ПРЕЗИДЕНТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
РАСПОРЯЖЕНИЕ
от 30 июля 1992 г. N 408-рп
1. Утвердить прилагаемый перечень отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, применяемых при создании вооружения и военной техники, экспорт которых контролируется и осуществляется по лицензиям в 1992-1993 годах, принятый постановлением Правительством Российской Федерации от 5 июля 1992 г. N 469.
Президент
Российской Федерации
Б.ЕЛЬЦИН
Утвержден
распоряжением Президента
Российской Федерации
от 30 июля 1992 г. N 408-рп
ПЕРЕЧЕНЬ
ОТДЕЛЬНЫХ ВИДОВ СЫРЬЯ, МАТЕРИАЛОВ, ОБОРУДОВАНИЯ, ТЕХНОЛОГИЙ И НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ, ПРИМЕНЯЕМЫХ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЯ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ ЭКСПОРТ КОТОРЫХ КОНТРОЛИРУЕТСЯ И ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ПО ЛИЦЕНЗИЯМ В 1992 - 1993 ГОДАХ
ЧАСТЬ. I СЫРЬЕ И МАТЕРИАЛЫ
ЧАСТЬ II. ТЕХНОЛОГИИ И НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ
Раздел. 1 Металлургия
Технология получения титановых сплавов (в том числе гранулированных и вторичных) с пределом прочности свыше 120 кгс/кв. мм и пределом ползучести свыше 15 кгс/кв. мм при температуре 600 град. Цельсия
Технология получения деформируемых магниевых сплавов ( в том числе гранулированных) с пределом текучести более 35 кгс/кв. мм
Технология получения литейных магниевых сплавов с пределом прочности более 28 кгс/кв. мм при рабочей температуре более 250 град. Цельсия
Технология получения алюминий-литиевых сплавов (в том числе содержащих скандий) с содержанием лития более 6%, скандия более 3%:
системы алюминий-магний-литий (скандий), обладающей в совокупности следующими характеристиками: плотностью менее 2.47 г/куб. см; модулем упругости более 7800 кгс/кв. мм; удельной прочностью более 19 км
системы алюминий-медь-магний-литий (скандий), обладающей в совокупности следующими характеристиками: плотностью менее 2.56 г/куб. см; модулем упругости более 8000 кгс/кв. мм; удельной прочностью более 19 км
системы алюминий-медь-литий (скандий), обладающей в совокупности следующими характеристиками: плотностью менее 2.6 г/куб. см; модулем упругости более 8000 кгс/кв. мм; удельной прочностью более 22 км
системы алюминий-литий (скандий), обладающей в совокупности следующими характеристиками: плотностью менее 2.4 г/куб. см; модулем упругости более 800 кгс/кв. мм; удельной прочностью более 20 км
Раздел. 2 Конструкционные и композиционные материалы
Технология получения трехмерно-армированных углерод-углеродных материалов типа КИМФ ("ГРАНИТ", "РУМБ", "РАЗРЯД", "ЗВЕЗДА") с повышенной эрозионной стойкостью, характеризующейся скоростью уноса массы менее 3 мм/с при температуре до 3500 град. Цельсия и выше и давлении до 150 атм и выше
Технология получения объемно-армированных углерод-углеродных материалов типа "ЗАРЯ" с повышенной эрозионной стойкостью, характеризующейся скоростью уноса массы менее 0.05 мм/с при температуре до 3500 град. Цельсия и выше и давлении до 150 атм и выше
Технология получения тканепрошивных углерод-углеродных материалов типа "ИСТОК" с повышенной эрозионной стойкостью при температуре до 3500 град. Цельсия и выше и давлении до 150 атм и выше
Технология получения жаростойких углеродных материалов на рабочие температуры более 1750 град. Цельсия с пределом прочности более 30 кгс/кв. мм (для применения в углерод-углеродных материалах) и более 20 кгс/кв. мм (для применения в углерод-керамических материалах)
Технология получения теплоизоляционных термостабильных (десятки тысяч часов в диапазоне температур до 750 град. Цельсия), экологически чистых материалов типа КГ-3 на основе графита с плотностью 0,2 г/куб. см и коэффициентом теплопроводности 0.1 Вт/м <*> К
Раздел 3. Полимеры, пластические массы, химические волокна и нити, каучуки и изделия из них
Технология получения ароматических полиамидных материалов с термостойкостью выше 450 град. Цельсия
Технология получения органических полимерных фотоприемников для пространственно-временных модуляторов света
Технология получения ароматических полихиноксалинов и материалов на их основе
Технология получения дипараксилилена (мономера Д-2) и полипараксилена (ППК)
Технология получения фторсилоксановых каучуков, работоспособных при температурах ниже -60 град. Цельсия и выше +200 град. Цельсия
Раздел 4. Фармацевтические препараты
Технология производства полианатоксинов
Технология производства вакцины инактивированной, концентрированной, очищенной для профилактики венесуэльского энцефаломиелита на основе оригинального штамма СМ-27
Технология производства дивакцины инактивированной, культуральной, очищенной для профилактики восточного и западного энцефаломиелита лошадей
Технология производства препаратов группы холинэстераз для определения фосфорорганических ОВ и информации по использованию препаратов
Технология получения и использования иммуноглобулинов полигрупповых люминесцирующих риккетсиозных, позволяющих проводить индикацию риккетсий группы сыпного тифа, клещевой пятнистой лихорадки и ку-риккетсиоза при иммунофлуоресцентном анализе
Диагностикум, технология получения и использования культурального, поливалентного диагностикума геморрагической лихорадки с почечным синдромом для непрямого метода иммунофлуоресценции
Гибридомная технология получения иммунодиагностикума моноклонального люминесцирующего к вирусу клещевого энцефалита и информация об использовании диагностикума
Раздел 5. Токсичные вещества
Информация о синтезе и оценке физико-химических токсикологических характеристик нейротоксикантов особо высокой токсичности со средней летальной дозой менее 0,1 мг/кг с целью поиска нейротоксикантов высокой эффективности
Раздел 6. Радиоэлектроника
Технология изготовления и нанесения радиопоглощающих покрытий типа ФП-1 и ФП-3 с коэффициентом отражения менее 15% при температуре до 350 град. Цельсия
Технология получения многослойных структур кадмий-ртуть-теллур (КРТ) с использованием вакуумного синтеза
Информация по способам оптимизации процессов совмещения скрытых локальных слоев и топологии интегральных схем с высокой точностью (не хуже 0.2 мкм)
Информация о конструкции и принципах действия ионно-пучковой сканирующей литографической установки для создания элементов с субмикронными размерами (до 0.1 мкм)
Раздел 7. Датчики, измерительная аппаратура и приборы
Информация о результатах разработки единых комплексов аппаратуры для скоростной и высокоскоростной киносъемки с фотоприемными модулями на базе приборов с зарядовой связью и модулями оперативной обработки информации, применяемых при исследовании быстропротекающих процессов
Информация о разработке гироскопических приборов на новых физических принципах с потенциально достижимой величиной ухода не более 0.01 дуговых градусов в час:
динамически настраиваемых гироскопов
гироскопов на магнитном и электростатическом подвесах
лазерных гироскопов
гироскопов с использованием криогенных систем
твердотельных гироскопов на основании эффекта распространения стоячей волны в кварце
гироскопов на газодинамической опоре
Раздел 8. Энергетическое оборудование
Информация о конструкторских решениях, технологиях, материалах, основных узлах и системах бортовых ядерных электроэнергоустановок, позволяющая осуществить непосредственное воспроизведение или способствующая ускорению реализации подобных проектов
Информация о конструкционных и технологических решениях, позволяющих создать короткоимпульсные электронные и протонные ускорители с энергией более 8 МэВ и током в импульсе более 1кА
Раздел 9. Электротехника
Информация о результатах исследований и разработок высокотемпературных сверхпроводников с критическим магнитным полем более 150 ТЛ и критическим током более 1000 МА/кв. м при температуре 77 К для техники магнитного ускорения объектов
Информация о конструкционных и технологических решениях в области создания импульсных источников электроэнергии на основе формирующих линий с мощностью, превышающей уровень 100 ТВт при энергии, превышающей 5 МДж
Информация о конструкционных и технологических решениях в области создания импульсных источников электроэнергии на основе индуктивных накопителей с запасом энергии более 100 МДж и временем вывода менее 10 мс
Информация о конструкционных и технологических решениях в области создания импульсных источников электроэнергии на основе униполярных генератов, предназначенных для медленного отбора мощностей (более 1 с) с запасом энергии более 100 МДж и быстрого отбора мощности (менее 1 мс) с запасом энергии 1 МДж