000 0;
		8541 29 000 0;
		8541 30 000 9;
		8541 50 000 0
	Примечания:
	1. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает напряжение сток - исток, выходное остаточное напряжение, повторяющееся импульсное обратное напряжение и блокирующее импульсное напряжение в закрытом состоянии.
	2. Пункт 3.1.1.8 включает:
	канальные полевые транзисторы с p-n-переходом (JFET);
	канальные полевые транзисторы с вертикальным p-n-переходом (VJFET);
	канальные полевые униполярные транзисторы на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник) (MOSFET);
	канальные полевые двойные диффузные металл-оксид полупроводниковые транзисторы (DMOSFET);
	трехфазные тяговые преобразователи на транзисторных ключах (IGBN);
	транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ-транзисторы) (HMET);
	биполярные плоскостные транзисторы (BJT);
	тиристоры и управляемые кремниевые выпрямители (диоды) (SCR);
	высоковольтные полупроводниковые запираемые тиристоры (GTO);
	тиристоры с эмиттерами включения (ETO);
	регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды);
	диоды Шоттки.
	3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к переключателям, диодам или модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте, в гражданских автомобилях или в гражданских летательных аппаратах
	Техническое примечание.
	Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержит один или несколько твердотельных силовых полупроводниковых переключателей или диодов
3.1.2.	Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения и принадлежности для нее:
3.1.2.1.	Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее:
3.1.2.1.1.	Устройства записи на магнитной ленте показаний аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик:	8519 81 540 1;
	а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку;	8519 81 580;
	б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или	8519 81 900 0;
	в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее ± 0,1 мкс	8519 89 900 0;
		8521 10 200 0;
		8521 10 950 0
	Примечание.
	Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту;
3.1.2.1.2.	Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с	8521 10;
		8521 90 000 9
	Примечание.
	Пункт 3.1.2.1.2 не применяется к цифровым видеомагнитофонам на магнитной ленте, специально разработанным для телевизионной записи, использующим формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике;
3.1.2.1.3.	Устройства записи на магнитной ленте показаний цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик:	8471 70 800 0;
	а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или	8521 10
	б) пригодные для применения в космосе
	Примечание.
	Пункт 3.1.2.1.3 не применяется к устройствам записи данных на магнитной ленте, оснащенным электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенным для записи только цифровых данных;
3.1.2.1.4.	Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры;	8521 90 000 9
3.1.2.1.5.	Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики:	8471 90 000 0;
	а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и	8543 70 900 9
	б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более
	Технические примечания:
	1. Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность - произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове.
	2. Непрерывная пропускная способность - наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования;
3.1.2.1.6.	Устройства записи данных цифровой аппаратуры, использующие способ хранения на магнитном диске, имеющие все следующие характеристики:	8471 50 000 0;
	а) скорость преобразования в цифровую форму 100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит или более; и	8471 60;
	б) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более;	8471 70 200 0;
		8471 70 300 0;
		8471 70 500 0;
		8519 81 900 0;
		8519 89 900 0;
		8521 90 000 9;
		8522 90 400 0;
		8522 90 800 0
3.1.2.2.	Анализаторы сигналов радиочастот:
3.1.2.2.1.	Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц в любой точке частотного диапазона выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37,5 ГГц;	9030 84 000 9;
		9030 89 300 0
3.1.2.2.2.	Анализаторы сигналов, имеющие воспроизводимый на дисплее средний уровень шума (ВСУШ) меньше (лучше) -150 дБм/Гц в любой точке частотного диапазона выше 43,5 ГГц, но не превышающего 70 ГГц;	9030 84 000 9;
		9030 89 300 0
3.1.2.2.3.	Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 70 ГГц;	9030 84 000 9;
		9030 89 300 0
3.1.2.2.4.	Динамические анализаторы сигналов с полосой частот в реальном масштабе времени, превышающей 40 МГц	9030 20 200 9,
		9030 32 000 9,
		9030 39 000 9;
		9030 84 000 9;
		9030 89 300 0
	Примечание.
	Пункт 3.1.2.2.2 не применяется к динамическим анализаторам сигналов, использующим только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);
3.1.2.3.	Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутреннего задающего эталонного генератора и имеющие любую из следующих характеристик:	8543 20 000 0
	а) определенные для создания длительности импульса менее 100 нс в любом месте диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 70 ГГц
	Техническое примечание.
	Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.3 длительность импульса определяется как временной интервал между передним фронтом импульса, достигающим 90% от максимума, и задним фронтом импульса, достигающим 10% от максимума;
	б) выходную мощность более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в любом месте диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 70 ГГц;
	в) время переключения частоты, определенное любым из следующего:
	менее 312 пс;
	менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц;
	менее 250 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц,
	в пределах диапазона синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;
	менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц;
	менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 56 ГГц;
	или менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 56 ГГц, но не превышающего 70 ГГц;
	г) при синтезированных частотах выше 3,2 ГГц, но не превышающих 70 ГГц, имеющие все следующее:
	фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах для 10 Гц F 10 кГц; и
	фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах для 10 кГц F 500 кГц; или
	Техническое примечание.
	В подпункте "г" пункта 3.1.2.3 F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц
	д) максимальную синтезированную частоту, превышающую 70 ГГц
	Примечания:
	1. Для целей пункта 3.1.2.3 генераторы сигналов синтезированных частот включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций
	Техническое примечание.
	Генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций обычно определяются частотой выборки (например, Гвыб./с), которая преобразовывается в радиочастотную область посредством коэффициента Найквиста - 2. Так, 1 Гвыб./с произвольных импульсов имеет возможность прямого вывода 500 МГц или при использовании выборки с запасом по частоте дискретизации максимальная возможность прямого вывода пропорционально ниже
	2. Пункт 3.1.2.3 не применяется к аппаратуре, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты;
3.1.2.4.	Схемные анализаторы, имеющие любое из следующего:	9030 40 000 0
	а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц, и выходную мощность, превышающую 31,62 мВт (15дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или
	б) максимальную рабочую частоту, превышающую 70 ГГц;
3.1.2.5.	Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики:	8517 69 390 0
	а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и
	б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;
3.1.2.6.	Атомные эталоны частоты:
3.1.2.6.1.	Пригодные для применения в космосе	8543 20 000 0
	Особое примечание.
	В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.6.1, см. также пункт 3.1.1 раздела 2;
3.1.2.6.2.	Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) в месяц;	8543 20 000 0
3.1.2.6.3.	Рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее:	8543 20 000 0
	а) долговременную стабильность меньше (лучше) в месяц; и
	б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт
3.1.3.	Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты	8419 89 989 0;
		8424 89 000 9;
		8479 89 970 9
3.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование
3.2.1.	Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:
3.2.1.1.	Оборудование, разработанное для эпитаксиального выращивания:
3.2.1.1.1.	Оборудование, обеспечивающее производство слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее ± 2,5% на расстоянии 75 мм или более	8486 10 000 9
	Примечание.
	Пункт 3.2.1.1.1 включает оборудование для эпитаксиального выращивания атомного слоя;
3.2.1.1.2.	Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, определенных в пункте 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных	8486 20 900 9
	Особое примечание.
	В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2;
3.2.1.1.3.	Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников;	8486 10 900 9
3.2.1.2.	Оборудование, разработанное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик:	8486 20 900 9
	а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) более 1 МэВ;
	б) специально разработанное и оптимизированное для работы с энергией пучка (ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ;
	в) имеет возможность непосредственного формирования рисунка; или
	г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала;
3.2.1.3.	Оборудование для сухого анизотропного плазменного травления, разработанное или оптимизированное для создания всего следующего:	8456 90 000 0;
	а) критических размеров 65 нм или менее; и	8486 20 900 2
	б) внутренней неоднородности пластины (подложки), равной или меньше 10% (3 сигма), измеренной, за исключением контура (кромки), равного 2 мм или менее;
3.2.1.4.	Оборудование химического осаждения из паровой фазы с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс:	8419 89 300 0;
		8486 20 900 9
3.2.1.4.1.	Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 65 нм или менее;
3.2.1.4.2.	Оборудование, специально разработанное для систем, определенных в пункте 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 65 нм или менее;
3.2.1.5.	Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральным транспортно-загрузочным устройством для пластин (подложек), имеющие все следующее:	8456 10 00;
	а) средства сопряжения для загрузки и выгрузки пластин (подложек), разработанные для возможности присоединения более двух отличных по функциональным возможностям инструментов для обработки полупроводников, определенных в пунктах 3.2.1.1, 3.2.1.2, 3.2.1.3 или 3.2.1.4; и	8456 90 000 0;
		8479 50 000 0;
		8486 20 900 2;
	б) разработанные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме	8486 20 900 3
	Технические примечания:
	1. Для целей пункта 3.2.1.5 инструменты для обработки полупроводников относятся к инструментам модульной конструкции, которые обеспечивают такие, отличные по функциональности, физические процессы производства полупроводников, как осаждение, травление, ионная имплантация или термообработка.
	2. Для целей пункта 3.2.1.5 многопозиционная обработка пластин (подложек) означает возможность обрабатывать каждую пластину (подложку) с помощью различных инструментов для обработки полупроводников, например, путем передачи каждой пластины (подложки) от первого инструмента ко второму и далее к третьему посредством автоматически загружаемых многокамерных систем с центральным транспортно-загрузочным устройством
	Примечание.
	Пункт 3.2.1.5 не применяется к автоматическим роботизированным системам для загрузки-разгрузки пластин (подложек), специально разработанным для параллельной обработки пластин (подложек);
3.2.1.6.	Оборудование для литографии:
3.2.1.6.1.	Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего:	8443 39 290 0
	а) источник света с длиной волны короче 245 нм; или
	б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 95 нм и менее
	Техническое примечание.
	Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле: , где К фактор = 0,35;
3.2.1.6.2.	Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 95 нм или менее	8443 39;
		8486 20 900
	Примечание.
	Пункт 3.2.1.6.2 включает:
	а) инструментальные средства для микроконтактной литографии;
	б) инструментальные средства для горячего тиснения;
	в) литографические инструментальные средства для нанопечати;
	г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати;
3.2.1.6.3.	Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов или производства полупроводниковых приборов с использованием методов непосредственного формирования рисунка, имеющее все нижеследующее:	8456 10 00;
	а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и	8486 20 900 3;
	б) имеющее любую из следующих характеристик:	8486 40 000 1
	размер пятна менее 0,2 мкм;
	возможность формирования рисунка с размером элементов менее 1 мкм; или
	точность совмещения слоев лучше ± 0,20 мкм (3 сигма);
3.2.1.7.	Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1;	8486 90 900 3
3.2.1.8.	Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем	8486 90 900 3
	Примечание.
	Пункт 3.2.1.8 не применяется к многослойным шаблонам с фазосдвигающим слоем, разработанным для изготовления запоминающих устройств, не определенных в пункте 3.1.1;
3.2.1.9.	Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1	8486 90 900 3

3.2.2.	Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:
3.2.2.1.	Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах выше 31,8 ГГц;	9031 80 380 0
3.2.2.2.	Для испытания микроволновых интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1.2.2	9030;
		9031 20 000 0;
		9031 80 380 0
3.3.	Материалы
3.3.1.	Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:
3.3.1.1.	Кремний (Si);	3818 00 100 0;
		3818 00 900 0
3.3.1.2.	Германий (Ge);	3818 00 900 0
3.3.1.3.	Карбид кремния (SiC); или	3818 00 900 0
3.3.1.4.	Соединения III - V на основе галлия или индия	3818 00 900 0
3.3.2.	Резисты, определенные ниже, а также подложки, покрытые ими:
3.3.2.1.	Позитивные резисты, разработанные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 245 нм;	3824 90 980 9
3.3.2.2.	Все резисты, разработанные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/мм2 или лучше;	3824 90 980 9
3.3.2.3.	Все резисты, разработанные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/мм2 или лучше;	3824 90 980 9
3.3.2.4.	Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силилированные резисты	3824 90 980 9
	Техническое примечание.
	Технология силилирования - процесс, включающий окисление поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления
3.3.2.5.	Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, определенным в пункте 3.2.1.6.2 и использующим процесс термообработки или светоотверждения	3824 90 980 9
3.3.3.	Следующие органо-неорганические соединения:
3.3.3.1.	Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%;	2931 00 950 0
3.3.3.2.	Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999%	2931 00 950 0
	Примечание.
	Пункт 3.3.3 применяется только к соединениям, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы
3.3.4.	Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде	2848 00 000 0;
		2850 00 200 0
	Примечание.
	Пункт 3.3.4 не применяется к гидридам, содержащим 20% или более молей инертных газов или водорода
3.3.5.	Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 100 Ом·м при 20 °C	3818 00 900 0
3.3.6.	Подложки, определенные в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN)	3818 00 900 0
3.4.	Программное обеспечение
3.4.1.	Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, определенного в пунктах 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или 3.2
3.4.2.	Программное обеспечение, специально разработанное для применения оборудования, определенного в пунктах 3.2.1.1 - 3.2.1.6 или 3.2.2
3.4.3.	Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения в целях воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках
	Техническое примечание.
	Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов)
	Примечание.
	Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для разработки полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология
3.4.4.	Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования (систем), определенного в пункте 3.1.3
3.5.	Технология
3.5.1.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования, определенного в пункте 3.1 или 3.2, или материалов, определенных в пункте 3.3
	Примечание.
	Пункт 3.5.1 не применяется к технологиям для:
	а) производства оборудования (систем) или компонентов, определенных в пункте 3.1.3;
	б) разработки или производства интегральных схем, определенных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и имеющих все следующее:
	использующих технологии при разрешении 0,130 мкм или выше (хуже); и
	содержащих многослойные структуры с тремя металлическими слоями или менее
3.5.2.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие по сравнению с теми, которые определены в пункте 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик:
	а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно
	Техническое примечание.
	Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико-логическое устройство;
	б) разработанных для выполнения более двух 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или
	в) разработанных для выполнения более четырех 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов)
	Примечание.
	Подпункт "в" пункта 3.5.2 не применяется к технологиям мультимедийных расширений
	Примечания:
	1. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям разработки или производства ядер микропроцессоров, имеющих все следующее:
	использующих технологии с разрешением 0,130 мкм или выше (хуже); и
	содержащих многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями.
	2. Пункт 3.5.2 включает технологии для процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров
3.5.3.	Прочие технологии разработки или производства:
	а) вакуумных микроэлектронных приборов;
	б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках
	Примечание.
	Подпункт "б" пункта 3.5.3 не применяется к технологиям для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;
	в) сверхпроводящих электронных приборов;
	г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов;
	д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния;
	е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов;
	ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше
КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА
	Примечания:
	1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации).
	2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации)
	Особое примечание.
	Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1.
	3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции изоляции пользователей либо ограничивающие электромагнитную совместимость (ЭМС), должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 2 категории 5 (Защита информации)
4.1.	Системы, оборудование и компоненты
4.1.1.	ЭВМ и сопутствующее оборудование, специально разработанные, чтобы отвечать любому из нижеприведенных условий, а также электронные сборки и специально разработанные компоненты для них:	8471
	а) быть определенными изготовителем для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45 °C) или выше 358 К (85 °C); или
	Примечание.
	Подпункт "а" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских автомобилей, железнодорожных поездов или гражданских летательных аппаратов
	б) быть радиационно стойкими при превышении любого из определенных ниже требований:
	1) общей дозы ;
	2) мощности дозы ; или
	3) сбоя от однократного события ошибок/бит/день
	Примечание.
	Подпункт "б" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских летательных аппаратов
	Особые примечания:
	1. Для ЭВМ и относящегося к ним электронного оборудования, выполняющих или включающих функции по защите информации, см. часть 2 категории 5.
	2. В отношении ЭВМ и сопутствующего оборудования, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2;
4.1.2.	Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, определенные ниже, а также специально разработанные для них компоненты:
	Примечания:
	1. Пункт 4.1.2 включает:
	а) векторные процессоры;
	б) матричные процессоры;
	в) процессоры цифровой обработки сигналов;
	г) логические процессоры;
	д) оборудование для улучшения качества изображения;
	е) оборудование для обработки сигналов.
	2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:
	а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем;
	б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и
	Особые примечания:
	1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента.
	2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации)
	в) технология цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5
4.1.2.1.	Разработанные или модифицированные для обеспечения отказоустойчивости	8471 60;
		8471 70;
		8471 80 000 0;
		8471 90 000 0
	Примечание.
	Для целей пункта 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются разработанными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из следующего:
	а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти;
	б) соединение двух цифровых вычислительных машин такое, что если происходит отказ активного центрального процессора, то холостой зеркальный центральный процессор может продолжить функционирование системы;
	в) соединение двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением разделяемой памяти, для того чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять некоторую работу, пока не откажет другой центральный процессор; тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или
	г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством программного обеспечения так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи, выполнявшиеся отказавшим процессором;
4.1.2.2.	Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 1,5 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ);	8471 60;
		8471 70;
		8471 80 000 0;
		8471 90 000 0
4.1.2.3.	Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, определенное в пункте 4.1.2.2	8471 60;
		8471 70;
		8471 80 000 0;
		8471 90 000 0
	Примечания:
	1. Пункт 4.1.2.3 применяется только к электронным сборкам и программируемым взаимосвязям, не превышающим пределы, определенные в пункте 4.1.2.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок. Он неприменим к электронным сборкам, конструкция которых пригодна только для использования в качестве сопутствующего оборудования, определенного в пункте 4.1.2.4.
	2. Пункт 4.1.2.3 не применяется к электронным сборкам, специально разработанным для отдельных изделий или целого семейства изделий, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, определенные в пункте 4.1.2.2;
4.1.2.4.	Оборудование, выполняющее аналого-цифровые преобразования, превосходящее пределы, определенные в пункте 3.1.1.1.4;	8471 90 000 0;
		8543 90 000 9
4.1.2.5.	Устройства, специально разработанные для получения общей производительности цифровых ЭВМ, объединенных с помощью внешних соединений, которые имеют однонаправленную скорость передачи данных, превышающую 2,0 Гбайт/с на канал	8471 90 000 0;
		8517 61 000 1;
		8517 62 000 1
	Примечание.
	Пункт 4.1.2.5 не применяется к внутренним (например, соединительные платы, шины) или пассивным устройствам связи, контроллерам доступа к сети или контроллерам каналов связи
4.1.3.	ЭВМ, определенные ниже, и специально разработанные сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них:
4.1.3.1.	ЭВМ с систолической матрицей;	8471
4.1.3.2.	Нейронные ЭВМ;	8471
4.1.3.3.	Оптические ЭВМ	8471
4.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет
4.3.	Материалы - нет
4.4.	Программное обеспечение
	Примечание.
	Контрольный статус программного обеспечения для разработки, производства или применения оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории
4.4.1.	Программное обеспечение следующих видов:
4.4.1.1.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно;
4.4.1.2.	Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 4.4.1.1, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства:
	а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,25 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или
	б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.4.1.2
	Особое примечание.
	В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 раздела 2
4.4.2.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, определенной в пункте 4.5
	Особое примечание.
	Для программного обеспечения, выполняющего или включающего функции по защите информации, см. часть 2 категории 5
4.5.	Технология
4.5.1.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно
4.5.2.	Технологии иные, чем определенные в пункте 4.5.1, специально разработанные или модифицированные для разработки или производства:
	а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,25 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или
	б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.5.2
	Особое примечание.
	В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 раздела 2

Техническое примечание по определению приведенной пиковой производительности (ППП).

ППП - приведенная пиковая скорость, на которой цифровые ЭВМ выполняют 64-разрядные или более операции сложения и умножения с плавающей запятой.

Сокращения, используемые в настоящем техническом примечании:

n - количество процессоров в цифровой ЭВМ

i - номер процессора (i, ... n)

- время цикла процессора ()

- частота процессора

- пиковая скорость вычисления с плавающей запятой

- коэффициент согласования с архитектурой.

ППП выражается во взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) - триллионах () приведенных операций с плавающей запятой в секунду.

Схема способа вычисления ППП:

1. Для каждого процессора i определяется максимальное количество 64-разрядных или более операций с плавающей запятой (), выполняемых за цикл каждым процессором цифровой ЭВМ.

Примечание.

При определении ОПЗ учитываются только 64-разрядные или более операции сложения и (или) умножения с плавающей запятой за цикл процессора. Операции, требующие многочисленных циклов, могут быть выражены в дробных результатах за цикл процессора. Для процессоров, неспособных выполнять вычисления с 64-разрядными или более операциями с плавающей запятой, эффективная скорость вычисления R равна нулю.

2. Вычисляется скорость с плавающей запятой R для каждого процессора:

.

3. Вычисляется ППП следующим образом:

.

4. Для векторных процессоров - = 0,9, для невекторных процессоров - = 0,3.

Примечания:

1. Для процессоров, которые выполняют составные операции в цикле, такие как сложение и умножение, считается каждая операция.

2. Для конвейерного процессора эффективная скорость вычисления R выше конвейерной скорости при загруженном конвейере или неконвейерной скорости.

3. Скорость вычисления R каждого содействующего процессора должна быть рассчитана по его максимальной теоретически возможной величине перед определением ППП всей комбинации процессоров. Одновременные операции считаются таковыми, когда производитель ЭВМ заявляет в руководстве пользователя или документации к ЭВМ о совпадающих, параллельных или одновременных операциях или процессах исполнения процессором команд программы.

4. При вычислении ППП не учитываются процессоры, ограниченные входными/выходными и периферийными функциями (например, дисководы, устройства связи и мониторы).

5. Значения ППП не следует вычислять для комбинаций процессоров, объединенных локальными сетями, глобальными сетями, совместно используемыми соединениями/устройствами ввода/вывода, контроллерами ввода/вывода и любыми коммуникационными соединениями, осуществляемыми при помощи программного обеспечения.

6. Значения ППП должны вычисляться для:

а) комбинаций процессоров, содержащих специально разработанные процессоры для повышения производительности путем объединения, одновременно работающей и совместно используемой памяти; или

б) многочисленных комбинаций память/процессор, работающих одновременно с использованием специально разработанных аппаратных средств.

7. Векторный процессор определяется как процессор со встроенными командами, который выполняет многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 64-разрядными и более массивами) одновременно, имеющий по крайней мере два векторных функциональных устройства и восемь регистров для хранения векторов емкостью по крайней мере 64 элемента каждый.

N пункта	Наименование	Код ТН ВЭД
КАТЕГОРИЯ 5
Часть 1. Телекоммуникации
	Примечания:
	1. В части 1 категории 5 определяется контрольный статус компонентов, испытательного и производственного оборудования, а также программного обеспечения для них, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем
	Особые примечания:
	1. Для лазеров, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем, см. пункт 6.1.5.
	2. Для оборудования, компонентов и программного обеспечения, включающих функции защиты информации, см. также часть 2 категории 5
	2. В тех случаях, когда для функционирования или поддержки телекоммуникационного оборудования, описанного в этой категории, и его обеспечения важное значение имеют цифровые ЭВМ, сопутствующее оборудование или программное обеспечение, последние рассматриваются в качестве специально разработанных компонентов при условии, что они являются стандартными моделями, обычно поставляемыми производителем. Это относится к компьютерным системам, реализующим функции управления, сетевого администрирования, технического обслуживания, проектирования или прогнозирования трафика
5.1.1.	Системы, оборудование и компоненты (телекоммуникационные системы, оборудование (аппаратура), компоненты и принадлежности, определенные ниже)
5.1.1.1.	Телекоммуникационное оборудование любого типа, имеющее любую из следующих характеристик, функций или возможностей:
5.1.1.1.1.	Специально разработанное для сохранения работоспособности при кратковременных электронных воздействиях или воздействиях электромагнитных импульсов, возникающих при ядерном взрыве;	8517 12 000 0;
		8517 61 000 9;
		8517 69 390 0;
		8525 60 000 0;
		8543 70 900 9
5.1.1.1.2.	Специально повышенную стойкость к гамма-, нейтронному или ионному излучению; или	8517 12 000 0;
		8517 61 000 9;
		8517 69 390 0;
		8525 60 000 0;
		8543 70 900 9
5.1.1.1.3.	Специально разработанное для функционирования за пределами диапазона температур от 218 К (-55 °C) до 397 К (124 °C)	8517 12 000 0;
		8517 61 000 9;
		8517 69 390 0;
		8525 60 000 0;
		8543 70 900 9
	Примечание.
	Пункт 5.1.1.1.3 применяется только к электронному оборудованию
	Примечание.
	Пункты 5.1.1.1.2 и 5.1.1.1.3 не применяются к оборудованию, разработанному или модифицированному для использования на борту спутников
5.1.1.2.	Телекоммуникационные системы и оборудование, а также специально разработанные для них компоненты и принадлежности, имеющие любую из следующих характеристик, функций или возможностей:
5.1.1.2.1.	Являющиеся системами подводной беспроводной связи, имеющими любую из следующих характеристик:	9014 80 000 0;
	а) акустическую несущую частоту за пределами интервала от 20 кГц до 60 кГц;	9015 80 910 0
	б) использующими электромагнитную несущую частоту ниже 30 кГц; или
	в) использующими электронное управление положением главного лепестка (диаграммы направленности антенны); или
	г) использующими в локальной сети лазеры или светоизлучающие диоды (СИД) с выходной длиной волны более 400 нм, но менее 700 нм;
5.1.1.2.2.	Являющиеся радиоаппаратурой, работающей в диапазоне частот 1,5 МГц - 87,5 МГц и имеющей все следующие характеристики:	8517 12 000 0;
	а) возможность автоматически прогнозировать и выбирать частоты и общие скорости цифровой передачи в канале для оптимизации передачи полезного сигнала; и	8517 61 000 9;
	б) встроенный линейный усилитель мощности, способный одновременно пропускать множество сигналов с выходной мощностью 1 кВт или более в диапазоне частот от 1,5 МГц до 30 МГц или 250 Вт или более в диапазоне частот от 30 МГц до 87,5 МГц включительно на мгновенной ширине полосы частот в одну октаву или более и с гармониками и искажениями на выходе лучше - 80 дБ;	8525 60 000 0
5.1.1.2.3.	Являющиеся радиоаппаратурой, использующей методы расширения спектра, включая метод скачкообразной перестройки частоты, не определенной в пункте 5.1.1.2.4, имеющей любую из следующих характеристик:	8517 12 000 0;
	а) коды расширения, программируемые пользователем; или	8517 61 000 9;
	б) общую ширину передаваемой полосы частот выше 50 кГц, при этом она в 100 или более раз превышает ширину полосы частот любого единичного информационного канала	8525 60 000 0
	Примечание. Подпункт "б" пункта 5.1.1.2.3 не применяется к радиоаппаратуре, специально разработанной для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи
	Примечание.
	Пункт 5.1.1.2.3 не применяется к аппаратуре, разработанной для эксплуатации с выходной мощностью 1,0 Вт или менее
	Особое примечание.
	В отношении радиоаппаратуры, указанной в пункте 5.1.1.2.3, см. также пункт 5.1.1.1.1 раздела 2;
5.1.1.2.4.	Являющиеся радиоаппаратурой, использующей технику сверхширокополосной модуляции, имеющей программируемые пользователем коды формирования каналов, коды шифрования или коды опознавания сети, имеющей любую из следующих характеристик:	8517 12 000 0;
	а) ширину полосы частот, превышающую 500 МГц; или	8517 61 000 9;
	б) относительную ширину полосы частот 20% или более;	8525 60 000 0
5.1.1.2.5.	Являющиеся радиоприемными устройствами с цифровым управлением, имеющими все следующие характеристики:	8257
	а) более 1000 каналов;
	б) время переключения частоты менее 1 мс;
	в) автоматический поиск или сканирование в части спектра электромагнитных волн; и
	г) возможность идентификации принятого сигнала или типа передатчика; или
	Примечание.
	Пункт 5.1.1.2.5 не применяется к устройствам, специально разработанным для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи
	Особое примечание.
	В отношении радиоприемных устройств, указанных в пункте 5.1.1.2.5, см. также пункт 5.1.1.1.2 раздела 2 и пункт 5.1.1.1 раздела 3
5.1.1.2.6.	Использующие функции цифровой обработки сигнала на выходном устройстве для обеспечения кодирования речи со скоростью менее 2400 бит/с	8517 12 000 0;
		8517 61 000 9;
		8525 60 000 0
	Технические примечания:
	1. Пункт 5.1.1.2.6 применяется при наличии выходного устройства для кодирования речевых сигналов связной речи с изменяющейся скоростью.
	2. Для целей пункта 5.1.1.2.6 "кодирование речи" определяется как техника взятия образцов человеческого голоса с последующим преобразованием этих образцов в цифровой сигнал с учетом специфических параметров человеческой речи
5.1.1.3.	Оптические волокна длиной более 500 м и определенные производителем как способные выдерживать при контрольном испытании растягивающее напряжение Н/м2 или более	8544 70 000 0;
		9001 10 900
	Техническое примечание.
	Контрольное испытание - отборочное испытание в режиме онлайн (встроенное в технологическую цепочку получения волокна) или проводимое отдельно, которое заключается в приложении заданного растягивающего напряжения к движущемуся со скоростью от 2 м/с до 5 м/с волокну на участке длиной от 0,5 м до 3 м между натяжными барабанами диаметром около 150 мм. Испытания могут проводиться по соответствующим национальным стандартам при температуре окружающей среды 293 К (20 °C) и относительной влажности 40%
	Особое примечание.
	Для подводных составных кабелей см. пункт 8.1.2.1.3;
5.1.1.4.	Фазированные антенные решетки с электронным управлением диаграммой направленности, функционирующие на частотах, превышающих 31,8 ГГц	8529 10 900 0
	Примечание.
	Пункт 5.1.1.4 не применяется к фазированным антенным решеткам с электронным управлением диаграммой направленности для систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам Международной организации гражданской авиации (ИКАО), перекрывающим системы посадки СВЧ-диапазона (MLS)
5.1.1.5.	Оборудование радиопеленгации, работающее на частотах выше 30 МГц и имеющее все следующие характеристики, и специально разработанные для него компоненты:	8517 61 000 9;
	а) мгновенную ширину полосы частот, равную 10 МГц или выше; и	8526 91 200 0
	б) способное находить азимутальное направление (АН) к невзаимодействующим радиопередатчикам с длительностью сигнала менее 1 мс
5.1.1.6.	Оборудование подавления сигналов, специально разработанное или модифицированное для умышленного и избирательного вмешательства в работу мобильной дистанционной связи, ее прерывания, подавления, ухудшения или сбоя и выполняющее любое из нижеследующего, и специально разработанные для него компоненты:	8525 60 000 0;
	а) имитирующее функции оборудования сети радиосвязи с абонентами;	8526 10 000 9
	б) обнаруживающее и использующее специфические характеристики применяемого протокола мобильной сети (например, GSM); или
	в) использующее специфические характеристики применяемого протокола мобильной сети (например, GSM)
5.1.1.7.	Системы или оборудование пассивной когерентной локации, специально разработанные для обнаружения движущихся объектов и слежения за ними путем измерения отражений фоновых радиочастотных излучений, подаваемых передатчиками связи без радиолокационных средств	8526 10 000 9
	Техническое примечание.
	Передатчики связи без радиолокационных средств могут включать базовые коммерческие радио-, телевизионные станции или станции сотовых телефонов
	Примечание.
	Пункт 5.1.1.7 не применяется к любому из следующего:
	а) радиоастрономическому оборудованию; или
	б) системам или оборудованию, которым требуется какой-либо радиосигнал от движущегося объекта
5.1.1.8.	Радиочастотное (RF) передающее оборудование, разработанное или модифицированное для преждевременного приведения в действие самодельных взрывных устройств или предотвращения их инициирования	8517 62 000 9;
		8517 69 900 0;
		8526 10 000 9
	Особое примечание.
	См. также пункт 5.1.1.6
5.2.1.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование (телекоммуникационное испытательное, контрольное и производственное оборудование (аппаратура), компоненты и принадлежности, определенные ниже)
5.2.1.1.	Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально разработанные для разработки, производства или применения оборудования, функций или возможностей, определенных в пункте 5.1.1
	Примечание.
	Пункт 5.2.1.1 не применяется к оборудованию определения параметров оптического волокна
	Особое примечание.
	В отношении оборудования и компонентов или принадлежностей для него, указанных в пункте 5.2.1.1, см. также пункт 5.2.1.1 раздела 2
5.2.1.2.	Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально разработанные для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего или коммутационного оборудования:
5.2.1.2.1.	Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:
	а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;
	б) производящего оптическое усиление с применением оптико-волоконных усилителей на легированном празеодимием фторидном стекле;
	в) использующего технику когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (именуемую также техникой оптического гетеродинирования или оптического синхронного детектирования); или
	г) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц
	Примечание.
	Подпункт "г" пункта 5.2.1.2.1 не применяется к оборудованию, специально разработанному для разработки систем коммерческого телевидения;
5.2.1.2.2.	Радиоаппаратуры, использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 256; или
5.2.1.2.3.	Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую в несвязанном режиме работы
5.3.1.	Материалы - нет
5.4.1.	Программное обеспечение
5.4.1.1.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, функций или возможностей, определенных в пункте 5.1.1
	Особое примечание.
	В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.1, см. также пункт 5.4.1.1 разделов 2 и 3
5.4.1.2.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обслуживания технологий, определенных в пункте 5.5.1
	Особое примечание.
	В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.2, см. также пункт 5.4.1.2 раздела 2
5.4.1.3.	Специальное программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или возможностей оборудования, определенного в пункте 5.1.1 или 5.2.1
5.4.1.4.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего или коммутационного оборудования:
5.4.1.4.1.	Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:
	а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; или
	б) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц; или
	Примечание.
	Подпункт "б" пункта 5.4.1.4.1 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для разработки систем коммерческого телевидения
5.4.1.4.2.	Радиоаппаратуры, использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 256
5.5.1.	Технология
5.5.1.1.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения (исключая эксплуатацию) оборудования или его функциональных возможностей, определенных в пункте 5.1.1, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.1.1
	Особое примечание.
	В отношении технологий, указанных в пункте 5.5.1.1, см. также пункт 5.5.1.1 разделов 2 и 3
5.5.1.2.	Специальные технологии следующих видов:
5.5.1.2.1.	Технология разработки или производства телекоммуникационного оборудования, специально разработанного для использования на борту спутников;
5.5.1.2.2.	Технология разработки или применения техники лазерной связи со способностью автоматического захвата и удержания сигнала и поддержания связи через внеатмосферную или подземную (подводную) передающую среду;
5.5.1.2.3.	Технология разработки приемной аппаратуры цифровых базовых сотовых радиостанций, приемные параметры которых, допускающие многодиапазонный, многоканальный, многомодовый, многокодируемый алгоритм или многопротокольную работу, могут быть модифицированы изменениями в программном обеспечении;
5.5.1.2.4.	Технология разработки аппаратуры, использующей методы расширения спектра, включая методы скачкообразной перестройки частоты
	Примечание.
	Пункт 5.5.1.2.4 не применяется к технологиям разработки гражданских сотовых радиокоммуникационных систем
5.5.1.3.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства любого из следующего телекоммуникационного оборудования (аппаратуры), в том числе коммутационного:
5.5.1.3.1.	Оборудования, использующего цифровую технику, разработанную для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 50 Гбит/с
	Техническое примечание.
	Для телекоммуникационного коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи - однонаправленная скорость одного интерфейса, измеренная по самой высокой скорости порта или линии;
5.5.1.3.2.	Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:
	а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;
	б) производящего оптическое усиление с применением оптико-волоконных усилителей на легированном празеодимием фторидном стекле;
	в) использующего технику когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (именуемую также техникой оптического гетеродинирования или оптического синхронного детектирования);
	г) использующего при распределении длин волн технику мультиплексирования оптических несущих частот с интервалом менее 100 ГГц; или
	д) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц
	Примечание.
	Подпункт "д" пункта 5.5.1.3.2 не применяется к технологиям разработки или производства систем коммерческого телевидения
	Особое примечание.
	Для технологии разработки или производства нетелекоммуникационного оборудования, использующего лазер, см. пункт 6.5;
5.5.1.3.3.	Оборудования, использующего оптическую коммутацию и имеющего время переключения менее 1 мс;
5.5.1.3.4.	Радиоаппаратуры, имеющей любое из следующего:
	а) использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 256;
	б) работающей на входных или выходных частотах, превышающих 31,8 ГГц; или
	Примечание.
	Подпункт "б" пункта 5.5.1.3.4 не применяется к технологиям разработки или производства оборудования, разработанного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения
	в) работающей в диапазоне частот 1,5 МГц - 87,5 МГц и включающей адаптивные средства управления, обеспечивающие более 15 дБ подавления помехи;
5.5.1.3.5.	Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую в несвязанном режиме работы; или
5.5.1.3.6.	Мобильного оборудования, имеющего все следующее:
	а) работающего на длине световой волны в диапазоне от 200 нм до 400 нм включительно; и
	б) работающего как локальная сеть
5.5.1.4.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства монолитных микроволновых интегральных схем (ММИС) - усилителей мощности, специально разработанных для телекоммуникации и определенных изготовителем для любых из следующих условий их работы:
	а) на частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 15%;
	б) на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%;
	в) на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%;
	г) на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;
	д) на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%; или
	е) на частотах, превышающих 43,5 ГГц
5.5.1.5.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства электронных приборов и схем, специально разработанных для телекоммуникации и содержащих компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанных для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих и имеющих любое из следующего:
	а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее Дж; или
	б) частотную селекцию на всех частотах с использованием резонансных контуров со значением добротности, превышающим 10 000
Часть 2. Защита информации
	Примечания:
	1. Контрольный статус оборудования (аппаратуры), программного обеспечения, систем, электронных сборок специального применения, модулей, интегральных схем, компонентов или функций, применяемых для защиты информации, определяется по части 2 категории 5, даже если они являются компонентами или электронными сборками другого оборудования.
	2. Часть 2 категории 5 не применяется к товарам, когда они вывозятся пользователем для личного использования.
	3. Криптографическое примечание.
	Пункты 5.1.2 и 5.4.2 не применяются к товарам (системам, оборудованию, компонентам и программному обеспечению), которые удовлетворяют всем следующим требованиям:
	а) общедоступны для продажи населению без ограничений из имеющегося в наличии ассортимента в местах розничной продажи посредством любого из следующего:
	продажи за наличные;
	продажи путем заказа товаров по почте;
	электронных сделок; или
	продажи по телефонным заказам;
	б) криптографические функциональные возможности которых не могут быть легко изменены пользователем;
	в) разработаны для установки пользователем без дальнейшей существенной поддержки поставщиком; и
	г) в случае необходимости образцы общедоступных товаров будут представляться экспортерами контролирующим органам Российской Федерации по их требованию для подтверждения условий, описанных в вышеуказанных подпунктах "а" - "в".
	4. Часть 2 категории 5 не применяется к товарам, включающим или использующим криптографию и удовлетворяющим всем следующим требованиям:
	а) основная функция или набор функций которых не является любым из следующего:
	защитой информации;
	ЭВМ, включая операционную систему, деталями и компонентами для них;
	отсылкой, приемом или хранением информации (за исключением поддержки развлекательных программ, массового коммерческого радио- или телевещания, управления цифровыми авторскими правами или организации ведения медицинской документации); или
	созданием сетей (включая работу, администрирование, управление и подготовку к работе);
	б) криптографические функциональные возможности которых ограничены поддержкой их основной функции или набора функций; и
	в) в случае необходимости отдельные элементы товаров являются доступными и будут предоставляться экспортерами контролирующим органам Российской Федерации по их требованию для подтверждения условий, описанных в вышеуказанных подпунктах "а" и "б"
	Техническое примечание.
	В части 2 категории 5 биты четности не включаются в длину ключа
5.1.2.	Системы, оборудование и компоненты (системы, оборудование (аппаратура) и компоненты для них, применяемые для защиты информации и определенные ниже)
5.1.2.1.	Системы, аппаратура, специальные электронные сборки, модули и интегральные схемы для защиты информации, определенные ниже, а также компоненты для них, специально разработанные для защиты информации:
	Особое примечание.
	Для приемного оборудования глобальных навигационных спутниковых систем (ГНСС), содержащего или использующего расшифрование, см. пункт 7.1.5
5.1.2.1.1.	Разработанные или модифицированные для использования криптографии с применением цифровых методов, выполняющие любые криптографические функции, иные, чем аутентификация или цифровая подпись, имеющие любую из следующих составляющих:	8471;
	а) симметричный алгоритм, использующий ключ с длиной, превышающей 56 бит; или	8543 70 900 9
	б) асимметричный алгоритм, защита которого базируется на любом из следующих методов:
	1) разложении на множители целых чисел, размер которых превышает 512 бит (например, алгоритм RSA);
	2) вычислении дискретных логарифмов в мультипликативной группе конечного поля размера, превышающего 512 бит (например, алгоритм Диффи-Хеллмана над Z/pZ); или
	3) дискретном логарифме в группе отличного от поименованного в вышеприведенном подпункте 2 размера, превышающего 112 бит (например, алгоритм Диффи-Хеллмана над эллиптической кривой)
	Технические примечания:
	1. Функции аутентификации и цифровой подписи включают в себя связанную с ними функцию распределения ключей.
	2. Аутентификация включает в себя все аспекты контроля доступа, где нет шифрования файлов или текстов, за исключением шифрования, которое непосредственно связано с защитой паролей, персональных идентификационных номеров или подобных данных для защиты от несанкционированного доступа.
	3. Термин "криптография" не относится к фиксированным методам сжатия или кодирования данных
	Примечание.
	Пункт 5.1.2.1.1 включает оборудование, разработанное или модифицированное для использования криптографии на основе аналоговых принципов, в том случае, если они реализованы с использованием цифровых методов;
5.1.2.1.2.	Разработанные или модифицированные для выполнения криптоаналитических функций;	8471;
		8543 70 900 9
5.1.2.1.3.	Специально разработанные или модифицированные для снижения нежелательной утечки несущих информацию сигналов, кроме того, что необходимо для защиты здоровья или соответствия установленным стандартам электромагнитных помех;	8471;
		8543 70 900 9
5.1.2.1.4.	Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов генерации кода распределения частот для систем с расширенным спектром частот, не определенных в пункте 5.1.2.1.5, включающих код скачкообразной перестройки частоты для систем со скачкообразной перестройкой частоты;	8471;
		8543 70 900 9
5.1.2.1.5.	Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов генерации кодов формирования каналов, кодов шифрования или кодов идентификации сети для систем, использующих технику сверхширокополосной модуляции, и имеющие любую из следующих характеристик:	8471;
	а) ширину полосы частот, превышающую 500 МГц; или	8543 70 900 9
	б) относительную ширину полосы частот 20% или более;
5.1.2.1.6.	Некриптографические системы и устройства безопасности информационно-коммуникационных технологий (ИКТ), оцененные как гарантирующие уровень, превышающий класс EAL-6 (гарантированный уровень оценки) общих критериев или его эквивалент;	8471;
		8543 70 900 9
5.1.2.1.7.	Кабельные системы связи, разработанные или модифицированные для использования механических, электрических или электронных средств обнаружения несанкционированного доступа;	8471;
		8517 61 000 1;
		8517 62 000 1;
		8543 70 900 9
5.1.2.1.8.	Разработанные или модифицированные для использования в квантовой криптографии	8471;
		8543 70 900 9
	Техническое примечание.
	Квантовая криптография также известна как квантовое распределение ключей (КРК)
5.1.2.2.	Системы, оборудование, электронные сборки особого применения, модули и интегральные схемы, разработанные или модифицированные для достижения или превышения контролируемых уровней производительности для функциональных возможностей, определенных в пункте 5.1.2.1, которые не могут быть получены иным способом	8471;
		8542;
		8543 70 900 9
	Примечание.
	Пункт 5.1.2 не применяется к любому из следующего:
	а) смарт-картам и считывающим/записывающим устройствам:
	1) смарт-картам или электронно-считываемым персональным документам (например, жетонам для автомата, электронным паспортам), удовлетворяющим любому из следующего:
	- криптографические возможности которых ограничены использованием в оборудовании или системах, исключенных из пункта 5.1.2 примечанием 4 к части 2 категории 5 или последующими пунктами настоящего примечания, и не могут быть перепрограммированы для любого другого использования; или
	- отвечающим всему следующему:
	специально разработанным и ограниченным защитой персональной информации, хранящейся на них;
	которые были или только могут быть персонализированы для общедоступных или коммерческих сделок или личной идентификации; и
	криптографические возможности которых недоступны пользователю
	Техническое примечание.
	Персональная информация включает любую информацию, характерную для определенного человека или организации, такую как сумма хранящихся денежных средств и другие данные, необходимые для идентификации;
	2) считывающим/записывающим устройствам, специально разработанным или модифицированным для товаров, определенных в подпункте 1 пункта "а" настоящего примечания, и ограниченным применением этих товаров
	Техническое примечание.
	Считывающие/записывающие устройства включают оборудование, связывающееся со смарт-картами или электронно-считываемыми документами через сеть;
	б) криптографическому оборудованию, специально разработанному и ограниченному применением для банковских или финансовых операций
	Техническое примечание.
	Финансовые операции, указанные в пункте "б" примечания к пункту 5.1.2, включают сборы и оплату за транспортные услуги или кредитование;
	в) портативным или мобильным радиотелефонам гражданского применения (например, для использования в коммерческих гражданских системах сотовой радиосвязи), которые неспособны к передаче зашифрованных данных непосредственно на другой радиотелефон или оборудование, отличное от оборудования сетевой радиосвязи с абонентами (СРА), а также к пересылке зашифрованных данных посредством оборудования СРА (например, контроллера радиосети или контроллера базовой станции);
	г) беспроводному телефонному оборудованию, неспособному к сквозному шифрованию, максимальная дальность беспроводного действия которого без усиления (одиночное, без ретрансляции, соединение между терминалом и базовой станцией) составляет менее 400 м в соответствии с техническими условиями производителя;
	д) портативным или мобильным радиотелефонам и схожим пользовательским беспроводным устройствам для гражданского применения, которые реализуют только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты (за исключением антипиратских функций, которые не являются общедоступными), а также соответствуют условиям подпунктов "б" - "г" криптографического примечания (примечание 3) к части 2 категории 5, изготовлены в соответствии с техническими условиями заказчика для специального гражданского промышленного применения с возможностями, которые не влияют на криптографические функциональные возможности этих исходно незаказных устройств;
	е) оборудованию беспроводной персональной сети, которое реализует только опубликованные или коммерческие криптографические стандарты и криптографическая возможность которого ограничена номинальной зоной действия, не превышающей 30 м в соответствии со спецификациями производителя; или
	ж) оборудованию, не имеющему функциональных возможностей, определенных в пункте 5.1.2.1.2, 5.1.2.1.3, 5.1.2.1.6 или 5.1.2.1.7, и в котором все криптографические возможности, определенные в пункте 5.1.2.1, удовлетворяют любому из следующего:
	1) криптографические возможности не могут быть использованы; или
	2) криптографические возможности можно сделать доступными для использования только посредством криптографической активации
	Особое примечание.
	Для оборудования, подвергшегося криптографической активации, см. пункт 5.1.2.1
5.2.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование (испытательное, контрольное и производственное оборудование (аппаратура), применяемое для защиты информации и определенное ниже)
5.2.2.1.	Оборудование, специально разработанное для разработки или производства оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.2 или 5.2.2.2	8543 70 900 9
5.2.2.2.	Измерительное оборудование, специально разработанное для оценки и подтверждения функций защиты информации оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.2.1 или 5.4.2.3	8543 70 900 9
5.3.2.	Материалы - нет
5.4.2.	Программное обеспечение
5.4.2.1.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.2.3
5.4.2.2.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, определенной в пункте 5.5.2
5.4.2.3.	Специальное программное обеспечение следующих видов:
5.4.2.3.1.	Программное обеспечение, имеющее характеристики, моделирующее или выполняющее функции оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.2;
5.4.2.3.2.	Программное обеспечение для сертификации программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.2.3.1
5.4.2.4.	Программное обеспечение, разработанное или модифицированное для достижения или превышения товаром контролируемых уровней производительности для функциональных возможностей, определенных в пункте 5.1.2.1, которые не могут быть получены иным способом
	Примечание.
	Пункт 5.4.2 не применяется:
	а) к программному обеспечению, необходимому для применения оборудования, исключенного из настоящего Списка примечанием к пункту 5.1.2;
	б) к программному обеспечению, обеспечивающему любую из функций оборудования, исключенного из настоящего Списка примечанием к пункту 5.1.2
5.5.2.	Технология
5.5.2.1.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.2 или 5.2.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.2.1 или 5.4.2.3
5.5.2.2.	Технологии для достижения или превышения товаром контролируемых уровней производительности для функциональных возможностей, определенных в пункте 5.1.2.1, которые не могут быть получены иным способом

КАТЕГОРИЯ 6. ДАТЧИКИ И ЛАЗЕРЫ
6.1.	Системы, оборудование и компоненты
6.1.1.	Акустика (акустические системы, оборудование (аппаратура) и компоненты, определенные ниже)
6.1.1.1.	Морские акустические системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:
6.1.1.1.1.	Активные (передающие или приемо-передающие) системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:
6.1.1.1.1.1.	Оборудование для акустической съемки морского дна:
6.1.1.1.1.1.1.	Оборудование, разработанное для топографической съемки морского дна с надводных судов и отвечающее всему следующему:	9015 80 910 0
	а) разработанное для измерений под углом более 20 градусов к вертикали;
	б) разработанное для измерения рельефа поверхности дна на морских глубинах, превышающих 600 м;
	в) имеющее разрешение промера менее 2; и
	Техническое примечание.
	Разрешение промера - отношение ширины полосы обзора [градусы] к максимальному числу промеров в полосе обзора
	г) имеющее повышение точности определения глубины путем комплексной компенсации всего следующего:
	колебаний акустического датчика;
	распространения сигнала в воде от датчика к морскому дну и обратно; и
	скорости звука в месте расположения датчика
	Техническое примечание.
	Повышение точности включает возможность компенсации внешними средствами;
6.1.1.1.1.1.2.	Оборудование, разработанное для подводной топографической съемки морского дна и отвечающее всему следующему:	9014 80 000 0;
	а) разработанное или модифицированное для эксплуатации на глубинах, превышающих 300 м; и	9015 80 910 0
	б) имеющее скорость промеров выше 3800
	Техническое примечание.
	Скорость промеров - произведение максимальной скорости [м/с], на которой датчик может работать, на максимальное число промеров в полосе обзора;
6.1.1.1.1.1.3.	Гидролокаторы бокового обзора (ГБО) и гидролокаторы с синтезированной апертурой (ГСА), разработанные для визуального отображения рельефа морского дна и отвечающие всему следующему:	9014 80 000 0;
	а) разработанные или модифицированные для эксплуатации на глубинах, превышающих 500 м; и	9015 80 910 0
	б) имеющие скорость охвата площади выше 570 м2/с при работе с разрешением вдоль траектории движения и разрешением поперек траектории движения менее 15 см
	Технические примечания:
	1. Скорость охвата площади [м2/с] - удвоенное произведение максимальной дальности гидролокации [м] на максимальную скорость [м/с], при которой датчик может работать.
	2. Разрешение вдоль траектории движения [см], применяемое только к ГБО, - произведение ширины азимутального (горизонтального) диапазона [градусы] на максимальную дальность гидролокации [м] и на 0,873.
	3. Разрешение поперек траектории движения [см] - отношение 75 к ширине частотного диапазона сигнала [кГц];
6.1.1.1.1.2.	Системы обнаружения или определения местоположения, имеющие любую из следующих характеристик:	9014 80 000 0;
	а) частоту передачи ниже 10 кГц;	9015 80 910 0
	б) уровень звукового давления выше 224 дБ (опорного давления 1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне от 10 кГц до 24 кГц включительно;
	в) уровень звукового давления выше 235 дБ (опорного давления 1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне между 24 кГц и 30 кГц;
	г) формирование лучей уже 1 градуса по любой оси и рабочую частоту ниже 100 кГц;
	д) разработанные для абсолютно надежного обнаружения целей с дальностью более 5120 м с отображением их на дисплее; или
	е) разработанные для выдерживания давления при нормальной эксплуатации на глубинах, превышающих 1000 м, и имеющие преобразователи с любым из следующего:
	динамической компенсацией давления; или
	содержащие преобразующие элементы, изготовленные не из титаната-цирконата свинца
	Особое примечание.
	В отношении активных систем обнаружения или определения местоположения, указанных в пункте 6.1.1.1.1.2, см. также пункт 6.1.1.1.1.1 раздела 2 и пункт 6.1.1.1.1 раздела 3;
6.1.1.1.1.3.	Акустические излучатели, включающие преобразователи, объединяющие пьезоэлектрические, магнитострикционные, электрострикционные, электродинамические или гидравлические элементы, действующие индивидуально или в определенной комбинации, и имеющие любую из следующих характеристик:	9014 80 000 0;
	а) плотность мгновенной излучаемой акустической мощности, превышающую 0,01 мВт/мм2/Гц для приборов, работающих на частотах ниже 10 кГц;	9015 80 910 0
	б) плотность непрерывно излучаемой акустической мощности, превышающую 0,001 мВт/мм2/Гц для приборов, работающих на частотах ниже 10 кГц; или
	Техническое примечание.
	Плотность акустической мощности получается делением выходной акустической мощности на площадь излучающей поверхности и рабочую частоту
	в) подавление боковых лепестков более 22 дБ
	Примечания:
	1. Контрольный статус акустических излучателей, включающих преобразователи, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого другого оборудования.
	2. Пункт 6.1.1.1.1.3 не применяется к электронным источникам только вертикальной направленности звука, механическим (например, пневмопушкам или пароударным пушкам) или химическим (например, взрывным) источникам;
6.1.1.1.1.4.	Акустические системы и оборудование, разработанные для определения положения надводных судов или подводных аппаратов и имеющие все нижеперечисленные характеристики, а также специально разработанные для них компоненты:	9014 80 000 0;
	а) дальность обнаружения, превышающую 1000 м; и	9015 80 110 0
	б) среднеквадратичное значение точности определения положения меньше (лучше) 10 м, измеренной на дальности (расстоянии) 1000 м
	Примечание.
	Пункт 6.1.1.1.1.4 включает:
	а) оборудование, использующее согласованную обработку сигналов между двумя или более буями и гидрофонным устройством на надводном судне или подводном аппарате;
	б) оборудование, обладающее способностью автокоррекции накапливающейся погрешности скорости звука для вычислений местоположения;
6.1.1.1.1.5.	Активные индивидуальные гидролокационные системы, специально разработанные или модифицированные для невоенного применения в целях обнаружения, определения местоположения и автоматической классификации пловцов или водолазов (аквалангистов) и имеющие все следующие характеристики:	8907 90 000 0;
	а) дальность обнаружения более 530 м;	9014 80 000 0;
	б) среднеквадратичное значение точности определения положения меньше (лучше) 15 м, измеренной на расстоянии 530 м; и	9015 80 110 0;
	в) полосу пропускания передаваемого импульсного сигнала более 3 кГц	9015 80 910 0;
		9015 80 930 0
	Примечание.
	Для целей пункта 6.1.1.1.1.5 при разнообразных дальностях обнаружения, определенных для различных внешних условий, используется наибольшая дальность обнаружения
	Примечание.
	Пункт 6.1.1.1.1 не применяется к следующему оборудованию:
	а) эхолотам, работающим вертикально, не включающим функцию сканирования в диапазоне более ± 20 градусов и ограниченным измерением глубины воды, расстояния до погруженных в нее или затопленных объектов или промысловой разведкой;
	б) следующим акустическим буям:
	аварийным акустическим маякам;
	акустическим буям с дистанционным управлением, специально разработанным для перемещения или возвращения в подводное положение;
6.1.1.1.2.	Пассивные системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:
6.1.1.1.2.1.	Гидрофоны с любой из следующих характеристик:
	а) включающие непрерывные гибкие чувствительные элементы;	9014 80 000 0;
		9015 80 110 0;
		9015 80 930 0
	б) включающие гибкие сборки дискретных чувствительных элементов с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм;	9014 80 000 0;
		9015 80 110 0;
		9015 80 930 0
	в) имеющие любые из следующих чувствительных элементов:	9014 80 000 0;
	волоконно-оптические;	9015 80 930 0
	пьезоэлектрические из полимерных пленок, отличные от поливинилиденфторида (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDF-TFE)}({поли(винилиденфторид-трифторэтилен) и поли(винилиденфторид-тетрафторэтилен)}); или
	гибкие пьезоэлектрические из композиционных материалов
	Технические примечания:
	1. Пьезоэлектрические чувствительные элементы из полимерной пленки состоят из поляризованной полимерной пленки, которая натянута на несущую конструкцию или катушку и прикреплена к ним.
	2. Гибкие пьезоэлектрические чувствительные элементы из композиционных материалов содержат пьезоэлектрические керамические частицы или волокна, объединенные между собой электроизоляционной акустически прозрачной резиной, полимерным или эпоксидным связующим, которые являются неотъемлемой частью чувствительных элементов;
	г) имеющие гидрофонную чувствительность лучше -180 дБ на любой глубине без компенсации ускорения	9014 80 000 0;
		9015 80 930 0
	Техническое примечание.
	Гидрофонная чувствительность определяется как 20-кратный десятичный логарифм отношения эффективного выходного напряжения к эффективной величине нормирующего напряжения 1 В, когда гидрофонный датчик без предусилителя помещен в акустическое поле плоской волны с эффективным давлением 1 мкПа. Например: гидрофон с - 160 дБ (нормирующее напряжение 1 В на мкПа) даст выходное напряжение В в таком поле, в то время как гидрофон с чувствительностью -180 дБ даст только В на выходе. Таким образом, -160 дБ лучше, чем -180 дБ;
	д) разработанные для эксплуатации на глубинах, превышающих 35 м, с компенсацией ускорения; или	9014 80 000 0;
		9015 80 930 0
	е) разработанные для эксплуатации на глубинах, превышающих 1000 м	9014 80 000 0;
		9015 80 930 0
	Примечание.
	Контрольный статус гидрофонов, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого оборудования;
6.1.1.1.2.2.	Буксируемые акустические гидрофонные решетки, имеющие любое из следующего:	9014 80 000 0;
	а) гидрофонные группы, расположенные с шагом менее 12,5 м или имеющие возможность модификации для расположения гидрофонных групп с шагом менее 12,5 м;	9015 80 930 0;
	б) разработанные или имеющие возможность модификации для работы на глубинах, превышающих 35 м	9015 80 990 0
	Техническое примечание.
	Возможность модификации, указанная в подпунктах "а" и "б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает наличие резерва, позволяющего изменять схему соединений или внутренних связей для усовершенствования гидрофонной группы по ее размещению или изменению пределов рабочей глубины. Таким резервом является возможность монтажа: запасных проводников в количестве, превышающем 10% от числа рабочих проводников связи; блоков настройки конфигурации гидрофонной группы или внутренних устройств, ограничивающих глубину погружения, что обеспечивает регулировку или контроль более чем одной гидрофонной группы;
	в) датчики направленного действия, определенные в пункте 6.1.1.1.2.4;
	г) продольно армированные рукава решетки;
	д) собранные решетки диаметром менее 40 мм; или
	е) гидрофоны с характеристиками, определенными в пункте 6.1.1.1.2.1;
6.1.1.1.2.3.	Аппаратура обработки данных, специально разработанная для применения в буксируемых акустических гидрофонных решетках, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований или процессов;	9014 80 000 0;
		9015 80 930 0;
		9015 80 990 0
6.1.1.1.2.4.	Датчики направленного действия, имеющие все следующие характеристики:	9014 80 000 0;
	а) точность лучше 0,5 градуса; и	9014 90 000 0;
	б) разработанные для работы на глубинах, превышающих 35 м, либо имеющие регулируемое или сменное чувствительное устройство измерения глубины, разработанное для работы на глубинах, превышающих 35 м;	9015 80 110 0;
		9015 80 930 0
6.1.1.1.2.5.	Донные или погруженные кабельные системы, имеющие любую из следующих составляющих:	8907 90 000 0;
	а) объединяющие гидрофоны, определенные в пункте 6.1.1.1.2.1; или	9014 80 000 0;
	б) объединяющие сигнальные модули многоэлементной гидрофонной группы, имеющие все следующие характеристики:	9014 90 000 0;
	разработанные для работы на глубинах, превышающих 35 м, либо обладающие регулируемым или сменным чувствительным устройством измерения глубины для работы на глубинах, превышающих 35 м; и	9015 80 930 0;
	обладающие возможностью оперативного взаимодействия с модулями буксируемых акустических гидрофонных решеток;	9015 80 990 0
6.1.1.1.2.6.	Аппаратура обработки данных, специально разработанная для донных или погруженных кабельных систем, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований либо процессов	8907 90 000 0;
		9014 80 000 0;
		9014 90 000 0;
		9015 80 930 0;
		9015 80 990 0
	Примечание.
	Пункт 6.1.1.1.2 также применяется к приемному оборудованию и специально разработанным для него компонентам, независимо от того, относится ли оно при штатном применении к самостоятельному активному оборудованию или нет
	Особое примечание.
	В отношении пассивных систем, оборудования и специальных компонентов, указанных в пунктах 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6, см. также пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6 раздела 2 и пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.5 раздела 3
6.1.1.2.	Аппаратура гидролокационного корреляционного и доплеровского лагов, разработанная для измерения горизонтальной составляющей скорости носителя аппаратуры относительно морского дна:
6.1.1.2.1.	Аппаратура гидролокационного корреляционного лага, имеющая любую из следующих характеристик:	9014 80 000 0;
	а) разработанная для эксплуатации на расстоянии между ее носителем и дном моря более 500 м; или	9015 80 930 0;
	б) имеющая точность определения скорости лучше (меньше) 1%;	9015 80 990 0
6.1.1.2.2.	Аппаратура гидролокационного доплеровского лага, имеющая точность определения скорости лучше (меньше) 1%	9014 80 000 0;
		9015 80 930 0;
		9015 80 990 0
	Примечания:
	1. Пункт 6.1.1.2 не применяется к эхолотам, ограниченным любым из следующего:
	а) измерением глубины;
	б) измерением расстояния от погруженных под воду или затопленных объектов; или
	в) промысловой разведкой.
	2. Пункт 6.1.1.2 не применяется к аппаратуре, специально разработанной для установки на надводные суда
	Особое примечание.
	Для акустических систем отпугивания водолазов (аквалангистов) см. пункт 8.1.2.17
6.1.2.	Оптические датчики, приборы и компоненты для них
6.1.2.1.	Приемники оптического излучения:
6.1.2.1.1.	Следующие твердотельные приемники оптического излучения, пригодные для применения в космосе:
	Примечание.
	Для целей пункта 6.1.2.1.1 твердотельные приемники оптического излучения включают фокальные матричные приемники
6.1.2.1.1.1.	Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие все следующие характеристики:	8541 40 900 9
	а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм; и
	б) чувствительность менее 0,1% относительно максимального значения для длин волн, превышающих 400 нм;
6.1.2.1.1.2.	Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие все следующие характеристики:	8541 40 900 9
	а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 900 нм до 1200 нм; и
	б) постоянную времени отклика приемника 95 нс или менее
	Особое примечание.
	В отношении твердотельных приемников оптического излучения, указанных в пунктах 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2, см. также пункты 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2 раздела 2;
6.1.2.1.1.3.	Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм	8541 40 900 9
	Особое примечание.
	В отношении твердотельных приемников оптического излучения, указанных в пункте 6.1.2.1.1.3, см. также пункт 6.1.2.1.1.3 раздела 2 и пункт 6.1.2.1 раздела 3;
6.1.2.1.1.4.	Фокальные матричные приемники, пригодные для применения в космосе, имеющие в матрице более 2048 элементов и максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм	8541 40 900 9
	Особое примечание.
	В отношении фокальных матричных приемников, указанных в пункте 6.1.2.1.1.4, см. также пункт 6.1.2.1.1.4 раздела 2;
6.1.2.1.2.	Следующие электронно-оптические преобразователи (ЭОП) и специально разработанные для них компоненты:
	Примечание.
	Пункт 6.1.2.1.2 не применяется к фотоэлектронным умножителям (ФЭУ) без формирования изображений, имеющим электронно-чувствительное устройство в вакууме, ограниченным исключительно любым из следующего:
	а) единственным металлическим анодом; или
	б) металлическими анодами с межцентровым расстоянием более 500 мкм
	Техническое примечание.
	"Зарядовое умножение" является формой электронного усиления изображения и характеризуется созданием носителей зарядов в результате процесса ударной ионизации. Приемниками оптического излучения с зарядовым умножением могут быть электронно-оптические преобразователи, твердотельные приемники оптического излучения или фокальные матричные приемники
6.1.2.1.2.1.	Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное:	8540 20 800 0
	а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм;
	б) электронное усиление изображения, использующее любое из следующего:
	микроканальную пластину с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее; или
	электронный чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения
	зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине; и
	в) любые из следующих фотокатодов:
	многощелочные фотокатоды (например, S-20, S-25) с интегральной чувствительностью более 350 мкА/лм;
	GaAs или GaInAs фотокатоды; или
	другие полупроводниковые фотокатоды на основе соединений III - V с максимальной спектральной чувствительностью более 10 мА/Вт;
6.1.2.1.2.2.	Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное:	8540 20 800 0
	а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800 нм;
	б) электронное усиление изображения, использующее любое из следующего:
	микроканальную пластину с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее; или
	электронный чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения
	зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине; и
	в) полупроводниковые фотокатоды на основе соединений III - V (например, GaAs или GaInAs) и фотокатоды на эффекте переноса электронов с максимальной спектральной чувствительностью более 15 мА/Вт
	Особое примечание.
	В отношении электронно-оптических преобразователей, указанных в пунктах 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2, см. также пункты 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2 раздела 2;
6.1.2.1.2.3.	Нижеперечисленные специально разработанные компоненты:
6.1.2.1.2.3.1.	Микроканальные пластины с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее;	8541 40 900 9
6.1.2.1.2.3.2.	Электронный чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине;	8541 40 900 9
6.1.2.1.2.3.3.	Полупроводниковые фотокатоды на соединениях III - V (например, GaAs или GaInAs) и фотокатоды на эффекте переноса электронов	8541 40 900 9
	Примечание.
	Пункт 6.1.2.1.2.3.3 не применяется к полупроводниковым фотокатодам, разработанным для достижения любого из нижеприведенных значений максимальной спектральной чувствительности:
	а) 10 мА/Вт или менее при максимуме спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм; или
	б) 15 мА/Вт или менее при максимуме спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800 нм;
6.1.2.1.3.	Следующие фокальные матричные приемники, непригодные для применения в космосе:
	Техническое примечание.
	Линейные или двухмерные многоэлементные матричные приемники оптического излучения называются фокальными матричными приемниками
6.1.2.1.3.1.	Фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное:	8541 40 900 9
	а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 900 нм до 1050 нм; и
	б) любую из следующих характеристик:
	постоянную времени отклика приемника менее 0,5 нс; или
	являющиеся специально разработанными или модифицированными для достижения зарядового умножения и имеющие максимальную спектральную чувствительность, превышающую 10 мА/Вт;
6.1.2.1.3.2.	Фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное:	8541 40 900 9
	а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200 нм; и
	б) любую из следующих характеристик:
	постоянную времени отклика приемника 95 нс или менее; или
	являющиеся специально разработанными или модифицированными для достижения зарядового умножения и имеющие максимальную спектральную чувствительность, превышающую 10 мА/Вт;
6.1.2.1.3.3.	Нелинейные (двухмерные) фокальные матричные приемники, имеющие отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм	8541 40 900 9
	Особое примечание.
	Микроболометрические фокальные матричные приемники, непригодные для применения в космосе, на основе кремния и другого материала определяются только по пункту 6.1.2.1.3.6;
6.1.2.1.3.4.	Линейные (одномерные) фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное:	8541 40 900 9
	а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 3000 нм; и
	б) любую из следующих характеристик:
	отношение размера элемента приемника в направлении сканирования к размеру элемента приемника в направлении поперек сканирования менее 3,8; или
	обработку сигналов в элементе (SPRITE-структура)
	Техническое примечание.
	Для целей подпункта "б" пункта 6.1.2.1.3.4 "направление поперек сканирования" определяется как направление вдоль оси, параллельной линейке элементов приемника, а "направление сканирования" определяется как направление вдоль оси, перпендикулярной линейке элементов приемника
	Примечание.
	Пункт 6.1.2.1.3.4 не применяется к фокальным матричным приемникам на основе германия, содержащим не более 32 детекторных элементов;
6.1.2.1.3.5.	Линейные (одномерные) фокальные матричные приемники, имеющие отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 3000 нм до 30 000 нм;	8541 40 900 9
6.1.2.1.3.6.	Нелинейные (двухмерные) инфракрасные фокальные матричные приемники на основе микроболометрического материала, для отдельных элементов которых не применяется спектральная фильтрация чувствительности в диапазоне длин волн от 8000 нм до 14 000 нм	8541 40 900 9
	Техническое примечание.
	Для целей пункта 6.1.2.1.3.6 микроболометр определяется как тепловой приемник инфракрасного излучения, у которого формирование соответствующего выходного сигнала происходит за счет изменения температуры приемника при поглощении инфракрасного излучения;
6.1.2.1.3.7.	Фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное:	8541 40 900 9
	а) отдельные элементы приемника с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 900 нм;
	б) являющиеся специально разработанными или модифицированными для достижения зарядового умножения и имеющие в спектральном диапазоне, превышающем 760 нм, максимальную спектральную чувствительность выше 10 мА/Вт; и
	в) более 32 элементов
	Примечания:
	1. Пункт 6.1.2.1.3 включает фоторезистивные и фотовольтаические матрицы.
	2. Пункт 6.1.2.1.3 не применяется:
	а) к многоэлементным приемникам (с числом элементов не более 16) с фоточувствительными элементами из сульфида или селенида свинца (PbS или PbSe соответственно);
	б) к пироэлектрическим приемникам на основе любого из следующих материалов:
	триглицинсульфата и его производных;
	титаната свинца-лантана-циркония (PLZT керамики) и его производных;
	танталата лития ();
	поливинилиденфторида и его производных; или
	ниобата бария-стронция () и его производных;
	в) к фокальным матричным приемникам, специально разработанным или модифицированным для реализации зарядового умножения, имеющим ограниченное конструкцией значение максимальной спектральной чувствительности 10 мА/Вт или менее для длин волн, превышающих 760 нм, и имеющим все нижеперечисленное:
	1) включенный в их конструкцию механизм ограничения чувствительности без возможности его удаления или модификации; и
	2) любое из следующего:
	механизм ограничения чувствительности, являющийся неотъемлемой частью конструкции приемника; или
	фокальный матричный приемник, действующий только вместе с установленным механизмом ограничения чувствительности
	Техническое примечание.
	Механизм ограничения чувствительности приемника является неотъемлемой частью конструкции приемника и разработан с отсутствием возможности его удаления или модификации без приведения приемника в нерабочее состояние
	Особые примечания:
	1. Микроболометрические фокальные матричные приемники, непригодные для применения в космосе, определяются только по пункту 6.1.2.1.3.6.
	2. В отношении фокальных матричных приемников, указанных в пункте 6.1.2.1.3, см. также пункт 6.1.2.1.3 раздела 2
6.1.2.2.	Моноспектральные датчики изображения и многоспектральные датчики изображения, разработанные для применения при дистанционном зондировании и имеющие любое из следующего:	8540 89 000 0
	а) мгновенное угловое поле (МУП) менее 200 мкрад; или
	Примечание.
	Подпункт "а" пункта 6.1.2.2 не применяется к моноспектральным датчикам изображения с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм и включающим только любые из следующих приемников оптического излучения, непригодных для применения в космосе, или фокальных матричных приемников, непригодных для применения в космосе:
	приборы с зарядовой связью (ПЗС), не разработанные или не модифицированные для достижения зарядового умножения; или
	приборы на основе комплементарной структуры металл-оксид-проводник (МОП-структуры), не разработанные или не модифицированные для достижения зарядового умножения
	б) разработанные для функционирования в диапазоне длин волн от 400 нм до 30 000 нм и имеющие все нижеперечисленное:
	1) обеспечивающие выходные данные изображения в цифровом формате; и
	2) имеющие любую из следующих характеристик:
	пригодные для применения в космосе; или
	разработанные для функционирования на борту летательного аппарата, использующие приемники, изготовленные не из кремния, и имеющие МУП менее 2,5 мрад
	Особое примечание.
	В отношении многоспектральных датчиков изображения, указанных в пункте 6.1.2.2, см. также пункт 6.1.2.2 раздела 2