ПРЕЗИДЕНТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
УКАЗ
от 1 декабря 2005 г. N 1384
О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В СПИСОК ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ
В целях обеспечения выполнения международных обязательств Российской Федерации, вытекающих из ее участия в Вассенаарских договоренностях по экспортному контролю за обычными вооружениями, товарами и технологиями двойного назначения, постановляю:
1. Внести в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2004, N 19, ст. 1881), изменения по перечню согласно приложению.
2. Настоящий Указ вступает в силу через три месяца со дня его официального опубликования.
Президент Российской Федерации
В.ПУТИН
Москва, Кремль
1 декабря 2005 года
N 1384
ПРИЛОЖЕНИЕ
к Указу Президента
Российской Федерации
от 1 декабря 2005 г. N 1384
ПЕРЕЧЕНЬ
ИЗМЕНЕНИЙ, ВНОСИМЫХ В СПИСОК ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ
1. В разделе 1:
в пункте 1.1.5 : дополнить пункт особым примечанием следующего содержания:
| "Особое примечание.
Для нитевидных и волокнистых материалов см. пункт 1.3.10"; | |
в примечании 1 слова "индивидуальные комплекты бронежилетов и принадлежности к ним, которые вывозятся пользователями" заменить словами "бронежилеты или защитная одежда, которые вывозятся пользователем";
в пункте 1.2.1.5 код ТН ВЭД "8451 80 800 0" заменить кодом ТН ВЭД "8451 80 800 9";
в пункте 1.3.4 код ТН ВЭД "8101 99 000 0;" после кода ТН ВЭД "2844 10 900 0;" исключить, включив его после кода ТН ВЭД "8101 96 000 0;";
в пункте 1.3.8.1.4 слова ", измеренную сухим методом, описанным в стандартной методике ASTM D 3418" исключить;
в пункте 1.3.8.2 слова "методикой ASTM D-648 (метод А) или ее" заменить словами "международным стандартом ISO 75-3 (2004) или его";
в пункте 1.3.8.6 слово "Полибифениленэфирсульфон" заменить словами "Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 513 К (240°С)";
в техническом примечании к пункту 1.3.8 слова "стандартной методике ASTM D 3418, применяющей сухой метод" заменить словами "международном стандарте ISO 11357-2 (1999) или его национальном эквиваленте";
в пункте 2.1.1.1 код ТН ВЭД "8482 10 900 0" заменить кодом ТН ВЭД "8482 10 900 0";
в пункте 2 технических примечаний к пункту 2.2:
после слов "по которым" включить слова "или вокруг которых";
слова "осуществляются относительные движения между любой обрабатываемой деталью и режущим инструментом, отрезной головкой или шлифовальным кругом, которые осуществляют съем материала с обрабатываемой детали" заменить словами "в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом";
в пункте 2.2.1:
дополнить пункт словами ", а также специально разработанные для них компоненты";
в пункте 1 примечаний цифры "2.2.2" заменить цифрами "2.2.3";
дополнить примечания пунктом 3 следующего содержания:
| "3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3"; | |
пункт "б" примечания к пункту 2.2.1.3 изложить в следующей редакции:
| "б) станки, специально разработанные как координатно-шлифовальные, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом;"; | |
после пункта 2.2.1.6 включить новый пункт 2.2.2 и техническое примечание к нему следующего содержания:
| "2.2.2. | Станки с числовым программным управлением, использующие процесс магнитореологической чистовой обработки (МРЧО) | 8464 20 110 0;
8464 20 190 0;
8464 20 950 0;
8465 93 000 0"; |
| | Техническое примечание. | |
| | Для целей пункта 2.2.2 под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем | |
пункты 2.2.2 - 2.2.8 считать соответственно пунктами 2.2.3 - 2.2.9;
в примечании к пункту 2.2.4 цифру "4" заменить цифрой "5";
в пунктах 2.2.4.1, 2.2.4.2, 2.2.4.4 - 2.2.4.7 слова "Управляемое встроенной программой производственное" заменить словом "Производственное";
в пункте 2.2.4.3 слова "Управляемое встроенной программой технологическое" заменить словом "Технологическое";
в пункте 2.2.5.1 слова "управлением, числовым программным управлением или управляемые встроенной программой" заменить словами "управлением или числовым программным управлением";
в примечании и техническом примечании к пункту 2.2.5.2.1 цифру "5" заменить цифрой "6";
в примечании к пункту 2.2.5.2.2:
после слова "свет" включить слова "(например, лазерное излучение)";
цифру "5" заменить цифрой "6";
в особых примечаниях к пунктам 2.2.7.1 и 2.2.7.2 цифру "5" заменить цифрой "6";
в техническом примечании к пункту 2.2.8 цифру "8" заменить цифрой "9";
примечание к пункту 2.4.2 изложить в следующей редакции:
| "Примечания: | |
| | 1. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для работы станков, не контролируемых по пунктам категории 2 | |
| | 2. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2. В отношении контроля за программным обеспечением для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2, см. пункт 2.4.1"; | |
в пункте 17 примечаний к таблице "Технические приемы нанесения покрытий" к пункту 2.5.3.6:
слова "любое из следующего" заменить словами "любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия";
слова "и медицинские приборы" заменить словами "медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы";
в пункте "б" особых примечаний к пункту 4 технических примечаний к таблице "Технические приемы нанесения покрытий" к пункту 2.5.3.6, в пунктах 9.1.6.4, 9.1.6.5, 9.1.6.8, подпункте "б" пункта 9.1.7 и в техническом примечании к пункту 9.5.3.7 обозначение "Мпа" заменить обозначением "МПа";
пункт 3.1.1.1.3.2 изложить в следующей редакции:
| "3.1.1.1.3.2. | Более трех шин данных или команд либо последовательных портов связи, обеспечивающих в отдельности прямое внешнее соединение между параллельными микросхемами микропроцессоров со скоростью передачи 1000 Мбайт/с или более | 8542 21 45;
8542 21 500 0;
8542 21 83;
8542 21 850 0;
8542 60 000"; |
в пункте 3.1.1.1.5:
подпункт "а" изложить в следующей редакции:
| "а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду; разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду; разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 50 млн. слов в секунду; | |
| | разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит, со скоростью на выходе более 5 млн. слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 1 млн. слов в секунду;"; | |
в технических примечаниях:
пункт 2 изложить в следующей редакции:
| "2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности аналого-цифрового преобразователя"; | |
дополнить технические примечания пунктами 3 и 4 следующего содержания:
| "3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с) | |
| | 4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду;"; | |
в подпункте "а" пункта 1 и в подпункте "б" пункта 2 примечаний к пункту 3.1.1.2.1, в подпункте "а" пункта 3.1.1.2.1.1, пункте 3.2.2.1, подпункте "ж" пункта 3.5.3, пункте 5.1.1.4 и в подпункте "б" пункта 5.5.1.3.4 цифры "31" заменить цифрами "31,8";
пункт 3.1.1.2.2 изложить в следующей редакции:
| "3.1.1.2.2. | Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 29;
8542 60 000;
8542 70 000 0"; |
| | а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%; | |
| | б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; | |
| | в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; | |
| | г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; | |
| | д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или | |
| | е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц | |
в примечаниях к названному пункту:
пункт 1 исключить;
пункт 2 считать пунктом 1;
дополнить примечания пунктами 2 и 3 следующего содержания:
| "2. Контрольный статус ММИС, рабочая частота которых охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности | |
| | 3. Примечания, приведенные после пункта | |
| | 3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей;"; | |
пункты 3.1.1.2.3 и 3.1.1.2.4 изложить в следующей редакции:
| "3.1.1.2.3. | Микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: | 8541 21 000 0;
8541 29 000 0 |
| | а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); | |
| | б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); | |
| | в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); | |
| | г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1мВт); или д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц | |
| | Примечание. | |
| | Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности; | |
| 3.1.1.2.4. | Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие микроволновые усилители, имеющие любую из следующих характеристик: | 8543 89 950 0" |
| | а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%: | |
| | б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; | |
| | в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; | |
| | г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; | |
| | д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц; или | |
| | е) предназначенные для работы на частотах выше 3 ГГц и имеющие все следующее: | |
| | среднюю выходную мощность Р (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 (Вт.ГГц2) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f(2) или в единицах размерности [(Вт) > (Вт.ГГц2)/(ГГц)(2)]; относительную ширину полосы частот 5% или более; | |
| | любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см.ГГц) на наименьшую рабочую частоту f(ГГц), то есть: d <= 15/f или в единицах размерности [(см) <= (см.ГГц)/(ГГц)] | |
| | Особое примечание. | |
| | Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2 | |
| | Примечания: | |
| | 1. По пункту 3.1.1.2.4 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц | |
| | 2. Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности; | |
пункт 3.1.1.2.6 исключить;
пункты 3.1.1.2.7 и 3.1.1.2.8 считать соответственно пунктами 3.1.1.2.6 и 3.1.1.2.7;
в примечании к пункту 3.1.1.2.8 цифру "8" заменить цифрой "7";
в пунктах 3.1.2.1.2, 3.1.2.1.4 и 3.1.2.1.6 код ТН ВЭД "8521 90 000 0" заменить кодом ТН ВЭД "8521 90 000 9";
пункт 3.1.2.3.1 изложить в следующей редакции:
| "3.1.2.3.1. | Анализаторы сигналов, способные анализировать любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц; | 9030 83 900 0;
9030 89 920 0"; |
в пункте 3.1.2.3 после пункта 3.1.2.3.1 включить новый пункт 3.1.2.3.2 следующего содержания:
| "3.1.2.3.2. | Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 43,5 ГГц; | 9030 83 900 0;
9030 89 920 0"; |
в примечании к пункту 3.1.2.3.2 слова "По пункту 3.1.2.3.2" заменить словами "По пункту 3.1.2.3.3";
пункт 3.1.2.3.2 считать пунктом 3.1.2.3.3;
в пункте 3.1.2.4:
в подпункте "а" слова ", превышающую 31,8 ГГц" заменить словами "выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и предназначенные для создания длительности импульса менее 100 нс";
включить в пункт новый подпункт "б" следующего содержания:
| "б) максимальную синтезируемую частоту выше 43,5 ГГц;"; | |
в подпункте "в" слова "в единицах дБ/Гц" заменить словами "в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц";
подпункты "б" и "в" считать соответственно подпунктами "в" и дополнить пункт техническим примечанием следующего содержания:
| "Техническое примечание. | |
| | Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.4 длительность импульса определяется как временной интервал между передним фронтом импульса, достигающим 90% от максимума, и задним фронтом импульса, достигающим 10% от максимума"; | |
пункт 3.1 дополнить пунктом 3.1.3 следующего содержания:
| "3.1.3. | Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты | 8419 89 989 0;
8424 89 950 9;
8479 89 980 0"; |
в пунктах 3.2.1.1, 3.2.1.3, 3.2.1.4, 3.2.1.6, 3.2.2 слова "Управляемое встроенной программой оборудование" заменить словом "Оборудование";
пункт 3.2.1.1.1 изложить в следующей редакции:
| "3.2.1.1.1. | Оборудование, обеспечивающее производство любого из следующего: | 8479 89 650 0"; |
| | а) силиконового слоя с отклонением равномерности его толщины менее +-2,5% на расстоянии 200 мм или более; или | |
| | б) слоя из любого материала, отличного от силикона, с отклонением равномерности толщины менее +-2,5% на расстоянии 75 мм или более; | |
в пункте 3.2.1.2:
слова "Управляемое встроенной программой оборудование" заменить словом "Оборудование";
в подпункте "г" слова "имеет возможность" заменить словами "энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для";
в подпункте "а" пунктов 3.2.1.3.1 и 3.2.1.3.2 слова "размером 0,3 мкм" заменить словами "размером 180 нм";
пункты 3.2.1.4.1 и 3.2.1.4.2 изложить в следующей редакции:
| "3.2.1.4.1. | Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее; | |
| 3.2.1.4.2. | Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;"; | |
в пункте 3.2.1.5 слова "Управляемые встроенной программой автоматически" заменить словом "Автоматически";
в пункте 3.2.1.6.1:
в подпункте "а" цифры "350" заменить цифрами "245";
в подпункте "б":
слова "элемента 0,35 мкм" заменить словами "элемента 180 нм";
в техническом примечании:
слово "микрометрах" заменить словом "нанометрах";
цифры "0,7" заменить цифрами "0,45";
пункт 3.2.1.8 дополнить примечанием следующего содержания:
| "Примечание. | |
| | По пункту 3.2.1.8 не контролируются многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, разработанные для изготовления запоминающих устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1"; | |
пункт 3.2.2.2 с примечанием и техническим примечанием исключить;
пункт 3.2.2.3 считать пунктом 3.2.2.2;
в пункте 3.3.3.2 после слова "чистотой" включить слово "основы";
в пункте 3.4:
пункты 3.4.2 и 3.4.3 изложить в следующей редакции:
| "3.4.2. | Программное обеспечение, специально разработанное для применения в любом нижеследующем оборудовании: | |
| | а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - 3.2.1.6; или | |
| | б) контролируемом по пункту 3.2.2 | |
| 3.4.3. | Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения с целью воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках | |
| | Техническое примечание. | |
| | Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов) | |
| | Примечание. | |
| | Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология"; | |
дополнить пункт пунктом 3.4.4 следующего содержания:
| "3.4.4. | Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования, контролируемого по пункту 3.1.3 "; | |
пункт 3.5.1 дополнить примечанием следующего содержания:
| "Примечание. | |
| | По пункту 3.5.1 не контролируются технологии для производства оборудования или компонентов, контролируемых по пункту 3.1.3"; | |
примечание к пунктам 3.5.1 и 3.5.2 изложить в следующей редакции:
| "Примечание. | |
| | По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не контролируются технологии для разработки или производства интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих оба нижеперечисленных признака: | |
| | а) использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше; и | |
| | б) не содержащие многослойных структур"; | |
в техническом примечании к примечанию к пунктам 3.5.1 и 3.5.2 слова "подпункте 2 пункта" заменить словом "пункте";
подпункт "б" пункта 3.5.3 дополнить примечанием следующего содержания:
| "Примечание. | |
| | По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контролируются технологии для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГТц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГТц;"; | |
пункт 4.1.2 исключить;
в примечаниях к пунктам 4.1.3.1, 4.1.3.5, 4.1.3 и в пункте 4.1.3.3 цифру "3" заменить цифрой "2";
в примечаниях к пункту 4.1.3.3 цифры "3.2", "3.3" и "3.4" заменить соответственно цифрами "2.2", "2.3" и "2.4";
в пункте 4.1.3.4 коды ТН ВЭ "8543 90 200 0; 8471 90 000 0" заменить кодами ТН ВЭД "8471 90 000 0; 8543 90 200 0";
пункты 4.1.3 - 4.1.3.5 и 4.1.4 - 4.1.4.3 считать соответственно пунктами 4.1.2 - 4.1.2.5 и 4.1.3 - 4.1.3.3;
в подпунктах "а" пунктов 4.4.1.2 и 4.5.2 цифры "28 000" заменить цифрами "75 000";
в пункте 5 примечаний к этапу III технического примечания (по вычислению совокупной теоретической производительности) к категории 4 цифры "4.1.3.3" заменить цифрами "4.1.2.3";
пункт 5.1.1 дополнить пунктом 5.1.1.5 следующего содержания:
| "5.1.1.5. | Оборудование радиопеленгации, работающее на частотах выше 30 МГц и имеющее все следующие характеристики, и специально разработанные для него компоненты: | 8525 20 990 9;
8526 91 900 0"; |
| | а) мгновенную ширину полосы частот, равную 1 МГц или выше; | |
| | б) параллельную обработку данных по более чем 100 частотным каналам; и | |
| | в) производительность более 1000 пеленгований в секунду на частотный канал | |
в пунктах 5.2.1.2, 5.4.1.4 и 5.5.1.3 слова "управляемого встроенной программой" исключить;
в пунктах 5.2.1.2.1, 5.4.1.4.1 и 5.5.1.3.1:
слова ", включая асинхронный режим передачи," исключить;
слова "превышающей 1,5 Гбит/с;" заменить словами "превышающей 15 Гбит/с";
дополнить пункты техническим примечанием следующего содержания:
| "Техническое примечание. Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии;"; | |
пункт 5.1.2.1.6 исключить;
пункт 5.1.2.1.7 считать пунктом 5.1.2.1.6;
в пункте 6.1.1.1.2.1:
подпункт "д" считать подпунктом "е";
в техническом примечании слова "Техническое примечание." исключить;
техническое примечание считать пунктом 3 новых технических примечаний, изложенных в пункте 4 настоящего приложения;
пункт 6.1.3.2.1 и техническое примечание к нему изложить в следующей редакции:
| "6.1.3.2.1. | Видеокамеры, включающие твердотельные датчики, имеющие максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от более 10 нм до 30 000 нм включительно и все следующее: | 8525 30;
8525 40"; |
| | а) имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | более 4 х 10(6) активных пикселей на твердотельную матрицу для монохромных (черно-белых) камер; | |
| | более 4 х 10(6) активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер, включающих три твердотельные матрицы; или | |
| | более 12 х 10(6) активных пикселей для цветных камер на основе одной твердотельной матрицы; и | |
| | б) имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | оптические зеркала, контролируемые по пункту 6.1.4.1; | |
| | оборудование оптического контроля, контролируемое по пункту 6.1.4.4; или способность комментирования отслеживаемых данных, накопленных внутри камеры | |
| | Технические примечания: | |
| | 1. Для целей настоящего пункта цифровые видеокамеры должны оцениваться максимальным числом активных пикселей, используемых для фиксации движущихся изображений | |
| | 2. Для целей настоящего пункта термин "отслеживаемые данные камеры" означает информацию, необходимую для определения ориентации по линии визирования камеры относительно земли. Это включает: | |
| | а) азимутальный угол линии визирования камеры, образованный относительно направления магнитного поля земли; и | |
| | б) вертикальный угол между линией визирования камеры и горизонтом земли; | |
в пункте 6.1.5.2:
примечания, данные в конце пункта, исключить, включив их после слов "Полупроводниковые лазеры:";
пункты 6.1.5.2.2 и 6.1.5.2.3 изложить в следующей редакции:
| "6.1.5.2.2. | Одиночные с многократными поперечными модами полупроводниковые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: | 8541 40 100 0 |
| | а) длину волны менее 1400 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 10 Вт; | |
| | б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 2,5 Вт; или | |
| | в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 1 Вт; | |
| 6.1.5.2.3. | Матрицы отдельных полупроводниковых лазеров, имеющие любую из следующих характеристик: | 8541 40 100 0"; |
| | а) длину волны менее 1400 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 80 Вт; | |
| | б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 25 Вт; или | |
| | в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 10 Вт; | |
включить после пункта 6.1.5.2.3 пункт 6.1.5.2.4 следующего содержания:
| "6.1.5.2.4. | Наборы матриц полупроводниковых лазеров, включающие по меньшей мере одну матрицу, которая контролируется по пункту 6.1.5.2.3 | 8541 40 100 0"; |
техническое примечание к пункту изложить в следующей редакции:
| "Технические примечания: | |
| | 1. Полупроводниковые лазеры обычно называются лазерными диодами | |
| | 2. Матрица состоит из повторяющихся излучателей полупроводникового лазера, скомпонованных как однокристальная микросхема таким образом, чтобы центры пучков излучаемого света находились на параллельных траекториях | |
| | 3. Набор матриц компонуется наложением или иным способом сборки матриц таким образом, чтобы центры пучков излучаемого света находились на параллельных траекториях;"; | |
пункт 6.1.6.1 изложить в следующей редакции:
| "6.1.6.1. | Следующие магнитометры и их подсистемы: | |
| 6.1.6.1.1. | Использующие технологию сверхпроводящих материалов (сверхпроводящих квантовых интерференционных датчиков или СКВИДов) и имеющие любую из следующих характеристик: | 9015 80 110 0;
9015 80 930 0 |
| | а) системы СКВИДов, разработанные для стационарной эксплуатации, без специально разработанных подсистем, предназначенных для уменьшения шума в движении, и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 50 фТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; или | |
| | б) системы СКВИДов, специально разработанные для устранения шума в движении и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) магнитометра в движении меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; | |
| 6.1.6.1.2. | Использующие технологии оптической накачки или ядерной прецессии (протонной/Оверхаузера), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах | 9015 80 110 0;
9015 80 930 0 |
| | Особое примечание. | |
| | В отношении магнитометров и их подсистем, указанных в пункте 6.1.6.1.2, см. также пункт 6.1.5.1 раздела 2; | |
| 6.1.6.1.3. | Использующие технологию феррозондов (магнитомодуляционных датчиков), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 10 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; | 9015 80 110 0;
9015 80 930 0"; |
в пунктах 6.1.6.2 - 6.1.6.7 код ТН ВЭД "9015 80 930 0" заменить кодами ТН ВЭД "9015 80 110 0; 9015 80 930 0";
пункты 6.1.6.2 и 6.1.6.3 считать соответственно пунктами 6.1.6.1.4 и 6.1.6.1.5;
пункт 6.1.6 дополнить новым пунктом 6.1.6.2 следующего содержания:
"6.1.6.2. Следующие магнитные градиентометры:";
в пункте 6.1.6.4 слова "по пунктам 6.1.6.1 - 6.1.6.3" заменить словами "по пункту 6.1.6.1";
в особом примечании к пункту 6.1.6.7 цифру "7" и цифры "5.1" заменить соответственно цифрой "3" и цифрами "5.2";
пункты 6.1.6.4 - 6.1.6.6 и 6.1.6.7 считать соответственно пунктами 6.1.6.2.1 - 6.1.6.2.3 и 6.1.6.3;
пункт 6.1.6.8 и особое примечание к нему исключить;
в пункте 6.1.8.10 коды ТН ВЭД "9015 10 900 0; 9013 80 910 0" заменить кодами ТН ВЭД "9015 10 100 0; 9015 10 900 0; 9031 80 340 0; 9031 80 910 0";
в пункте 6.3.4.1 коды ТН ВЭД "2842 90 100 0; 2830 20 000 0" заменить кодами ТН ВЭД "2830 20 000 0; 2842 90 100 0";
в пункте 6.5.3 слово "Магнитометры" после пункта 6.5.3.5 исключить;
пункт 6.5.3.6 изложить в следующей редакции:
"6.5.3.6. Магнитометры - нет";
в пункте 7.1.2:
в подпункте "а":
слова "воздействия 1 g на протяжении периода в 3 месяца" заменить словами "приложения нормальной силы тяжести (1 g) на протяжении периода в 1 месяц";
слова "° в час" заменить словами "градуса в час";
слова "ниже 10 g" заменить словами "ниже 12 g";
слова "от 10 g" заменить словами "от 12 g";
в последнем абзаце слово "или" исключить;
включить в пункт новый подпункт "б" следующего содержания:
| "б) угловой случайный дрейф, равный или меньше (лучше) 0,0035 градуса, деленного на корень квадратный из времени в часах; или | |
| | Примечание. | |
| | По подпункту "б" пункта 7.1.2 не контролируются гироскопы с вращающейся массой (гироскопы с вращающейся массой - гироскопы, использующие непрерывно вращающуюся массу для определения углового перемещения) | |
| | Техническое примечание. | |
| | Для целей подпункта "б" пункта 7.1.2 угловой случайный дрейф - угловое отклонение, накопленное со временем, в результате белого шума на угловой частоте (стандарт IEEE STD 528-2001)"; | |
подпункт "б" считать подпунктом "в";
в пункте 7.1.3 слова "навигационные системы (ИНС)" заменить словом "системы";
в пункте 7.1.3.1 после слова "системы" включить слово "(ИНС)", после слова "передвижения" включить слова ", судов (надводных или подводных)";
пункт 7.1.3 дополнить пунктом 7.1.3.3 следующего содержания:
| "7.1.3.3. | Инерциальное оборудование для указания азимута, курса или севера, имеющее любую из следующих характеристик, а также специально разработанные компоненты для него: | 9014 10 900 0;
9014 20 900 0;
9014 80 000 0;
9014 90 900 0"; |
| | а) разработанное для указания азимута, курса или севера со среднеквадратичной погрешностью, равной 6 угловым минутам или менее (лучше) от действующего значения на 45 градусах широты; или | |
| | б) разработанное с уровнем ударной нагрузки до нерабочего состояния в 900 g и более при продолжительности в 1 мс или более | |
примечания к пункту дополнить пунктом 3 следующего содержания:
| "3. По подпункту "а" пункта 7.1.3.3 не контролируются теодолитовые системы, включающие инерциальное оборудование, специально разработанные для гражданских исследовательских целей"; | |
пункт 7.1.7 исключить;
в пунктах 8.1.2.1.3 и 8.1.2.3 коды ТН ВЭД "8544 70 000 0; 9001 10; 7326 90 800 0" заменить кодами ТН ВЭД "7326 90 800 0; 8544 70 000 0; 9001 10";
в пункте 8.1.2.8, подпункте "б" пункта 8.1.2.9 и в примечании к нему слова ", управляемого встроенной программой" исключить;
в пункте 8.1.2.15.2.2 коды ТН ВЭД "8501 34 990 0; 8501 34 500 0" заменить кодами ТН ВЭД "8501 34 500 0; 8501 34 990 0":
пункт 9.1.1 изложить в следующей редакции:
| "9.1.1. | Газотурбинные авиационные двигатели, имеющие любое из следующего: | 8411 11 900 0;
8411 81;
8411 82"; |
| | а) использующие любые технологии, контролируемые по пункту 9.5.3.1; или | |
| | Примечание. | |
| | По подпункту "а" пункта 9.1.1 не контролируются газотурбинные авиационные двигатели, удовлетворяющие всему нижеследующему: | |
| | а) сертифицированные гражданским авиационным ведомством государства, являющегося участником Вассенаарских договоренностей по экспортному контролю за обычными вооружениями, товарами и технологиями двойного применения (ВД); и | |
| | б) предназначенные для полета невоенного пилотируемого летательного аппарата, для которого государством, являющимся участником ВД, был выдан сертификат гражданского типа | |
| | б) разработанные для полета летательного аппарата, предназначенного для перемещения с крейсерской скоростью, равной 1 М или выше, в течение более 30 мин | |
пункт 2 особых примечаний к пункту 9.5.2 дополнить словами "см. пункт 1.5.2.6".
2. В разделе 2:
в пункте 3.2.1 слова "управляемые встроенной программой и" исключить;
в пункте 4.4.1 и подпункте "б" пункта 4.5.1 цифры "75 000" заменить цифрами "190 000";
в пункт 6.1.5 включить новый пункт 6.1.5.1 следующего содержания:
| "6.1.5.1. | Магнитометры, использующие технологии оптической накачки или ядерной прецессии (протонной/Оверхаузера), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) меньше (лучше) 2 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах; | 9015 80 110 0;
9015 80 930 0"; |
в пункте 6.1.5.1:
код ТН ВЭД "9015 80 930 0" заменить кодами ТН ВЭД "9015 80 110 0; 9015 80 930 0";
в примечании к пункту цифры "6.1.5.1" заменить цифрами "6.1.5.2";
считать пункт 6.1.5.1 пунктом 6.1.5.2;
пункт 6.1.5.2 исключить;
в примечании к пунктам 6.1.5.1 и 6.1.5.2 слова "По пунктам 6.1.5.1 и 6.1.5.2" заменить словами "По пункту 6.1.5";
в пункте 8.1.2.2 слова "управляемого встроенной программой," исключить.
3. В разделе 3 категорию 4 и ее пункты изложить в следующей редакции:
| "КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА - нет". | |
4. В разделах 1-3:
в пунктах 1.1.2.1 и 1.1.2.2.1 раздела 1, пунктах 1.1.1.1 и 1.1.1.2.1 раздела 2 и в пункте 1.1.1 раздела 3 код ТН ВЭД "3926 90 910 0" заменить кодом ТН ВЭД "3926 90 910 9";
в пункте 6.1.1.1.2.1:
подпункты "а" и "б" изложить в следующей редакции:
| "а) включающие непрерывные гибкие чувствительные элементы; | 9014 80 000 0;
9015 80 110 0;
9015 80 930 0 |
| | б) включающие гибкие сборки дискретных чувствительных элементов с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм; | 9014 80 000 0;
9015 80 110 0;
9015 80 930 0 |
| | в) имеющие любые из следующих чувствительных элементов: | 9014 80 000 0;
9015 80 930 0"; |
| | волоконно-оптические; | |
| | пьезоэлектрические из полимерных пленок, отличные от поливинилиденфторида (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDF-TFE)} ({поли(винилиденфторидтрифторэтилен) и поли(винилиденфторидтетрафторэтилен)}); или | |
| | гибкие пьезоэлектрические из композиционных материалов; | |
подпункты "в" и "г" считать соответственно подпунктами "г" и "д";
дополнить пункт после примечания техническими примечаниями (новыми для раздела 1) следующего содержания:
| "Технические примечания: | |
| | 1. Пьезоэлектрические чувствительные элементы из полимерной пленки состоят из поляризованной полимерной пленки, которая натянута на несущую конструкцию или катушку (сердечник) и прикреплена к ним | |
| | 2. Гибкие пьезоэлектрические чувствительные элементы из композиционного материала состоят из пьезоэлектрических керамических частиц или волокон, распределенных в электроизоляционном акустически прозрачном резиновом, полимерном или эпоксидном связующем, которое является неотъемлемой частью чувствительного элемента;"; | |
в пункте 6.1.1.1.2.2:
подпункт "а" дополнить словами ", или имеющие возможность модификации для расположения гидрофонных групп с шагом менее 12,5 м";
в техническом примечании к подпункту "б" слово "подпункте" заменить словами "подпунктах "а" и";
в пункте 9.5.3.1.1 слова "напряжении 200 Мпа" заменить словами "напряжении 200 МПа".
5. В разделе 4:
в пункте 12.2.1.1.2 код ТН ВЭД "9032 89 900 00" заменить кодом ТН ВЭД "9032 89 900 0";
в пункте 18.1.1.1 код ТН ВЭД "8421 39 300 0" заменить кодом ТН ВЭД "842139 300 9".
6. В примечаниях к Списку:
пункт 1 дополнить абзацем следующего содержания:
"Оборудование, подпадающее под контроль по пунктам разделов 1-3 настоящего Списка, но специально разработанное для конечного использования в медицинских целях, не контролируется.";
в пункте 4:
слова "АРП - асинхронный режим передачи (категория 5)." исключить;
термин "Асинхронный режим передачи" и его определение исключить;
в термине "Распределяемые Международным союзом электросвязи":
слово "Радиоуставом" заменить словами "текущей редакцией Радиоустава";
слова "(издание 1998 года)" исключить;
слова "категории 3 и" заменить словами "категория 3 и часть 1 категории";
термин "Управляемое встроенной программой", его определение и техническое примечание к нему исключить.