Указ Президента РФ от 05.05.2004 N 580

"Об утверждении списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль"
Редакция от 04.12.2008 — Документ утратил силу, см. «Указ Президента РФ от 17.12.2011 N 1661»
Показать изменения

ПРЕЗИДЕНТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

УКАЗ
от 5 мая 2004 г. N 580

ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ

(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)

В целях защиты национальных интересов, обеспечения выполнения международных обязательств Российской Федерации по экспортному контролю за товарами и технологиями двойного назначения и в соответствии со статьей 6 Федерального закона от 18 июля 1999 г. N 183-ФЗ "Об экспортном контроле" постановляю:

1. Утвердить представленный Правительством Российской Федерации Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль (прилагается).

2. Установить, что коды Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Российской Федерации, приведенные в Списке товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, при необходимости могут уточняться Федеральной таможенной службой по согласованию с Федеральной службой по техническому и экспортному контролю. (в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

3. Признать утратившими силу:

Указ Президента Российской Федерации от 26 августа 1996 г. N 1268 "О контроле за экспортом из Российской Федерации товаров и технологий двойного назначения" (Собрание законодательства Российской Федерации, 1996, N 36, ст. 4197);

Указ Президента Российской Федерации от 4 января 1999 г. N 6 "О внесении изменений и дополнений в Список товаров и технологий двойного назначения, экспорт которых контролируется, утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 26 августа 1996 г. N 1268 "О контроле за экспортом из Российской Федерации товаров и технологий двойного назначения" (Собрание законодательства Российской Федерации, 1999, N 2, ст. 265);

Указ Президента Российской Федерации от 29 февраля 2000 г. N 447 "О внесении изменений и дополнений в Список товаров и технологий двойного назначения, экспорт которых контролируется, утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 26 августа 1996 г. N 1268 "О контроле за экспортом из Российской Федерации товаров и технологий двойного назначения" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2000, N 10, ст. 1115);

Указ Президента Российской Федерации от 9 августа 2000 г. N 1477 "О внесении изменений и дополнений в Список товаров и технологий двойного назначения, экспорт которых контролируется, утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 26 августа 1996 г. N 1268 "О контроле за экспортом из Российской Федерации товаров и технологий двойного назначения" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2000, N 33, ст. 3354);

Указ Президента Российской Федерации от 11 апреля 2001 г. N 412 "О внесении дополнения в Список товаров и технологий двойного назначения, экспорт которых контролируется, утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 26 августа 1996 г. N 1268 "О контроле за экспортом из Российской Федерации товаров и технологий двойного назначения" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2001, N 16, ст. 1566);

Указ Президента Российской Федерации от 28 сентября 2001 г. N 1156 "О внесении изменений и дополнений в Список товаров и технологий двойного назначения, экспорт которых контролируется, утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 26 августа 1996 г. N 1268 "О контроле за экспортом из Российской Федерации товаров и технологий двойного назначения" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2001, N 40, ст. 3826).

4. Настоящий Указ вступает в силу через три месяца со дня его официального опубликования.

Президент
Российской Федерации
В.ПУТИН

Москва, Кремль

5 мая 2004 года

N 580

УТВЕРЖДЕН
Указом Президента
Российской Федерации
от 5 мая 2004 г. N 580

СПИСОК
ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ

(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)

РАЗДЕЛ 1

N пункта Наименование <*> Код ТН ВЭД <**>
  КАТЕГОРИЯ 1. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ  
1.1. Системы, оборудование и компоненты  
1.1.1. Компоненты, изготовленные из фторированных соединений:  
1.1.1.1. Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или топливные диафрагмы, специально разработанные для применения в летательных или аэрокосмических аппаратах и изготовленные из материалов, содержащих более 50 % (по весу) любого материала, определенного в пункте 1.3.9.2 или 1.3.9.3; 3919 90 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)

<*>См. общее примечание к настоящему Списку.

<**>Здесь и далее код ТН ВЭД - код Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Российской Федерации.

1.1.1.2. Пьезоэлектрические полимеры и сополимеры в виде листа или пленки толщиной более 200 мкм, изготовленные из фтористых винилиденовых материалов, определенных в пункте 1.3.9.1; 3921 90 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.1.3. Уплотнения, прокладки, седла клапанов, диафрагмы или мембраны, изготовленные из фторэластомеров, содержащих по крайней мере одну группу винилового эфира как структурную единицу, специально разработанные для летательных, аэрокосмических аппаратов или ракет 3919 90 900 0
1.1.2. Конструкции из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, имеющие любую из следующих составляющих:  
1.1.2.1. Состоящие из органической матрицы и материалов, определенных в пункте 1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5; или 3926 90 910 0; 3926 90 980
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
1.1.2.2. Состоящие из металлической или углеродной матрицы и любого из следующего:  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.1.2.2.1. Углеродных волокнистых или углеродных нитевидных материалов, имеющих все следующие характеристики: 3801;
3926 90 910 0;
3926 90 980;
6903 10 000 0
  а) удельный модуль упругости, превышающий 10,15 х 10^6 м; и
  б) удельную прочность при растяжении, превышающую 17,7 х 10^4 м; или
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.2.2.2. Материалов, в пункте 1.3.10.3  
  Примечания:  
  1. Пункт 1.1.2 не применяется к элементам конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры с размерами, не превышающими 100 см х 100 см, изготовленным из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта гражданских летательных аппаратов  
  2. Пункт 1.1.2 не применяется к полностью или частично изготовленным конструкциям, специально разработанным для следующего только гражданского использования:  
  а) в спортивных товарах;  
  б) в автомобильной промышленности;  
  в) в станкостроительной промышленности;  
  г) в медицинских целях  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункты 1.1.1 - 1.1.1.2.2 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3  
1.1.3. Изделия из нефторированных полимерных материалов, определенных в пункте 1.3.8.1.3, в виде пленки, листа, ленты или полосы, имеющие любую из следующих характеристик: 3919 90 900 0;
3920 99 900 0
  а) толщину более 0,254 мм; или  
  б) покрытие или ламинирование углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Пункт 1.1.3 не применяется к изделиям, покрытым или ламинированным медью и разработанным для производства электронных печатных плат  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.4. Защитное снаряжение, аппаратура систем обнаружения и комплектующие изделия, не специально разработанные для военного применения:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.4.1. Противогазы, коробки противогазов с фильтрами и оборудование для их обеззараживания, разработанные либо модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты: 9020 00 000 0
  а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях;  
  б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях;  
  в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии; или  
  г) химических средств для борьбы с массовыми беспорядками, включающих:  
  альфа-бромбензацетонитрил (бромбензил цианид) (СА) (КАС 5798-79-8);  
  [(2-хлорфенил) метилен] пропандинитрил (о-хлорбензальмалононитрил) (CS) (КАС 2698-41-1);  
  2-хлор-1-фенил-этанон, хлористый фенацил (омега-хлорацетофенон) (CN) (КАС 532-27-4);  
  дибенз-(b,f)-1,4-оксазепин (CR) (КАС 257-07-8);  
  10-хлор-5,10-дигидрофенарсазин, (хлористый фенарсазин), (адамсит) (DM) (KAC 578-94-9);  
  N-нонилморфолин (МРА) (КАС 5299-64-9);  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.4.2. Защитные костюмы, перчатки и обувь, специально разработанные или модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов: 3926 20 000 0;
4015 19 900 0;
4015 90 000 0;
6204 23;
6210 40 000 0;
6210 50 000 0;
6216 00 000 0;
6401 92;
6401 99 000 0;
6402 91;
6402 99 100 0;
6402 99 930 0;
6404 19 900 0
  а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях;
  б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или
  в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.4.3. Системы, специально разработанные или модифицированные для обнаружения или распознавания любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты: 9027 10 100 0;
9027 10 900 0;
9027 80 170 0;
9027 80 970 0;
9027 90 800 0;
9030 10 000 0;
9030 89 300 0;
9030 89 900 0;
9030 90 850 0";
  а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях;
  б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или
  в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Пункт 1.1.4 не применяется:  
  а) к персональным радиационным дозиметрам;  
  б) к снаряжению или системам, ограниченным конструктивно или функционально применением в технике безопасности в гражданских областях, таких, как горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Технические примечания:  
  1. Пункт 1.1.4 включает снаряжение, системы и их компоненты, которые были сертифицированы, либо их работоспособность в отношении обнаружения или защиты от радиоактивных материалов, бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях, токсичных химикатов, используемых в химическом оружии, имитирующих продуктов (заменителей) или химических средств для борьбы с массовыми беспорядками была подтверждена испытаниями, проведенными в соответствии с национальными стандартами, или иным способом, даже если такие системы, снаряжение или их компоненты используются в гражданских областях, таких, как горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность  
  2. Имитирующие продукты (заменители) - вещества или материалы, которые используются вместо токсичных веществ (химических или биологических) для обучения, исследования, опробования или оценки";  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)  
1.1.5. Бронежилеты и специально разработанные для них компоненты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям и не равноценные им по характеристикам 6211 43 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечания:  
  1. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам или защитной одежде которые вывозятся пользователем для собственной индивидуальной защиты  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 04.12.2008 N 1726)
  2. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для обеспечения только фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывных устройств  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  Для нитевидных и волокнистых материалов, используемых в производстве бронежилетов, см. пункт 1.3.10  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 04.12.2008 N 1726)
1.1.6. Оборудование, специально разработанное или модифицированное для обезвреживания самодельных взрывных устройств, приведенное ниже, а также специально разработанные компоненты и принадлежности для него:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.6.1. Дистанционно управляемые транспортные средства;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.6.2. Подрыватели (разрушители) 8424 30; 8424 89 000 9; 8479 89 970 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Техническое примечание.  
  Подрыватели (разрушители) - устройства, специально разработанные для предотвращения срабатывания взрывного устройства путем воздействия жидкостью, твердым или хрупким снарядом  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Пункт 1.1.6 не применяется к оборудованию, которое не является предметом передачи или обмена и сопровождается его оператором  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.7. Оборудование и устройства, специально разработанные для инициации зарядов и взрывных устройств воздействием электричества:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.7.1. Запускающие устройства (запальные системы), разработанные для приведения в действие детонаторов взрывчатого вещества, определенных в пункте 1.1.7.2; 8543 70 900 9; 9306 90 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.7.2. Электродетонаторы взрывчатого вещества, такие, как: 3603 00 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.7.2.1. Детонаторы с взрывающимся мостиком (ВМ) (искровые детонаторы);  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.7.2.2. Детонаторы с взрывающейся перемычкой из провода (токовые детонаторы);  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.7.2.3. Детонаторы с ударником (пробойником) (детонаторы ударного действия);  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.1.7.2.4. Инициаторы с взрывающейся фольгой  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Технические примечания:  
  1. Понятие "детонатор" также включает понятие "инициатор" или "зажигатель" 2. Для целей пункта 1.1.7.2 во всех описанных в нем детонаторах используется небольшой электрический проводник (мостик, перемычка из провода или фольга), который испаряется со взрывом, вызванным прохождением через него короткого сильноточного электрического импульса. В детонаторах безударного действия взрывающийся проводник инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним бризантном взрывчатом веществе, таком, как ТЭН (PETN) - тетранитропентаэритрит. В детонаторах ударного действия (типа "Слэппер") вызванное взрывом испарение электрического проводника приводит в действие боек или пробойник, который воздействует на взрывчатое вещество и инициирует химическую детонацию. В некоторых конструкциях ударник приводится в движение силой магнитного поля. Термин "инициатор со взрывающейся фольгой" может относиться как к ВМ, так и к детонатору ударного действия (типа "Слэппер")  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
1.2.1. Оборудование для производства волокон, препрегов, преформ или композиционных материалов, контролируемых по пункту 1.1.2 или 1.3.10, а также специально разработанные для него компоненты и вспомогательные устройства:  
1.2.1.1. Машины для намотки волокон, специально разработанные для производства конструкций из композиционных материалов слоистой структуры из волокнистых или нитевидных материалов, в которых движения, связанные с позиционированием, пропиткой и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более направлениям; 8445 40 000; 8445 90 000 1
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.2.1.2 Машины для выкладки ленты или жгута, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой ленты, жгута или их слоев, координируются и программируются по двум или более осям и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов; 8445 40 000; 8445 90 000 1
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.2.1.3. Многокоординатные ткацкие машины или машины для плетения, включая приспособления и устройства для плетения, ткачества, переплетения волокон, предназначенные для получения объемных структур, являющихся заготовками для конструкций из композиционных материалов 8446 21 000 0; 8447 90 000
  Техническое примечание.  
  Для целей пункта 1.2.1.3 плетение включает вязание  
  Примечание.  
  По пункту 1.2.1.3 не контролируется текстильное оборудование, не модифицированное для вышеуказанного конечного применения;  
1.2.1.4. Оборудование, специально разработанное или приспособленное для производства армирующих волокон:  
1.2.1.4.1. Оборудование для превращения полимерных волокон (таких, как полиакрилонитриловые, вискозные, пековые или поликарбосилановые) в углеродные или карбидкремниевые волокна, включая специальное оборудование для натяжения волокон при нагреве; 8456 10 00; 8456 90 000 0; 8515 80 990 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.2.1.4.2. Оборудование для химического осаждения элементов или соединений из паровой фазы на нагретую нитевидную подложку в целях производства карбидкремниевых волокон; 8419 89 989 0
1.2.1.4.3. Оборудование для получения тугоплавких керамических волокон (например, из оксида алюминия) по мокрому способу; 8445 90 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.2.1.4.4. Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна оксида алюминия; 8514 10 800 0; 8514 20 100 0; 8514 20 800 0; 8514 30 190 0; 8514 30 990 0; 8514 40 000 0
1.2.1.5. Оборудование для производства препрегов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, методом горячего плавления; 8451 80 800 9; 8477 59 100 0; 8477 59 800 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
1.2.1.6. Оборудование для неразрушающего контроля, специально разработанное для композиционных материалов, такое, как:  
1.2.1.6.1. Системы рентгеновской томографии для трехмерного обнаружения дефектов; 9022 12 000 0; 9022 19 000 0; 9022 29 000 0
1.2.1.6.2. Установки ультразвуковой дефектоскопии с числовым программным управлением, в которых перемещения для позиционирования трансмиттеров и/или приемников одновременно координируются и программируются по четырем или более осям, чтобы отслеживать трехмерные контуры обследуемого объекта 9031 80 380 0;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.2.2. Оборудование, специально разработанное для исключения загрязнения при производстве металлических сплавов, порошков металлических сплавов или легированных материалов и использования в одном из процессов, указанных в пункте 1.3.2.3.2  
1.2.3. Инструменты, пресс-формы, матрицы или арматура для формообразования в условиях сверхпластичности или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально разработанные для производства: 8207 30 100 0
  а) корпусных авиационных или аэрокосмических конструкций;  
  б) двигателей для летательных или аэрокосмических аппаратов; или  
  в) конструктивных элементов, специально разработанных для таких конструкций или двигателей  
1.3. Материалы  
  Техническое примечание.  
  Термины "металлы" и "сплавы", если специально не оговорено иное, относятся к следующим необработанным формам и полуфабрикатам:  
  а) необработанные формы - аноды, блюмы, болванки, брикеты, бруски, гранулы, губка, дробь, катоды, кольца, кристаллы, спеки, заготовки металла неправильной формы, листы, окатыши, плитки, поковки, порошки, прутки (включая надрубленные прутки и заготовки для проволоки), слитки, слябы, стаканы, сутунки, чушки, шары;  
  б) полуфабрикаты (независимо от того, имеют они плакирование, покрытие, сверления, пробитые отверстия или нет):  
  1) материалы, подвергнутые обработке давлением или иным способом, полученные путем прокатки, волочения, штамповки выдавливанием, ковки, штамповки ударным выдавливанием, прессования, гранулирования, распыления и размалывания, а именно: диски, изделия прессованные и штампованные, кольца, ленты, листы, плиты, поковки, полосы, порошки, профили, прутки (включая непокрытые сварочные прутки, присадочную проволоку и катанку), пудры, трубы круглого и квадратного сечения, уголки, фасонные профили, фольга и тонкие листы, чешуйки, швеллеры;  
  2) отливки, полученные литьем в любые формы (песчаные, металлические, гипсовые и другие), включая полученные литьем под давлением, а также спеченные заготовки и заготовки, полученные методами порошковой металлургии.  
  Цель контроля не должна нарушаться при экспорте не указанных выше заготовок или полуфабрикатов, выдаваемых за готовые изделия, но, по существу, представляющих собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты  
1.3.1. Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитных волн, или полимеры, обладающие собственной проводимостью:  
1.3.1.1. Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от 2 х 10(8) Гц до 3 х 10(12) Гц 3815 19; 3910 00 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечания:  
  1. По пункту 1.3.1.1 не контролируются:  
  а) поглотители войлочного типа, изготовленные из натуральных и синтетических волокон, содержащие немагнитный наполнитель;  
  б) поглотители, не имеющие магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности;  
  в) плоские поглотители, обладающие всеми следующими признаками:  
  1) изготовленные из любых следующих материалов: вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +/15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 450 К (177 град. С); или керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +/15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 К (527 град. С);  
  2) прочностью при растяжении менее 7 х 10(6) Н/кв. м; и  
  3) прочностью при сжатии менее 14 х 10(6) Н/кв. м;  
  г) плоские поглотители, выполненные из спеченного феррита, имеющие: удельный вес более 4,4 г/куб. см; и максимальную рабочую температуру 548 К (275 град. С)  
  2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках  
  Техническое примечание.  
  Образцы для проведения испытаний на поглощение, приведенные в подпункте 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1, должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента;  
1.3.1.2. Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 1,5 х 10(14) Гц, но ниже чем 3,7 х 10(14) Гц,и непрозрачные для видимого света; 3815 19; 3910 00 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.1.3. Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/кв. м, полученные на основе любого из следующих полимеров:  
1.3.1.3.1. Полианилина; 3909 30 000 0
1.3.1.3.2. Полипиррола; 3911 90 990 0
1.3.1.3.3. Политиофена; 3911 90 990 0
1.3.1.3.4. Полифенилен-винилена; или 3911 90 990 0
1.3.1.3.5. Политиенилен-винилена 3919 90 900 0
  Техническое примечание.  
  Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом  
  Особое примечание.  
  В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5, см. также пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5 разделов 2 и 3  
1.3.2. Металлические сплавы, порошки металлических сплавов и легированные материалы следующих типов:  
1.3.2.1. Алюминиды:  
1.3.2.1.1. Алюминиды никеля, содержащие от 15 до 38% (по весу) алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент; 7502 20 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.2.1.2. Алюминиды титана, содержащие 10% (по весу) или более алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент; 8108 20 000;
8108 90 300 9;
8108 90 500 9;
8108 90 600 9;
8108 90 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.2.2. Металлические сплавы, изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.2.3:  
1.3.2.2.1. Никелевые сплавы с: 7502 20 000 9
  а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 676 МПа и температуре 923 К (650 град. С); или  
  б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 823 К (550 град. С) и максимальном напряжении цикла 1095 МПа;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.2.2.2. Ниобиевые сплавы с: 8112 92 310 0;
  а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 400 МПа и температуре 1073 К (800 град. С); или 8112 99 300 0
  б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 973 К (700 град. С) и максимальном напряжении цикла 700 МПа;  
1.3.2.2.3. Титановые сплавы с: 8108 20 000;
  а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 200 МПа и температуре 723 К (450 град. С); или 8108 90 300 9;
8108 90 500 9;
8108 90 600 9;
8108 90 900 9
  б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 723 К (450 град. С) и максимальном напряжении цикла 400 МПа;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.2.2.4. Алюминиевые сплавы с пределом прочности при растяжении: 7601 20;
7604 29 100 9;
  а) 240 МПа или выше при температуре 473 К (200 град. С); или 7608 20 810 9;
7608 20 890 9
  б) 415 МПа или выше при температуре 298 К (25 град. С);  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.2.2.5. Магниевые сплавы: 8104
  а) с пределом прочности при растяжении 345 МПа или выше; и  
  б) со скоростью коррозии в 3-процентном водном растворе хлорида натрия менее 1 мм в год, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом;  
1.3.2.3. Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики:  
1.3.2.3.1. Изготовленные из любых следующих по составу систем:  
  Техническое примечание.  
  X в дальнейшем соответствует одному или более легирующим элементам  
1.3.2.3.1.1. Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), для деталей или компонентов газотурбинных двигателей, содержащие менее трех неметаллических частиц размером более 100 мкм (введенных в процессе производства) на 10(9) частиц сплава; 7504 00 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.2.3.1.2. Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti); 8112 92 310 0
1.3.2.3.1.3. Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al); 8108 20 000 5
1.3.2.3.1.4. Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или 7603
1.3.2.3.1.5. Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и 8104 30 000 0
1.3.2.3.2. Изготовленные в контролируемой среде с использованием одного из нижеследующих процессов:  
  а) вакуумное распыление;  
  б) газовое распыление;  
  в) центробежное распыление;  
  г) скоростная закалка капли;  
  д) спиннингование расплава и последующее измельчение;  
  е) экстракция расплава и последующее измельчение; или  
  ж) механическое легирование;  
1.3.2.3.3. Могущие быть исходными материалами для получения сплавов, контролируемых по пункту 1.3.2.1 или 1.3.2.2;  
1.3.2.4. Легированные материалы, характеризующиеся всем нижеследующим: 7504 00 000 9;
7505 12 000 9;
7506;
  а) изготовлены из любых систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1; 7603 20 000 0;
7604 29 100 9;
  б) имеют форму неизмельченных чешуек, ленты или тонких стержней; и 7606 12 910 9;
606 92 000 0;
7607 19;
  в) изготовлены в контролируемой среде любым из следующих методов: скоростная закалка капли; спиннингование расплава; или экстракция расплава 8104 30 000 0;
8104 90 000 0;
8108 20 000;
8108 90 300 9;
8108 90 500 9;
8112 92 200 9;
8112 92 310 0;
8112 99 300 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 1.3.2 не контролируются металлические сплавы, порошки металлических сплавов или легированные материалы для подложек покрытий  
  Технические примечания:  
  1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся сплавы, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем любых других элементов  
  2. Ресурс длительной прочности следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM Е-139 или ее национальным эквивалентом  
  3. Малоцикловую усталость следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Технические рекомендации по испытаниям на малоцикловую усталость при постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом.
Образцы должны нагружаться в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации напряжения (K_t), равном единице.
Средний показатель нагрузки определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку
 
1.3.3. Магнитные металлические материалы всех типов и в любой форме, имеющие какую-нибудь из следующих характеристик:  
1.3.3.1. Начальную относительную магнитную проницаемость 120 000 или более и толщину 0,05 мм или менее 8505 11 000 0; 8505 19 100 0; 8505 19 900 0
  Техническое примечание.  
  Измерение начальной относительной магнитной проницаемости следует проводить на полностью отожженных материалах;  
1.3.3.2. Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик: 2803 00; 2846 90 000 0
  а) магнитострикцию насыщения более 5 х 10(-4) ; или  
  б) коэффициент магнитомеханического взаимодействия (к) более 0,8; или  
1.3.3.3. Ленты из аморфных или нанокристаллических сплавов, имеющие все следующие характеристики: 7226 11 000 0; 7506; 8105
  а) содержание железа, кобальта или никеля не менее 75% (по весу);  
  б) магнитную индукцию насыщения (B_s) 1,6 Т или более; и  
  в) любое из нижеследующего: толщину ленты 0,02 мм или менее; или удельное электрическое сопротивление 2 х 10(-4) Ом.см или более  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  К нанокристаллическим материалам, указанным в пункте 1.3.3.3, относятся материалы, имеющие размер кристаллических зерен 50 нм или менее, определенный методом рентгеновской дифракции  
1.3.4. Урано-титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики: 2844 10 900 0; 8101 94 000 0; 8101 96 000 0; 8101 99 100 0; 8101 99 900 0;
  а) плотность выше 17,5 г/куб. см; 8108 20 000;
  б) предел упругости выше 880 МПа; 8108 90 300 9;
  в) предел прочности при растяжении выше 1270 МПа; и 8108 90 500 9; 8108 90 600 9;
  г) относительное удлинение более 8% 8108 90 900 9
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
1.3.5. Следующие сверхпроводящие проводники из композиционных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г:  
1.3.5.1. Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащих одну или несколько ниобий-титановых нитей, имеющих все нижеследующее: 8544
  а) уложенных в матрицу не из меди или не на основе меди; и  
  б) имеющих площадь поперечного сечения менее 0,28 x 10(-4) кв. мм (6 мкм в диаметре для нитей круглого сечения);  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.5.2. Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобийтитана, имеющих все нижеперечисленное: 8544
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  а) критическую температуру при нулевом магнитном поле, превышающую 9,85 К (-263,31 °C); и  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Подпункт б) - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)  
  б) остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре 4,2 К (-268,96 °C) в магнитном поле, ориентированном в любых направлениях, перпендикулярных продольной оси проводника, и соответствующем магнитной индукции 12 Т, при пропускании электрического тока критической плотностью более 1750 А/кв. мм по всему сечению проводника;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.5.3. Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре выше 115 К (-158,16 °C) 8544
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Для целей пункта 1.3.5 нити могут быть в виде проволоки, цилиндра, пленки, ленты или полосы  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.6. Жидкости и смазочные материалы:  
1.3.6.1. Гидравлические жидкости, содержащие в качестве основных составляющих любые из следующих соединений или материалов:  
1.3.6.1.1. Синтетические кремнийуглеводородные масла, имеющие все следующие характеристики: 3910 00 000 9
  а) температуру воспламенения выше 477 К (204 град. С); б) температуру застывания 239 К (-34 град. С) или ниже;  
  в) индекс вязкости 75 или более; г) термостабильность при температуре 616 К (343 град. С) или выше; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.6.1.2. Хлорофторуглероды, имеющие все следующие характеристики: 2812; 2826;
  а) температуру воспламенения не имеют; 2903 41 000 0; 2903 42 000 0;
  б) температуру самовоспламенения выше 977 К (704 град. С); 2903 43 000 0; 2903 44;
  в) температуру застывания 219 К (-54 град. С) или ниже; 2903 45; 3819 00 000 0;
  г) индекс вязкости 80 или более; и 3824 71 000 0
  д) температуру кипения 473 К (200 град. С) или выше  
  Технические примечания:  
  1. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.1, кремнийуглеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод  
  2. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.2, хлорофторуглероды содержат исключительно углерод, фтор и хлор;  
1.3.6.2. Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие соединения или материалы:  
1.3.6.2.1. Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функциональных групп или их смесей; или 2909 30 900 0; 2930 90 850 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.6.2.2. Фторированные кремнийорганические жидкости, имеющие кинематическую вязкость менее 5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 К (25 град. С); 3910 00 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.6.3. Амортизаторные или флотационные жидкости с чистотой более 99,8%, содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и полученные по меньшей мере на 85% из любых следующих соединений или материалов:  
1.3.6.3.1. Дибромтетрафторэтана; 2903 46 900 0
1.3.6.3.2. Полихлортрифторэтилена (только маслообразные и воскообразные модификации); или 3904 69 900 0
1.3.6.3.3. Полибромтрифторэтилена; 3904 69 900 0
1.3.6.4. Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, имеющие все следующие характеристики: 2903 41 000 0;
2903 42 000 0;
2903 45 100 0;
  а) содержащие 85% (по весу) или более любого из следующих веществ или любой из их смесей: мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров; перфторалкиламинов; перфторциклоалканов; или перфторалканов; 3824 90 980 9
  б) плотность 1,5 г/мл или более при температуре 298 К (25 град. С);  
  в) жидкое состояние при температуре 273 К (0 град. С); и  
  г) содержащие фтора 60% (по весу) или более  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Для целей, указанных в пункте 1.3.6:  
  а) температура воспламенения определяется с использованием метода Кливлендской открытой чашки, описанного в стандартной методике ASTM D-92 или ее национальном эквиваленте;  
  б) температура застывания определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-97 или ее национальном эквиваленте;  
  в) индекс вязкости определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-2270 или ее национальном эквиваленте;  
  г) термостабильность определяется в соответствии со следующей методикой испытаний или ее национальным эквивалентом: 20 мл испытуемой жидкости помещается в камеру объемом 46 мл из нержавеющей стали типа 317, содержащую шары номинального диаметра 12,5 мм из инструментальной стали М-10, стали марки 52100 и корабельной бронзы (60% Сu, 39% Zn , 0,75% Sn). Камера наполняется азотом, герметизируется при давлении, равном атмосферному, температура повышается до (644 +/- 6) К [(371 +/- 6) град. С] и выдерживается в течение шести часов.  
  Образец считается термостабильным, если по завершении вышеописанной процедуры удовлетворены следующие требования: потеря веса каждым шаром не превышает 10 мг/кв. мм его поверхности; изменение первоначальной вязкости, определенной при температуре 311 К (38 град. С), не превышает 25%; суммарное кислотное или основное число не превышает 0,40;  
  д) температура самовоспламенения определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM Е-659 или ее национальном эквиваленте  
1.3.7. Исходные керамические материалы, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры:  
1.3.7.1. Исходные материалы из простых или сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, менее 5000 частей на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньше 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм; 2850 00 900 0
1.3.7.2. Некомпозиционные керамические материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98% или более от теоретической плотности 2850 00 900 0
  Примечание.  
  По пункту 1.3.7.2 не контролируются абразивы;  
1.3.7.3. Композиционные материалы типа керамика-керамика со стеклянной или оксидной матрицей, армированной волокнами, имеющими все следующие характеристики: 2849; 2850 00; 8803 90 200 0; 8803 90 300 0; 8803 90 900 0;
  а) изготовлены из любых нижеследующих материалов: Si-N; Si-C; Si-Al-O-N; или Si-O-N; и 9306 90
  б) имеют удельную прочность при растяжении, превышающую 12,7 х 10(3) м;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.7.4. Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора 2849 20 000 0; 2849 90 100 0; 2850 00 200 0; 8113 00 200 0; 8113 00 900 0
  Особое примечание.  
  В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.7.3 и 1.3.7.4, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2;  
1.3.7.5. Следующие материалы-предшественники (то есть полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, контролируемых по пункту 1.3.7.3: 3910 00 000 9
  а) полидиорганосиланы (для производства карбида кремния); б) полисилазаны (для производства нитрида кремния);  
  в) поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами);  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.7.6. Композиционные материалы типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными матрицами, армированными непрерывными волокнами любой из следующих систем: 6903; 6914 90 900 0
  а) AL2O3 ; или б) Si-C-N  
  Примечание.  
  По пункту 1.3.7.6 не контролируются композиционные материалы, армированные указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 К (1000 град. С) или деформацию ползучести более 1% при напряжении 100 МПа и температуре 1273 К (1000 град. С) за 100 ч  
1.3.8. Нефторированные полимерные вещества:  
1.3.8.1. Нижеперечисленные вещества:  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.8.1.1. Бисмалеимиды; 2925 19 950 0
1.3.8.1.2. Ароматические полиамид-имиды; 3908 90 000 0
1.3.8.1.3. Ароматические полиимиды; 3911 90 990 0
1.3.8.1.4. Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 513 К (240 град. С) 3907 20 990 0; 3907 91 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Примечания:  
  1. По пункту 1.3.8.1 контролируются вещества в жидкой или твердой форме, в том числе в виде смол, порошков, гранул, пленок, листов, лент или полос  
  2. По пункту 1.3.8.1 не контролируются неплавкие порошки, используемые для изготовления форм литья под давлением или фасонных форм;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.8.2. Термопластичные жидкокристаллические сополимеры, имеющие температуру термодеформации выше 523 К (250 град. С), измеренную в соответствии с международным стандартом ISO 75-2 (2004), метод А, или его национальным эквивалентом при нагрузке 1,80 Н/кв. мм, и состоящие из: 3907 91 900 0
  а) любой из следующих групп: фенилена, бифенилена или нафталена; или метил, трет-бутил или фенилзамещенного фенилена, бифенилена или нафталена; и  
  б) любой из следующих кислот: терефталевой кислоты; 6-гидрокси-2 нафтойной кислоты; 4-гидроксибензойной кислоты;  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
Пункты 1.3.8.3 - 1.3.8.3.4. - Исключены.
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.8.3. Полиариленовые кетоны; 3907 99
1.3.8.4. Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации; 3911 90 190 0
1.3.8.5. Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 513 К (240 град. С) 3911 90 190 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Температура перехода в стеклообразное состояние (T ) для g материалов, контролируемых по пункту 1.3.8, определяется с использованием метода, описанного в международном стандарте ISO 11357-2 (1999) или его национальном эквиваленте  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
1.3.9. Необработанные фторированные соединения:  
1.3.9.1. Сополимеры винилидена фторида (1,1 - дифторэтилена), содержащие 75% или более бета-кристаллической структуры, полученной без вытягивания; 3904 69 900 0
1.3.9.2. Фторированные полиимиды, содержащие 10% (по весу) или более связанного фтора; 3904 69 900 0
1.3.9.3. Фторированные фосфазеновые эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора 3904 69 900 0
1.3.10. Нитевидные или волокнистые материалы, которые могут быть использованы в композиционных материалах объемной или слоистой структуры с органической, металлической или углеродной матрицей:  
1.3.10.1. Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: 5402 11 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0;
  а) удельный модуль упругости более 12,7 х 10(6) м; и 5501 10 000 1; 5503 11 000 0
  б) удельную прочность при растяжении более 23,5 х 10(4) м  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 1.3.10.1 не контролируется полиэтилен;  
1.3.10.2. Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: 6815 10 100 0
  а) удельный модуль упругости более 12,7 х 10(6) м; и  
  б) удельную прочность при 4 растяжении более 23,5 х 10 м  
  Техническое примечание.  
  Свойства материалов, указанных в пункте 1.3.10.2, должны определяться методами 12 - 17 (SRM 12 - 17), рекомендуемыми Ассоциацией производителей современных композиционных материалов (SACMA), или их национальным эквивалентом, и должны основываться на средних значениях из большого количества измерений  
  Примечание.  
  По пункту 1.3.10.2 не контролируются ткани, изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта конструкций гражданских летательных аппаратов или листы слоистой структуры, размеры которых не превышают 100 см x 100 см;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.10.3. Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: 8101 96 000 0; 8101 99 900 0; 8108 90 300 9;
  а) удельный модуль упругости, превышающий 2,54 х 10(6) м; и 8108 90 900 9
  б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 К (1649 град. С)  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 1.3.10.3 не контролируются:  
  а) дискретные, многофазные, поликристаллические волокна оксида алюминия в виде рубленых волокон или беспорядочно уложенных в матах, содержащие 3% или более (по весу) диоксида кремния и имеющие удельный модуль упругости менее 10 х 10(6) м;  
  б) молибденовые волокна и волокна из молибденовых сплавов;  
  в) волокна бора;  
  г) дискретные керамические волокна с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде ниже 2043 К (1770 град. С);  
1.3.10.4. Волокнистые или нитевидные материалы:  
1.3.10.4.1. Состоящие из любого из нижеследующих материалов:  
1.3.10.4.1.1. Полиэфиримидов, контролируемых по пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4; или 5402 11 000 0; 5402 20 000 0; 5402 49 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 5501 10 000 1; 5501 20 000 0; 5501 90 000 0; 5503 11 000 0; 5503 20 000 0; 5503 90 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.10.4.1.2. Материалов, контролируемых по пунктам 1.3.8.2 - 1.3.8.6; или 5402 20 000 0; 5402 49 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 5501 20 000 0; 5501 90 000 0; 5503 20 000 0; 5503 90 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.10.4.2. Изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1 - 1.3.10.3  
  Особое примечание.  
  В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2, см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2 раздела 2;  
1.3.10.5. Волокна, пропитанные смолой или пеком (препреги), волокна, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы: 3801; 3926 90 980 5; 6815 10 100 0; 6815 10 900; 6815 99 900 0;
  а) изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1 - 1.3.10.3; 7019 11 000 0; 7019 12 000 0; 7019 19; 7019 40 000 0;
  б) изготовленные из органических или углеродных волокнистых или нитевидных материалов: с удельной прочностью при растяжении, превышающей 17,7 х 10(4) м; с удельным модулем упругости, превышающим 10,15 х 10(6) м; не контролируемых по пункту 1.3.10.1 или 1.3.10.2; и пропитанных материалами, контролируемыми по пункту 1.3.8 или 1.3.9.2, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (T_g) выше 383 К (110 град. С), фенольными либо эпоксидными смолами, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (T_g), равную или превышающую 418 К (145 град. С) 7019 51 000 0; 7019 52 000 0; 7019 59 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 1.3.10.5 не контролируются:  
  а) углеродные волокнистые или нитевидные материалы, пропитанные эпоксидной смолой (препреги), для ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов или листы слоистой структуры, имеющие размеры единичных листов препрегов, не превышающие 100 см x 100 см;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  б) препреги, если импрегнирующие фенольные или эпоксидные смолы имеют температуру перехода в стеклообразное состояние (T_g) ниже 433 К (160 град. С) и температуру отверждения ниже, чем температура перехода в стеклообразное состояние  
  Техническое примечание.  
  Температура перехода в стеклообразное состояние (T_g) для материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 3418, с применением сухого метода. Температура перехода в стеклообразное состояние для фенольных эпоксидных смол определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 4065, при частоте 1 Гц и скорости нагрева 2 град. С в минуту, с применением сухого метода  
Техническое примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
1.3.11. Следующие металлы и соединения:  
1.3.11.1. Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм сферической, пылевидной, сфероидальной форм, чешуйчатые или измельченные, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов 8104 30 000 0; 8109 20 000 0
  Техническое примечание.  
  При определении содержания циркония в него включается природная примесь гафния (обычно 2 - 7%)  
  Примечание.  
  Металлы или сплавы, указанные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;  
1.3.11.2. Бор или карбид бора чистотой 85% или выше в виде частиц размерами 60 мкм или менее 2804 50 100 0; 2849 90 100 0
  Примечание.  
  Металлы или соединения, указанные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;  
1.3.11.3. Гуанидин нитрат; 2825 10 000 0; 2834 29 800 0; 2904
1.3.11.4. Нитрогуанидин (NQ) 2925 29 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.3.12. Следующие материалы:  
1.3.12.1. Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу) 2844 20 510 0; 2844 20 590 0; 2844 20 990 0
  Примечание.  
  По пункту 1.3.12.1 не контролируются:  
  а) поставки, содержащие 1 г плутония или менее;  
  б) поставки, содержащие три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах;  
1.3.12.2. Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме 2844 40 200 0; 2844 40 300 0
  Примечание.  
  По пункту 1.3.12.2 не контролируются поставки, содержащие не более 1 г нептуния-237  
  Техническое примечание.  
  Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла  
  Особое примечание.  
  В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см. также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2 и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3  
1.4. Программное обеспечение  
1.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 1.2  
1.4.2. Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц  
  Особое примечание.  
  В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 1.4.2, см. также пункт 1.4.1 раздела 2  
1.4.3. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное, для того чтобы дать возможность оборудованию выполнять функции оборудования, контролируемого по пункту 1.1.4.3  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
1.5. Технология  
1.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 1.1.1.2, 1.1.1.3, 1.1.2 - 1.1.5, 1.2 или пункту 1.3  
  Особое примечание.  
  В отношении технологий, указанных в пункте 1.5.1, см. также пункт 1.5.1 разделов 2 и 3  
1.5.2. Иные нижеследующие технологии:  
1.5.2.1. Технологии разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолов;  
1.5.2.2. Технологии разработки или производства фторэластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер;  
1.5.2.3. Технологии разработки или производства следующих исходных материалов или некомпозиционных керамических материалов:  
1.5.2.3.1. Исходных материалов, обладающих всем нижеперечисленным:  
  а) любой из следующих композиций: простые или сложные оксиды циркония и сложные оксиды кремния или алюминия; простые нитриды бора (с кубической кристаллической решеткой); простые или сложные карбиды кремния или бора; или простые или сложные нитриды кремния;  
  б) суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем: 1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или 5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и  
  в) являющихся любым из следующего:  
  1) диоксидом циркония, имеющим средний размер частиц, равный или меньше 1 мкм, и не более 10% частиц с размером, превышающим 5 мкм;  
  2) другими исходными материалами, имеющими средний размер частиц, равный или меньше 5 мкм, и не более 10% частиц размером более 10 мкм; или  
  3) имеющих все следующее: пластинки, отношение длины к толщине которых превышает значение 5; нитевидные кристаллы диаметром менее 2 мкм, отношение длины к диаметру которых превышает значение 10; и непрерывные или рубленные волокна диаметром менее 10 мкм;  
1.5.2.3.2. Некомпозиционных керамических материалов, состоящих из материалов, указанных в пункте 1.5.2.3.1  
  Примечание.  
  По пункту 1.5.2.3.2 не контролируются технологии для разработки или производства абразивных материалов;  
1.5.2.4. Технологии производства ароматических полиамидных волокон;  
1.5.2.5. Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, контролируемых по пункту 1.3.1;  
1.5.2.6. Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, контролируемых по пункту 1.1.2, или материалов, контролируемых по пункту 1.3.7.3 или 1.3.7.4  
  Примечание.  
  По пункту 1.5.2.6 не контролируются технологии для ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащиеся в руководствах производителя летательных аппаратов  
1.5.2.7. Библиотеки (параметрические технические базы данных), специально разработанные или модифицированные, для того чтобы дать возможность оборудованию выполнять функции оборудования, контролируемого по пункту 1.1.4.3  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Для целей пункта 1.5.2.7 под термином "библиотека" (параметрическая техническая база данных) понимается совокупность технической информации, обращение к которой может улучшить рабочие характеристики соответствующего оборудования или систем  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

КАТЕГОРИЯ 2. ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ
2.1. Системы, оборудование и компоненты  
2.1.1. Подшипники или подшипниковые системы и их составные части:  
2.1.1.1. Шариковые и неразъемные роликовые радиальные и радиально-упорные подшипники качения, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 4 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения (ISO 5593) изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия 8482 10 100 9;
8482 10 900;
8482 30 000 9;
8482 40 000 9;
8482 50 000 9;
8482 91 900 0;
8482 99 000 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 2.1.1.1 не контролируются конические роликовые подшипники;  
2.1.1.2. Другие шариковые и неразъемные роликовые подшипники, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 2 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту 8482 10 100;
8482 10 900;
8482 30 000;
8482 40 000;
8482 50 000;
8482 80 000 9;
8482 91 900 0;
8482 99 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 2.1.1.2 не контролируются конические роликовые подшипники;  
2.1.1.3. Активные магнитные подшипниковые системы, характеризующиеся хотя бы одним из нижеперечисленных качеств: 8483 30 380 9;
8483 30 800 8; 8505 11 000 0;
8505 19 100 0;
  а) выполнены из материала с магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 МПа; 8505 19 900 0;
8505 90 100 0;
8505 90 900 0
  б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или  
  в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 К (177 град. С) и выше, позиционные датчики  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 2.1.1 не контролируются шарики с допусками, указанными производителем, в соответствии с международным стандартом ISO 3290, по степени точности 5 или ниже (хуже)  
2.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
  Технические примечания:  
  1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360°. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой)  
  2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым осуществляются другие относительные движения в станке. Такие оси включают:  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения"  
  4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения  
  5. Заявленная точность позиционирования для каждой модели станка, полученная в результате измерений, проведенных в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом, может использоваться для всех станков одной модели как альтернатива испытаниям отдельных станков. Заявленная точность позиционирования означает ее значение, представленное в качестве показателя точности станков модели конкретного исполнения специально уполномоченному федеральному органу исполнительной власти в области экспортного контроля. Определение показателя точности:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке;  
  б) измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997);  
  в) определяются величины показателей А для каждой оси каждого станка. Метод определения величины показателя А описан в стандарте ISO;  
  г) определяется среднее значение показателя А для каждой оси. Эта средняя величина A(ср.) становится заявленной величиной (A(ср.)х, A(ср.)y...) для всех станков данной модели;  
  д) поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего Списка, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей;  
  е) если любая из осей определенной модели станка, не контролируемого по пунктам 2.2.1.1 - 2.2.1.3, характеризуется показателем A(ср.), для шлифовальных станков равным 5 мкм или менее (лучше), для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм или менее (лучше), то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности  
2.2.1. Станки, указанные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими спецификациями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления, а также специально разработанные для них компоненты:  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Примечания:  
  1. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  2. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением любых из следующих деталей:  
  а) коленчатых или распределительных валов;  
  б) режущих инструментов;  
  в) червяков экструдеров;  
  г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий  
  3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Особое примечание.  
  Для станков чистовой обработки (финишных станков) оптики см. пункт 2.2.2  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
2.2.1.1. Токарные станки, имеющие все следующие характеристики: 8458; 8464 90 800 0;
  а) точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и 8465 99 100 0
  б) две или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления  
  Примечание.  
  По пункту 2.2.1.1 не контролируются токарные станки, специально разработанные для производства контактных линз, имеющие все следующие характеристики:  
  а) контроллер станка, ограниченный для применения в офтальмологических целях и основанный на программном обеспечении для частичного программируемого ввода данных; и  
  б) отсутствие вакуумного патрона;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
2.2.1.2. Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик: 8459 31 000 0; 8459 51 000 0;
  а) имеющие все следующие характеристики: точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; 8459 61; 8464 90 800 0; 8465 92 000 0
  б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;  
  в) для координатно-расточных станков точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; или  
  г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики: биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения;  
2.2.1.3. Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик: 8460 11 000; 8460 19 000 0;
  а) имеющие все следующие характеристики: точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или 8460 21; 8460 29; 8464 20 950 0; 8465 93 000 0
  б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 2.2.1.3 не контролируются следующие шлифовальные станки:  
  а) круглошлифовальные, внутришлифовальные и универсальные шлифовальные станки, обладающие всеми следующими характеристиками: предназначенные лишь для круглого шлифования; и с максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм;  
  б) станки, специально разработанные как координатно-шлифовальные, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)  
  в) плоскошлифовальные станки;  
2.2.1.4. Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; 8456 30
2.2.1.5. Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики: 8424 30 900 0;
8456 10 00;
8456 90 000 0
  а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов:  
  струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками;  
  электронным лучом; или лазерным лучом; и  
  б) имеющие две или более оси вращения, которые: могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и имеют точность позиционирования менее (лучше) 0,003 град.;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
2.2.1.6. Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм и специально разработанные для них компоненты 8458; 8459 21 000 0; 8459 29 000 0
2.2.2. Станки с числовым программным управлением для чистовой обработки (финишные станки) асферических оптических поверхностей с выборочным снятием материала, имеющие все следующие характеристики: 8464 20 110 0;
8464 20 190 0;
8464 20 950 0;
8465 93 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) осуществляющие доводку контура до менее (лучше) 1,0 мкм;  
  б) осуществляющие чистовую обработку до среднеквадратичного значения шероховатости менее (лучше) 100 нм;  
  в) имеющие четыре или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  г) использующие любой из следующих процессов: магнитореологической чистовой обработки (МРЧО); электрореологической чистовой обработки (ЭРЧО); чистовой обработки пучком частиц высокой энергии; чистовой обработки с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны; или жидкоструйной чистовой обработки  
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
  Техническое примечание.  
  Для целей пункта 2.2.2:  
  а) под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем;  
  б) под ЭРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную жидкость, вязкость которой регулируется электрическим полем;  
  в) под чистовой обработкой пучками высокоэнергетических частиц понимается процесс, использующий плазму атомов химически активных элементов или пучки ионов для избирательного съема материала;  
  г) под чистовой обработкой с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны понимается процесс, в котором используется мембрана под давлением, деформирующая изделие при контакте с ней на небольшом участке;  
  д) под жидкоструйной чистовой обработкой понимается процесс, использующий поток жидкости для съема материала  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
2.2.3. Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально предназначенные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (R_c = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328 8461 40 710 0; 8461 40 790 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
2.2.4. Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления: 8462 99
  а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и  
  б) любую из следующих характеристик: максимальное рабочее давление выше 207 МПа; регулируемые температуры выше 1773 К (1500 град. С); или оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения  
  Техническое примечание.  
  Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой  
2.2.5. Оборудование, специально разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования:  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
2.2.5.1. Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее: 8419 89 989 0
  а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов: CVD с пульсирующим режимом; термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и  
  б) включающее любое из следующего: высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше)) вращающиеся уплотнения; или средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
2.2.5.2. Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более; 8543 10 000 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
2.2.5.3. Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих: 8543 70 900 9
  а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или  
  б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
2.2.5.4. Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик: 8419 89 300 0; 8419 89 98
  а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или  
  б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
2.2.5.5. Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/кв. мм или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более; 8419 89 300 0; 8419 89 98
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
2.2.5.6. Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде; 8543 70 900 9
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
2.2.5.7. Производственное оборудование ионного осаждения, позволяющее осуществлять в процессе: 8543 70 900 9
  а) измерение толщины покрытия на подложке и управление скоростью осаждения; или  
  б) измерение оптических характеристик  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пунктам 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5 - 2.2.5.7 не контролируется оборудование химического осаждения из паровой фазы (CVD), катодно-дугового напыления, осаждения распылением, ионного осаждения или ионной имплантации, специально разработанное для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
2.2.6. Системы, оборудование и электронные сборки для измерения или контроля размеров:  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
2.2.6.1. Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие максимально допустимую погрешность показания (МДПП) по любому направлению в трехмерном пространстве в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах), определенную в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2001); 9031 80 320 0; 9031 80 340 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
2.2.6.2. Приборы для измерения линейных или угловых перемещений:  
2.2.6.2.1. Приборы для измерения линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих: 9031 49 900 0; 9031 80 320 0; 9031 80 340 0;
  а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм; 9031 80 910 0
  б) системы с индуктивными дифференциальными датчиками, имеющие все следующие характеристики: линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1% в день, при стандартной комнатной температуре +/- 1 К;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  в) измерительные системы, имеющие все следующие составляющие: содержащие лазер; и сохраняющие в течение по крайней мере 12 часов при температуре 20 град. C +/- 1 град. C все следующие характеристики:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  разрешение на полной шкале 0,1 мкм или меньше (лучше); и способность достигать погрешности измерения при компенсации показателя преломления воздуха, равной или меньше (лучше) (0,2 + L / 2000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах); или  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  г) электронные сборки, специально разработанные для обеспечения возможности обратной связи в системах, контролируемых по подпункту "в" пункта 2.2.6.2.1  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 2.2.6.2.1 не контролируются измерительные интерферометрические системы с автоматическим управлением, разработанным для применения техники без обратной связи, содержащие лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
2.2.6.2.2. Приборы для измерения угловых перемещений с погрешностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,00025 град. 9031 49 900 0; 9031 80 320 0; 9031 80 340 0; 9031 80 910 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 2.2.6.2.2 не контролируются оптические приборы, такие, как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
2.2.6.3. Оборудование для измерения чистоты поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше) 9031 49 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  Станки, которые могут быть использованы в качестве средств измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или превосходят критерии, установленные для параметров станков или измерительных приборов  
2.2.7. Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы: 8479 50 000 0; 8537 10 100 0; 8537 10 910 9; 8537 10 990 0
  а) способность в реальном масштабе времени осуществлять полную трехмерную обработку изображений или полный трехмерный анализ сцены с генерированием или модификацией программ либо с генерированием или модификацией данных для числового программного управления  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D);  
  б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами, которые могут быть использованы в военных целях;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Подпункт "б" пункта 2.2.7 не применяется к роботам, специально разработанным для применения в камерах для окраски распылением;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более 5 х 10(3) Гр (Si)[5 х 10(5) рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или  
  г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м  
2.2.8. Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или системы для контроля или измерения размеров:  
2.2.8.1. Линейные измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность менее (лучше) [800 + (600 х L x 10(-3))] нм (L - эффективная длина в миллиметрах) 9031
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Особое примечание.  
  Для лазерных систем см. также подпункты "в" и "г" пункта 2.2.6.2.1;  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 04.12.2008 N 1726)
2.2.8.2. Угловые измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность менее (лучше) 0,00025 град. 9031
  Особое примечание.  
  Для лазерных систем см. также пункт 2.2.6.2.2;  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 04.12.2008 N 1726)
2.2.8.3. Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, применение которых в соответствии с техническими характеристиками изготовителя может модифицировать станки до уровня, указанного в пункте 2.2, или выше 8466
2.2.9. Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики: 8462 21 100; 8462 21 800; 8463 90 000 0
  а) две или более контролируемые оси, по крайней мере две из которых могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и  
  б) усилие на ролике более 60 кН  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к гибочным станкам  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
2.3. Материалы - нет  
2.4. Программное обеспечение  
2.4.1. Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 2.4.2, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2;  
2.4.2. Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления  
  Примечания:  
  1. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для работы станков, не контролируемых по пунктам категории 2  
  2. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2. В отношении контроля за программным обеспечением для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2, см. пункт 2.4.1  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Особое примечание.  
  В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2  
2.5. Технология  
2.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 2.1, 2.2 или 2.4  
2.5.2. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2  
  Особое примечание.  
  В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2  
2.5.3. Иные нижеследующие технологии:  
2.5.3.1. Технологии для разработки интерактивной графики как встроенной части блока числового программного управления для подготовки или модификации программ обработки деталей;  
2.5.3.2. Технологии для производственных процессов металлообработки:  
2.5.3.2.1. Технологии для проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов:  
  а) формообразования в условиях сверхпластичности;  
  б) диффузионной сварки; или  
  в) гидравлического прессования прямого действия;  
2.5.3.2.2. Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры:  
  а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов: подготовка поверхности; скорость деформации; температура; давление;  
  б) для диффузионной сварки титановых сплавов или суперсплавов: подготовка поверхности; температура; давление;  
  в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов: давление; время цикла;  
  г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов: температура; давление; время цикла;  
2.5.3.3. Технологии для разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;  
2.5.3.4. Технологии для разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления;  
2.5.3.5. Технологии для разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;  
2.5.3.6. Технологии для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения внешних слоев неорганических покрытий, иных покрытий и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к настоящему пункту и примечаниях к ней  
  Особое примечание.  
  Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только при указанных в ней сочетаниях позиций в колонках "Получаемое покрытие" и "Подложки". Например, подлежат контролю технические характеристики процесса нанесения силицидного покрытия методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) на подложки из углерод-углерода и композиционных материалов с керамической или металлической матрицей. Однако, если подложка выполнена из металлокерамического карбида вольфрама (16) или карбида кремния (18), контроль не требуется, так как во втором случае получаемое покрытие не указано в соответствующей колонке для этих подложек (металлокерамический карбид вольфрама и карбид кремния)  

Таблица к пункту 2.5.3.6 Технические приемы нанесения покрытий

Процесс нанесения покрытия (1)* Подложки Получаемое покрытие
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) суперсплавы алюминиды на поверхности внутренних каналов
  керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, карбиды, диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
  углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора
  металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)
  молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
  бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
  материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом    
2.1. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
  керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) диэлектрические слои (15)
  коррозионно-стойкие стали (7) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
  углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
  металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)
  молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
  бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), бориды, бериллий
  материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15)
  титановые сплавы (13) бориды, нитриды
2.2. Ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение) керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей диэлектрические слои (15)
  металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) диэлектрические слои (15)
  молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
  бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15)
  материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
  углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) диэлектрические слои (15) диэлектрические слои (15)
  молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
  бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15)
  материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-дуговым разрядом суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5)
полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод (17)
3. Твердофазное диффузионное насыщение (10) углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей титановые сплавы (13) силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4) силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2)
  тугоплавкие металлы и сплавы (8) силициды, оксиды
4. Плазменное напыление суперсплавы MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никельграфитовый материал, истираемый никель-хромалюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2)
  алюминиевые сплавы (6) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4)
  тугоплавкие металлы и сплавы (8) алюминиды, силициды, карбиды
  коррозионно-стойкие стали (7) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
  титановые сплавы (13) карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никельграфитовый материал, истираемый никель-хромалюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир
5. Нанесение шликера тугоплавкие металлы и сплавы (8) оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов)
  углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
6. Осаждение распылением суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4)
  керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
  титановые сплавы (13) бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды
  углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
  металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
  молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
  бериллий и его сплавы бориды, диэлектрические слои (15), бериллий
  материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
  тугоплавкие металлы и сплавы (8) алюминиды, силициды, оксиды, карбиды
7. Ионная имплантация высокотемпературные подшипниковые стали титановые сплавы (13) присадки хрома, тантала или ниобия бориды, нитриды
  бериллий и его сплавы металлокерамический карбид вольфрама (16) бориды карбиды, нитриды

<*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.

Примечания к таблице:

1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий

2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов

3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия

4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице

5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, Х - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01 % (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22 % (по весу) хрома, менее 7 % (по весу) алюминия и менее 2 % (по весу) иттрия;

б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22-24 % (по весу) хрома, 10-12 % (по весу) алюминия и 0,5-0,7 % (по весу) иттрия;

в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21-23 % (по весу) хрома, 10-12 % (по весу) алюминия и 0,9-1,1 % (по весу) иттрия

6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 °С)

7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта

8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал

9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний

10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2

11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны

12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются

13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 °С)

14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20 °С) коэффициент линейного расширения 10(-7) K(-1) или менее

15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл

16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель

17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и прессформы для штамповки, оргтехника, микрофоны медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы (в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)

18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением

19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5 % (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами

Технические примечания к таблице:

Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера

Особые примечания:

а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;

б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;

в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении

2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.

Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.

Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:

а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;

б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;

в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку

Особое примечание.

Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку

д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса

3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:

а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.

Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 °С) до 1375 К (1102 °С) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия

4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости

Особые примечания:

а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 °С) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с. (в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)

5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия

6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку

Особые примечания:

а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;

б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ)

7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением

Некоторые пояснения к таблице.

Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:

1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:

1.1.1. Состав раствора:

1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;

1.1.2. Время обработки;

1.1.3. Температура ванны;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;

1.3. Параметры цикла термообработки:

1.3.1. Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав атмосферы;

1.3.1.2. Давление;

1.3.2. Температура термообработки;

1.3.3. Время термообработки;

1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:

1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:

1.4.1.1. Состав крошки, дроби;

1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;

1.4.1.3. Скорость крошки;

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;

1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;

1.5. Параметры маски:

1.5.1. Материал маски;

1.5.2. Расположение маски

2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:

2.1. Параметры атмосферы:

2.1.1. Состав;

2.1.2. Давление;

2.2. Время;

2.3. Температура;

2.4. Толщина;

2.5. Коэффициент преломления;

2.6. Контроль состава покрытия

3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:

3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость дроби;

3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;

3.3. Параметры цикла термообработки:

3.3.1. Параметры атмосферы:

3.3.1.1. Состав;

3.3.1.2. Давление;

3.3.2. Температура и время цикла;

3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки

4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:

4.1. Критерии для статистической выборки;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1. Увеличения;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности;

4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):

4.3.1. Коэффициент отражения;

4.3.2. Коэффициент пропускания;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние

5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:

5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):

5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;

5.1.2. Состав газа-носителя;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температура - время - давление циклов;

5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;

5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:

5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав газа-реагента;

5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;

5.2.5. Температура - время - давление циклов;

5.2.6. Управление пучком и подложкой;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1. Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:

5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;

5.3.2. Состав газа-носителя;

5.3.3. Температура - время - давление циклов;

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.4.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;

5.5. Для осаждения распылением:

5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;

5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;

5.5.3. Состав газа-реагента;

5.5.4. Напряжение смещения;

5.5.5. Температура - время - давление циклов;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Управление деталью (подложкой);

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1. Управление пучком и подложкой;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температура - время - давление циклов;

5.7. Для ионного осаждения:

5.7.1. Управление пучком и подложкой;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температура - время - давление циклов;

5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения

N пункта Наименование Код ТН ВЭД
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1. Системы, оборудование и компоненты  
  Примечания:  
  1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования  
  2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования  
  Особое примечание.  
  В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3  
3.1.1. Электронные компоненты:  
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:  
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: 8542
  а) суммарную дозу 5 х 10(3) Гр (Si) [5 х 10(5) рад] или выше;  
  б) мощность дозы 5 х 10(6) Гр (Si)/c [5 x 10(8) рад/с] или выше; или  
  в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 х 10(13) н/кв. см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов  
  Примечание.  
  Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДПструктуре);  
3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: 8542
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125 град. С);  
  б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 град. С); или  
  в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 град. С) до 398 К (+125 град. С)  
  Примечание.  
  Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным схемам, используемым для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц 8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; 8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.1.5. Следующие интегральные схемы для аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей: 8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 5;
  а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду; разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду; разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 105 млн. слов в секунду; разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит, со скоростью на выходе более 10 млн. слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 2,5 млн. слов в секунду; 8542 39 900 9
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  б) цифроаналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит или более и временем установления сигнала менее 10 нс  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Технические примечания:  
  1. Разрешающая способность n битов соответствует 2(n) уровням квантования  
  2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности аналого-цифрового преобразователя  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с)  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: 8542
  а) один внутренний лазерный диод или более;  
  б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и  
  в) световоды;  
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 39 900 5
  а) эквивалентное количество задействованных логических элементов более 30000 (в пересчете на элементы с двумя входами);  
  б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нб; или  
  в) частоту переключения выше 133 МГц  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  Пункт 3.1.1.1.7 включает: простые программируемые логические устройства (ППЛУ); сложные программируемые логические устройства (СПЛУ); программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ); программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ); программируемые пользователем межсоединения (ППМС)  
  Особое примечание.  
  Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы;  
3.1.1.1.8. Интегральные схемы для нейронных сетей; 8542
3.1.1.1.9. Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: 8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 5; 8542 39 900 9
  а) более 1000 выводов;  
  б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или  
  в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.1.10. Цифровые интегральные схемы, иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: 8542
  а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или  
  б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;  
3.1.1.1.11. Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного Nточечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log_2N)/20 480 мс, где N - количество точек 8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс  
  Примечания:  
  1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1  
  2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: монолитные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристальные интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы;  
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона:  
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:  
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия: 8540 79 000 0
  а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;  
  в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;  
  г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или пригодные для применения в космосе;  
3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; 8540 71 000 0
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/кв. см 8540 99 000 0
  Примечания:  
  1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:  
  а) частота не превышает 31,8 ГГц; и  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения  
  2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем следующим характеристикам:  
  а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и  
  б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 31 900 3;
8542 33 000;
8542 39 900 5;
8543 90 000 1
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;  
  б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
  в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
  г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;  
  д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или  
  е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Примечания:  
  1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  2. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  3. Примечания, приведенные после пункта  
  3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.1.2.3. Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 21 000 0;
8541 29 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);  
  б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);  
  в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);  
  г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1мВт); или д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц  
  Примечание.  
  Контрольный статус транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;  
  б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
  в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;  
  г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;  
  д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц; или  
  е) предназначенные для работы на частотах выше 3,2 ГГц и имеющие все следующее: среднюю выходную мощность Р (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 (Вт.ГГц2) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f2 или в единицах размерности [(Вт) > (Вт.ГГц2) / / (ГГц)2]; относительную ширину полосы частот 5% или более; любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см.ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: d <= 15/f или в единицах размерности [(см) <= (см.ГГц) / / (ГГц)]  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Для усилителей, имеющих номинальный рабочий диапазон частот, простирающийся в сторону уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в формуле последнего абзаца подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты f (ГГц) следует принимать равным 3,2 ГГц, то есть: d <= 15/3,2 или в единицах размерности [(см) <= (см · ГГц) /ГГц]  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Особое примечание.  
  Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Примечания:  
  1. Пункт 3.1.1.2.4 не применяется к радиопередающему спутниковому оборудованию, разработанному или предназначенному для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  2. Контрольный статус изделий, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.2.5. Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5 : 1 (f_max/ f_min) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик: 8543 70 900 9
  а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или  
  б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Пункт 3.1.1.2.6. - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.1.2.6. Преобразователи и смесители на гармониках, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, описанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6, сверх пороговых значений, установленных в этих пунктах; 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.1.2.7. Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики: 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) рабочие частоты выше 3 ГГц;  
  б) плотность средней выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и  
  в) объем менее 400 куб. см  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или установленной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;  
(в ред. УказовПрезидента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 04.12.2008 N 1726)
3.1.1.2.8. Микроволновые модули питания (ММП), содержащие, по крайней мере, лампу бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики: 8540 79 000 0; 8542 31 900 3; 8543 70 900 9; 8543 90 000 1
  а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с;  
  б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 куб. см/Вт; и  
  в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (f_max > 2f_min) и любое из следующего: для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или частоту выше 18 ГГц  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Технические примечания:  
  1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности ММП  
  2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема ММП. Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как 20 [Вт] x 10 [куб. см/Вт] = 200 [куб. см]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом ММП;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:  
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: 8541 60 000 0
  а) несущую частоту выше 6 ГГц;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ; произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; ширину полосы частот выше 250 МГц; или дисперсионную задержку более 10 мкс; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; дисперсионную задержку более 10 мкс; или частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 2,5 ГГц; 8541 60 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку; 8541 60 000 0
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: 8540; 8541; 8542; 8543
  а) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10(-14) Дж; или  
  б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;  
3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:  
3.1.1.5.1. Элементы, такие, как:  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.5.1.1. Первичные элементы с плотностью энергии, превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C; 8506
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.5.1.2. Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 250 Вт·ч/кг при температуре 20 °C 8507
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Технические примечания:  
  1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в амперчасах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах  
  2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи  
  3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии  
  4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Пункт 3.1.1.5.1.3. - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются батареи, включая батареи, содержащие один элемент;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:  
3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: 8506; 8507; 8532
  а) номинальное напряжение 5 кВ или более;  
  б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и  
  в) полную энергию 25 кДж или более;  
3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: 8506; 8507; 8532
  а) номинальное напряжение 5 кВ или более;  
  б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;  
  в) полную энергию 100 Дж или более; и  
  г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более;  
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все нижеперечисленные характеристики: 8504 50; 8505 90 100 0
  а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;  
  б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и  
  в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/кв. мм  
  Примечание.  
  По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально разработанные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии;  
3.1.1.5.4. Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20% при рабочей температуре 301 К (28 °C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/кв. м при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО) 8541 40 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равным одной астрономической единице (АЕ);  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.6. Цифровые преобразователи абсолютного углового положения вращающегося вала, имеющие любую из следующих характеристик: 9031 80 320 0; 9031 80 340 0
  а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или  
  б) точность лучше +/- 2,5 угл. с  
3.1.1.7. Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик: 8536 50 030 0; 8536 50 800 0; 8541 30 000 9
  а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или  
  б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее: импульсное напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; и максимальный ток в импульсе (ударный ток) более 3000 А  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечания:  
  1. Пункт 3.1.1.7 включает: кремниевые триодные тиристоры; электрические триггерные тиристоры; световые триггерные тиристоры; коммутационные тиристоры с интегральными вентилями; вентильные запираемые тиристоры; управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл-оксид-полупроводник); солидтроны  
  2. По пункту 3.1.1.7 не контролируются тиристорные устройства и тиристорные модули, интегрированные в оборудование, разработанное для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.2. Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения:  
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее:  
3.1.2.1.1. Устройства записи на магнитной ленте показаний аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: 8519 81 540 1; 8519 81 580; 8519 81 900 0; 8519 89 900 0; 8521 10 200 0; 8521 10 950 0
  а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку;  
  б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или  
  в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/- 0,1 мкс  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту;  
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с 8521 10; 8521 90 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Примечание.  
  По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике;  
3.1.2.1.3. Устройства записи на магнитной ленте показаний цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: 8471 70 800 0; 8521 10
  а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или  
  б) пригодные для применения в космосе  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных;  
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; 8521 90 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: 8471 90 000 0; 8543 70 900 9
  а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и  
  б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования;  
3.1.2.1.6. Устройства записи данных цифровой аппаратуры, использующие способ хранения на магнитном диске, имеющие все следующие характеристики: 8471 50 000 0; 8471 60; 8471 70 200 0; 8471 70 300 0; 8471 70 500 0;
  а) скорость преобразования в цифровую форму 100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит или более; и 8519 81 900 0; 8519 89 900 0; 8521 90 000 9; 8522 90 400 0;
  б) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более; 8522 90 800 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты менее 1 мс; 8543 20 000 0
  Примечание.  
  Контрольный статус анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров как функционально законченных приборов определяется по пункту 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6 соответственно;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.3. Анализаторы сигналов радиочастот:  
3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, способные анализировать любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц; 9030 84 000 9; 9030 89 300 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.3.2. Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 43,5 ГГц; 9030 84 000 9; 9030 89 300 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.3.3. Динамические анализаторы сигналов с полосой частот в реальном масштабе времени, превышающей 500 кГц 9030 84 000 9; 9030 89 300 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 3.1.2.3.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутреннего задающего эталонного генератора и имеющие любую из следующих характеристик: 8543 20 000 0
в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  а) максимальную синтезируемую частоту выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и предназначенные для создания длительности импульса менее 100 нс;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  б) максимальную синтезируемую частоту выше 43,5 ГГц;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  в) время переключения с одной выбранной частоты на другую, определенное любым из следующего: менее 10 нс; менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц; менее 250 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц; менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц; или менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот, превышающего 43,5 ГГц; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  г) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц, где F - смещение от рабочей частоты в Гц, a f - рабочая частота в МГц  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Примечания:  
  1. Для целей пункта 3.1.2.4 генераторы сигналов синтезированных частот включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций  
  2. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций обычно определяются частотой выборки (например, Гвыб./с), которая преобразовывается в радиочастотную область посредством коэффициента Найквиста - 2. Так, 1 Гвыб./с произвольных импульсов имеет возможность прямого вывода 500 МГц или при использовании выборки с запасом по частоте дискретизации максимальная возможность прямого вывода пропорционально ниже  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.5. Схемные анализаторы (панорамные измерители полных сопротивлений; измерители амплитуды, фазы и групповой задержки двух сигналов относительно опорного сигнала) с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц; 9030 40 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики: 8517 69 390 0
  а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и  
  б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.2.7.1. Пригодные для применения в космосе; 8543 20 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.2.7.2. Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) 1 х 10^(-11) в месяц 8543 20 000 0
  Особое примечание.  
  В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.7.2, см. также пункт 3.1.1 раздела 2;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.2.7.3. Рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее: 8543 20 000 0"
  а) долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10(-11) в месяц; и  
  б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Особое примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.3. Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты 8419 89 989 0;
8424 89 000 9;
8479 89 970 9
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:  
3.2.1.1. Оборудование для эпитаксиального выращивания:  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее производство слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее +/- 2,5% на расстоянии 75 мм или более; 8486 10 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных 8486 20 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Особое примечание.  
  В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2;  
3.2.1.1.3. Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников; 8486 10 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.2. Оборудование, предназначенное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик: 8486 20 900 9
  а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) более 1 МэВ;  
  б) специально спроектированное и оптимизированное для работы с энергией пучка (ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ;  
  в) имеет возможность непосредственного формирования рисунка; или  
  г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала;  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.3. Оборудование для сухого анизотропного плазменного травления:  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.3.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую из следующих характеристик: 8456 90 000 0; 8486 20 900 2
  а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3сигма), равной +/- 5%; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.3.2. Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и имеющее любую из следующих характеристик: 8456 90 000 0; 8486 20 900 2
  а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3сигма), равной +/- 5%; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.4. Оборудование химического осаждения из паровой фазы с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс: 8419 89 300 0; 8486 20 900 9
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.4.2. Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.5. Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой полупроводниковых пластин (подложек), имеющие все следующие характеристики: 8456 10 00; 8456 90 000 0; 8479 50 000 0; 8486 20 900 2; 8486 20 900 3
  а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин (подложек), к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и  
  б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы управления загрузкой пластин (подложек), не предназначенные для работы в вакууме;  
3.2.1.6. Оборудование для литографии:  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего: 8443 39 290 0
  а) источник света с длиной волны короче 245 нм; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 180 нм и менее  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Техническое примечание.  
  Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле: МРР = (длина волны источника света в нанометрах) х (К фактор) / (числовая апертура), где К фактор = 0,45;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.6.2. Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 180 нм или менее 8443 39; 8486 20 900
((в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  Пункт 3.2.1.6.2 включает:  
  а) инструментальные средства для микроконтактной литографии;  
  б) инструментальные средства для горячего тиснения;  
  в) литографические инструментальные средства для нанопечати;  
  г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.6.3. Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов или производства полупроводниковых приборов с использованием методов непосредственного формирования рисунка, имеющее все нижеследующее: 8456 10 00; 8486 20 900 3; 8486 40 000 1
  а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и  
  б) имеющее любую из следующих характеристик: размер пятна менее 0,2 мкм; возможность формирования рисунка с размером элементов менее 1 мкм; или точность совмещения слоев лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма);  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; 8486 90 900 3
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем 8486 90 900 3
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 3.2.1.8 не контролируются многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, разработанные для изготовления запоминающих устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.9. Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1 8486 90 900 3
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.2. Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.2.1. Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах выше 31,8 ГГц; 9031 80 380 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
Пункт 3.2.2.2. - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Техническое примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.2.2. Для испытания микроволновых интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 9030; 9031 20 000 0; 9031 80 380 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.3. Материалы  
3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:  
3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0; 3818 00 900 0
3.3.1.2. Германий; 3818 00 900 0
3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0
3.3.1.4. Соединения III - V на основе галлия или индия 3818 00 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Техническое примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.3.2. Материалы резистов, а также подложки, покрытые контролируемыми резистами:  
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 245 нм; 3824 90 980 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; 3824 90 980 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше; 3824 90 980 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силилированные резисты 3824 90 980 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Технология силилирования - это процесс, включающий окисление поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления  
3.3.2.5. Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, указанным в пункте 3.2.1.6.2, использующие термический или светоотверждающий способ 3824 90 980 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.3.3. Следующие органо-неорганические соединения:  
3.3.3.1. Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%; 2931 00 950 0
3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999% 2931 00 950 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Примечание.  
  По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы  
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде 2848 00 000 0; 2850 00 200 0
  Примечание.  
  По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода  
3.3.5. Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлияалюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 10 000 Ом.см при 20 град. C 3818 00 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.3.6. Подложки, определенные в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) 3818 00 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.4. Программное обеспечение  
3.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2  
3.4.2. Программное обеспечение, специально разработанное для применения в любом нижеследующем оборудовании:  
  а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - 3.2.1.6; или  
  б) контролируемом по пункту 3.2.2  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.4.3. Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения с целью воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Техническое примечание.  
  Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов)  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Примечание.  
  Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.4.4. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования, контролируемого по пункту 3.1.3  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.5. Технология  
3.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 3.1, 3.2 или 3.3  
  Примечание.  
  По пункту 3.5.1 не контролируются технологии для:  
  а) производства оборудования или компонентов, контролируемых по пункту 3.1.3;  
  б) разработки или производства интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих все нижеперечисленные признаки: использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше (хуже); и не содержащие многослойных структур  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Для целей пункта "б" примечания многослойные структуры не включают приборов, содержащих максимум три металлических слоя и три слоя поликристаллического кремния  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.5.2. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие, чем те, которые контролируются по пункту 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик:  
  а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно  
  Техническое примечание.  
  Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико-логическое устройство;  
  б) разработанных для выполнения более двух 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или  
  в) разработанных для выполнения более четырех 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов)  
  Примечание.  
  По подпункту "в" пункта 3.5.2 не контролируется технология мультимедийных расширений  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечания:  
  1. По пункту 3.5.2 не контролируются технологии для разработки или производства ядер микропроцессоров, имеющих все нижеперечисленные признаки: использующие технологии с разрешением 0,130 мкм или выше (хуже); и содержащие многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями  
  2. Пункт 3.5.2 включает технологии для процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.5.3. Прочие технологии для разработки или производства:  
  а) вакуумных микроэлектронных приборов;  
  б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках;  
  Примечание.  
  По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контролируются технологии для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  в) сверхпроводящих электронных приборов;  
  г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов;  
  д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния;  
  е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов;  
  ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)

КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА
  Примечания:  
  1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации)  
  2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации)  
  Особое примечание.  
  Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1  
  3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции изоляции пользователей либо ограничивающие электромагнитную совместимость (ЭМС), должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 2 категории 5 (Защита информации)  
4.1. Системы, оборудование и компоненты  
4.1.1. ЭВМ и сопутствующее оборудование, а также электронные сборки и специально разработанные для них компоненты:  
4.1.1.1. Специально разработанные для достижения любой из следующих характеристик: 8471
  а) по техническим условиям пригодные для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45 град. С) или выше 358 К (85 град. С)  
  Примечание.  
  По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не контролируются ЭВМ, специально созданные для гражданских автомобилей или железнодорожных поездов;  
  б) радиационно стойкие при превышении любого из следующих требований: общая доза 5 х 10(3) Гр (Si) [5 х 10(5) рад]; мощность дозы 5 х 10(6) Гр (Si)/c [5 х 108 рад/с]; или сбой от однократного события 10(-7) ошибок/бит/день  
  Особое примечание.  
  В отношении систем, оборудования и компонентов, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2;  
4.1.1.2. Имеющие характеристики или выполняющие функции, превосходящие пределы, указанные в части 2 категории 5 (Защита информации) 8471
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Пункт 4.1.1.2 не применяется к ЭВМ и связанному с ними оборудованию, когда они вывозятся пользователем для своего индивидуального использования  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
4.1.2.1. Спроектированные или модифицированные для обеспечения отказоустойчивости 8471 60; 8471 70; 8471 80 000 0; 8471 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  Применительно к пункту 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются спроектированными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из следующего:  
  а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти;  
  б) соединение двух цифровых вычислительных машин такое, что если происходит отказ активного центрального процессора, то холостой зеркальный центральный процессор может продолжить функционирование системы;  
  в) соединение двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением разделяемой памяти, для того чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять некоторую работу, пока не откажет другой центральный процессор; тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или  
  г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством программного обеспечения так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи, выполнявшиеся отказавшим процессором;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
4.1.2.2. Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,75 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); 8471 60; 8471 70; 8471 80 000 0; 8471 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
4.1.2.3. Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в пункте 4.1.2.2 8471 60; 8471 70; 8471 80 000 0; 8471 90 000 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  Примечания:  
  1. Пункт 4.1.2.3 распространяется только на электронные сборки и программируемые взаимосвязи, не превышающие пределы, указанные в пункте 4.1.2.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок. Он не применим к электронным сборкам, конструкция которых пригодна только для использования в качестве сопутствующего оборудования, контролируемого по пункту 4.1.2.4  
  2. По пункту 4.1.2.3 не контролируются электронные сборки, специально разработанные для продукции или целого семейства продукции, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, указанные в пункте 4.1.2.2;  
((в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
4.1.2.4. Оборудование, выполняющее аналого-цифровые преобразования, превосходящее пределы, указанные в пункте 3.1.1.1.5; 8471 90 000 0; 8543 90 000 9
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
4.1.2.5. Аппаратура, специально разработанная для обеспечения внешних соединений цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, которые в коммуникациях имеют скорость передачи данных, превышающую 1,25 Гбайт/с 8471 90 000 0; 8517 61 000 1; 8517 62 000 1
  Примечание.  
  По пункту 4.1.2.5 не контролируется оборудование внутренней взаимосвязи (например, объединительные платы, шины), оборудование пассивной взаимосвязи, контроллеры доступа к сети или контроллеры каналов связи  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  Примечания:  
  1. Пункт 4.1.2 включает:  
  а) векторные процессоры;  
  б) матричные процессоры;  
  в) процессоры цифровой обработки сигналов;  
  г) логические процессоры;  
  д) оборудование для улучшения качества изображения;  
  е) оборудование для обработки сигналов  
  2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:  
  а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем;  
  б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и  
  в) технология для цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5  
((в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Особые примечания:  
  1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента  
  2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации)  
4.1.3. ЭВМ, указанные ниже, и специально спроектированное сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них:  
4.1.3.1. ЭВМ с систолической матрицей; 8471
4.1.3.2. Нейронные ЭВМ; 8471
4.1.3.3. Оптические ЭВМ 8471
4.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет  
4.3. Материалы - нет  
4.4. Программное обеспечение  
  Примечание.  
  Контрольный статус программного обеспечения для разработки, производства или использования оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории. В данной категории дается контрольный статус программного обеспечения для оборудования этой категории  
4.4.1. Программное обеспечение следующих видов:  
4.4.1.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 соответственно;  
4.4.1.2. Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 4.4.1.1, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства:  
  а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,04 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.4.1.2  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Особое примечание.  
  В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 разделов 2 и 3  
4.4.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, контролируемой по пункту 4.5  
4.4.3. Специальное программное обеспечение следующих видов:  
4.4.3.1. Программное обеспечение операционных систем, инструментарий разработки программного обеспечения и компиляторы, специально разработанные для оборудования многопоточной обработки данных в исходных кодах;  
4.4.3.2. Программное обеспечение, имеющее характеристики или выполняющее функции, которые превышают пределы, указанные в части 2 категории 5 (Защита информации)  
  Примечание.  
  По пункту 4.4.3.2 не контролируется программное обеспечение, когда оно вывозится пользователями для своего индивидуального использования  
4.5. Технология  
4.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 соответственно;  
4.5.2. Иные технологии, кроме контролируемых по пункту 4.5.1, специально предназначенные или модифицированные для разработки или производства:  
  а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,04 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.5.2  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Особое примечание.  
  В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 разделов 2 и 3  

Техническое примечание (по вычислению совокупной теоретической производительности) - Исключено. (в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

Техническое примечание по определению приведенной пиковой производительности (ППП).

ППП - это приведенная пиковая скорость, на которой цифровые ЭВМ выполняют 64-разрядные или более операции сложения и умножения с плавающей запятой.

Сокращения, используемые в настоящем техническом примечании:

n - количество процессоров в цифровой ЭВМ

i - номер процессора (i, ... n)

t_i - время цикла процессора (t_i = 1/F_i)

F_i - частота процессора

R_i - пиковая скорость вычисления с плавающей запятой

W_i - коэффициент согласования с архитектурой.

ППП выражается во взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) - триллионах (10(12)) приведенных операций с плавающей запятой в секунду. (в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

Схема способа вычисления ППП:

1. Для каждого процессора i определяется максимальное количество 64-разрядных или более операций с плавающей запятой (ОПЗ_i), выполняемых за цикл каждым процессором цифровой ЭВМ. (в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

Примечание.

При определении ОПЗ учитываются только 64-разрядные или более операции сложения и/или умножения с плавающей запятой за цикл процессора. Операции, требующие многочисленных циклов, могут быть выражены в дробных результатах за цикл процессора. Для процессоров, не способных выполнять вычисления с 64-разрядными или более операциями с плавающей запятой, эффективная скорость вычисления R равна нулю. (в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

2. Вычисляется скорость с плавающей запятой R для каждого процессора:

R_i = ОПЗ_i /t_i. (в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

3. Вычисляется ППП следующим образом:

ППП = W_1 х R_1 + W_2 x R_2 + ... + W_n x R_n. (в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

4. Для векторных процессоров - W_i = 0,9, для невекторных процессоров - W_i = 0,3. (в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

Примечания:

1. Для процессоров, которые выполняют составные операции в цикле, такие, как сложение и умножение, считается каждая операция

2. Для конвейерного процессора эффективная скорость вычисления R выше конвейерной скорости при загруженном конвейере или неконвейерной скорости

3. Скорость вычисления R каждого содействующего процессора должна быть рассчитана по его максимальной теоретически возможной величине перед определением ППП всей комбинации процессоров. Одновременные операции считаются таковыми, когда производитель ЭВМ заявляет в руководстве пользователя или документации к ЭВМ о совпадающих, параллельных или одновременных операциях или процессах исполнения процессором команд программы

4. При вычислении ППП не учитываются процессоры, ограниченные входными/выходными и периферийными функциями (например, дисководы, устройства связи и мониторы)

5. Значения ППП не следует вычислять для комбинаций процессоров, объединенных локальными сетями, глобальными сетями, совместно используемыми соединениями/устройствами ввода/вывода, контроллерами ввода/вывода и любыми коммуникационными соединениями, осуществляемыми при помощи программного обеспечения

6. Значения ППП должны вычисляться для:

а) комбинаций процессоров, содержащих специально разработанные процессоры для повышения производительности путем объединения, одновременно работающей и совместно используемой памяти; или

б) многочисленных комбинаций память/процессор, работающих одновременно с использованием специально разработанных аппаратных средств

7. Векторный процессор определяется как процессор со встроенными командами, который выполняет многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 64-разрядными и более массивами) одновременно, имеющий, по крайней мере, два векторных функциональных устройства и восемь регистров для хранения векторов емкостью, по крайней мере, 64 элемента каждый. (в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

N пункта Наименование Код ТН ВЭД
КАТЕГОРИЯ 5
  Часть 1. Телекоммуникации  
  Примечания:  
  1. В части 1 категории 5 определяется контрольный статус компонентов, лазерного, испытательного и производственного оборудования, материалов и программного обеспечения, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем  
  2. В тех случаях, когда для функционирования или поддержки телекоммуникационного оборудования, указанного в этой категории, и его обеспечения важное значение имеют цифровые ЭВМ, связанное с ними оборудование или программное обеспечение, последние рассматриваются в качестве специально разработанных компонентов при условии, что они являются стандартными моделями, обычно поставляемыми производителем. Это включает компьютерные системы, реализующие функции управления, технического обслуживания оборудования, проектирования, выписывания счетов  
5.1.1. Системы, оборудование и компоненты  
5.1.1.1. Телекоммуникационное оборудование любого типа, имеющее любую из следующих характеристик, функций или свойств:  
5.1.1.1.1. Специально разработанное для сохранения работоспособности при воздействии кратковременных электронных эффектов или электромагнитных импульсных эффектов, возникающих при ядерном взрыве; 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8517 69 390 0; 8525 60 000 0; 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.1.1.2. Специально повышенную стойкость к гамма-, нейтронному или ионному излучению; или 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8517 69 390 0; 8525 60 000 0; 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.1.1.3. Специально разработанное для функционирования за пределами диапазона температур от 218 К (-55 град. С) до 397 К (124 град. С) 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8517 69 390 0; 8525 60 000 0; 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечания:  
  1. Пункт 5.1.1.1.3 применяется только к электронной аппаратуре 2. По пунктам 5.1.1.1.2 и 5.1.1.1.3 не контролируется оборудование, разработанное или модифицированное для использования на борту спутников  
5.1.1.2. Телекоммуникационные системы и аппаратура, а также специально разработанные для них компоненты и принадлежности, имеющие любые из следующих характеристик, свойств или качеств:  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.1.2.1. Являются системами подводной беспроводной связи, имеющими любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0; 9015 80 910 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) акустическую несущую частоту за пределами интервала от 20 кГц до 60 кГц;  
  б) использующие электромагнитную несущую частоту ниже 30 кГц; или  
  в) использующие электронное управление положением главного лепестка (диаграммы направленности антенны);  
  г) использующие в локальной сети лазеры или светоизлучающие диоды (СИД) с выходной длиной волны более 400 нм, но менее 700 нм;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
5.1.1.2.2. Являются радиоаппаратурой, работающей в диапазоне частот 1,5 - 87,5 МГц и имеющей все следующие характеристики: 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8525 60 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Подпункт а) - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  б) встроенный линейный усилитель мощности, способный одновременно пропускать множество сигналов с выходной мощностью 1 кВт или более в диапазоне частот от 1,5 МГц до 30 МГц или 250 Вт или более в диапазоне частот от 30 МГц до 87,5 МГц на мгновенной ширине полосы частот в одну октаву или более и с гармониками и искажениями на выходе лучше - 80 дБ;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.1.2.3. Являются радиоаппаратурой, использующей методы расширения спектра, включая метод скачкообразной перестройки частоты, не контролируемой по пункту 5.1.1.2.4, имеющей любую из следующих характеристик: 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8525 60 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  а) коды расширения, программируемые пользователем; или  
  б) общую ширину полосы частот выше 50 кГц, при этом она в 100 или более раз превышает ширину полосы частот любого единичного информационного канала  
  Примечания:  
  1. По подпункту "б" пункта 5.1.1.2.3 не контролируется радиооборудование, специально разработанное для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи  
  2. По пункту 5.1.1.2.3 не контролируется оборудование, спроектированное для работы с выходной мощностью 1,0 Вт или менее  
  Особое примечание.  
  В отношении радиоаппаратуры, указанной в пункте 5.1.1.2.3, см. также пункт 5.1.1.1.1 раздела 2;  
5.1.1.2.4. Являются радиоаппаратурой, использующей технологию сверхширокополосной модуляции, имеющей программируемые пользователем коды формирования каналов, коды шифрования или коды опознавания сети, имеющей любую из следующих характеристик: 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8525 60 000 0
  а) ширину полосы частот, превышающую 500 МГц; или  
  б) относительную ширину полосы частот 20% или более;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.1.2.5. Являются радиоприемными устройствами с цифровым управлением, имеющими все следующие характеристики: 8527
  а) более 1000 каналов;  
  б) время переключения частоты менее 1 мс;  
  в) автоматический поиск или сканирование в части спектра электромагнитных волн; и  
  г) возможность идентификации принятого сигнала или типа передатчика  
  Примечание.  
  По пункту 5.1.1.2.5 не контролируется оборудование, специально разработанное для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи  
  Особое примечание.  
  В отношении радиоприемников, указанных в пункте 5.1.1.2.5, см. также пункт 5.1.1.1.2 раздела 2 и пункт 5.1.1.1 раздела 3;  
5.1.1.2.6. Используют функции цифровой обработки сигнала на выходном устройстве для обеспечения кодирования речи со скоростью менее 2400 бит/с 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8525 60 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Технические примечания:  
  1. Пункт 5.1.1.2.6 применяется при наличии выходного устройства для кодирования речевых сигналов связной речи с изменяющейся скоростью  
  2. Для целей пункта 5.1.1.2.6 "кодирование речи" определяется как техника взятия образцов человеческого голоса с последующим преобразованием этих образцов в цифровой сигнал с учетом специфических параметров человеческой речи  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.1.3. Волоконно-оптические кабели связи, оптические волокна и принадлежности:  
5.1.1.3.1. Оптические волокна длиной более 500 м, охарактеризованные производителем как способные выдерживать при контрольном испытании растягивающее напряжение 2 х 10(9) Н/кв. м или более 8544 70 000 0; 9001 10 900
  Техническое примечание.  
  Контрольное испытание - отборочное испытание в режиме онлайн (встроенное в технологическую цепочку получения волокна) или проводимое отдельно, которое заключается в приложении заданного растягивающего напряжения к движущемуся со скоростью от 2 м/с до 5 м/с волокну на участке длиной от 0,5 м до 3 м между натяжными барабанами диаметром около 150 мм. Испытания могут проводиться по соответствующим национальным стандартам при температуре окружающей среды 293 К, относительной влажности 40%;  
5.1.1.3.2. Волоконно-оптические кабели и принадлежности, разработанные для использования под водой 8544 70 000 0; 9001 10 900
  Примечание.  
  По пункту 5.1.1.3.2 не контролируются стандартные телекоммуникационные кабели и принадлежности для гражданского использования  
  Особые примечания:  
  1. Для подводных кабельных разъемов и соединителей для них см. пункт 8.1.2.1.3 2. Для волоконно-оптических корпусных разъемов и соединителей см. пункт 8.1.2.3  
5.1.1.4. Фазированные антенные решетки с электронным управлением диаграммой направленности, функционирующие на частотах, превышающих 31,8 ГГц 8529 10 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Примечание.  
  По пункту 5.1.1.4 не контролируются антенные фазированные решетки с электронным управлением диаграммой направленности для систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам Международной организации гражданской авиации (ИКАО), перекрывающим системы посадки СВЧ-диапазона (MLS)  
5.1.1.5. Оборудование радиопеленгации, работающее на частотах выше 30 МГц и имеющее все следующие характеристики, и специально разработанные для него компоненты: 8517 61 000 9; 8526 91 200 0
  а) мгновенную ширину полосы частот, равную 10 МГц или выше; и  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  б) способное находить азимутальное направление (АН) к невзаимодействующим радиопередатчикам с длительностью сигнала менее 1 мс  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Подпункт в) - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.1.6. Оборудование подавления сигналов, специально разработанное или модифицированное для умышленного и избирательного вмешательства в работу мобильной дистанционной связи, ее прерывания, подавления или ухудшения, имеющее любую из нижеследующих характеристик, и специально разработанные для него компоненты: 8525 60 000 0; 8526 10 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) имитирующее функции оборудования сети радиосвязи с абонентами; или  
  б) обнаруживающее и использующее специфические характеристики применяемого протокола мобильной сети (например, GSM)  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.1.7. Системы или оборудование пассивной когерентной локации, специально разработанные для обнаружения движущихся объектов и слежения за ними путем измерения отражений фоновых радиочастотных излучений, подаваемых передатчиками связи без радиолокационных средств 8526 10 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Передатчики связи без радиолокационных средств могут включать базовые коммерческие радио-, телевизионные станции или станции сотовых телефонов  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 5.1.1.7 не контролируются:  
  а) радиоастрономическое оборудование;  
  б) системы или оборудование, которым требуется какой-либо радиосигнал от движущегося объекта  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.2.1. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
5.2.1.1. Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально предназначенные для разработки, производства или использования оборудования, функций или свойств, контролируемых по части 1 категории 5  
  Примечание.  
  По пункту 5.2.1.1 не контролируется оборудование определения параметров оптического волокна  
  Особое примечание.  
  В отношении оборудования и компонентов или принадлежностей для них, указанных в пункте 5.2.1.1, см. также пункт 5.2.1.1 раздела 2  
5.2.1.2. Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально предназначенные для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего оборудования или коммутационного оборудования:  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
5.2.1.2.1. Оборудования, использующего цифровые технологии и предназначенного для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Техническое примечание.  
  Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
5.2.1.2.2. Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:  
  а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;  
  б) производящего оптическое усиление;  
  в) использующего технологии когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (известных также как оптический гетеродин или оптический гомодин); или  
  г) использующего аналоговую технологию при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц  
  Примечание.  
  По подпункту "г" пункта 5.2.1.2.2 не контролируется оборудование, специально предназначенное для разработки систем коммерческого телевидения;  
5.2.1.2.3. Оборудования, использующего оптическую коммутацию;  
5.2.1.2.4. Радиоаппаратуры, использующей методы квадратурной амплитудной модуляции с уровнем выше 256; или  
5.2.1.2.5. Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую в несвязанном режиме работы  
5.3.1. Материалы - нет  
5.4.1. Программное обеспечение  
5.4.1.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования, функций или свойств, контролируемых по части 1 категории 5  
  Особое примечание.  
  В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.1, см. также пункт 5.4.1.1 разделов 2 и 3  
5.4.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обслуживания технологий, контролируемых по пункту 5.5.1  
  Особое примечание.  
  В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.2, см. также пункт 5.4.1.2 раздела 2  
Пункты 5.4.1.3, 5.4.1.3.2 - Исключены.
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.4.1.3. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или свойств аппаратуры, контролируемой по пункту 5.1.1 или 5.2.1;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.4.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего оборудования или коммутационного оборудования:  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
5.4.1.4.1. Оборудования, использующего цифровые технологии и предназначенного для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Техническое примечание.  
  Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
5.4.1.4.2. Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:  
  а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; или  
  б) использующего аналоговую технологию при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц  
  Примечание.  
  По подпункту "б" пункта 5.4.1.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки систем коммерческого телевидения;  
5.4.1.4.3. Оборудования, использующего оптическую коммутацию; или  
5.4.1.4.4. Радиоаппаратуры, использующей методы квадратурной амплитудной модуляции с уровнем выше 256  
5.5.1. Технология  
5.5.1.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или использования (исключая рабочий режим) оборудования, функций или свойств или программного обеспечения, контролируемых по части 1 категории 5  
  Особое примечание.  
  В отношении технологий, указанных в пункте 5.5.1.1, см. также пункт 5.5.1.1 разделов 2 и 3  
5.5.1.2. Технологии следующих видов:  
5.5.1.2.1. Технология, требуемая для разработки или производства телекоммуникационного оборудования, специально предназначенного для использования на борту спутников;  
5.5.1.2.2. Технология разработки или использования методов лазерной связи со способностью автоматического захвата и удержания сигнала и поддержания связи через внеатмосферную или водную среду;  
5.5.1.2.3. Технология разработки приемной аппаратуры цифровых базовых сотовых радиостанций, приемные параметры которых, допускающие многодиапазонный, многоканальный, многомодовый, многокодируемый алгоритм или многопротокольную работу, могут быть модифицированы изменениями в программном обеспечении;  
5.5.1.2.4. Технология разработки аппаратуры, использующей методы расширения спектра, включая методы скачкообразной перестройки частоты  
5.5.1.3. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства любого из следующего телекоммуникационного передающего оборудования или коммутационного оборудования:  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
5.5.1.3.1. Оборудования, использующего цифровые технологии и предназначенного для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Техническое примечание.  
  Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
5.5.1.3.2. Оборудования, использующего лазер и имеющего любую из следующих характеристик:  
  а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;  
  б) производящего оптическое усиление с применением оптико-волоконных усилителей на допированном празеодимием фторидном стекле;  
  в) использующего технологию когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (известного также как оптический гетеродин или оптический гомодин);  
  г) использующего методы мультиплексирования при распределении длин волн, при этом число оптических каналов в одном оптическом окне прозрачности превышает 8; или  
  д) использующего аналоговую технологию при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц  
  Примечание.  
  По подпункту "д" пункта 5.5.1.3.2 не контролируются технологии разработки или производства систем коммерческого телевидения;  
5.5.1.3.3. Оборудования, использующего оптическую коммутацию;  
5.5.1.3.4. Радиоаппаратуры, имеющей любую из следующих составляющих:  
  а) использующей методы квадратурной амплитудной модуляции с уровнем выше 256;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  б) работающей на входных или выходных частотах, превышающих 31,8 ГГц; или  
(в ред. Указа Пре идента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Примечание.  
  По подпункту "б" пункта 5.5.1.3.4 не контролируются технологии разработки или производства оборудования, сконструированного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;  
  в) работающей в диапазоне частот 1,5 - 87,5 МГц и включающей адаптивные системы, обеспечивающие более 15 дБ подавления помехи; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.5.1.3.5. Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую в несвязанном режиме работы  
  Часть 2. Защита информации  
  Примечания:  
  1. Контрольный статус оборудования, программного обеспечения, систем, электронных сборок специального применения, модулей, интегральных схем, компонентов или функций, применяемых для защиты информации, определяется по части 2 категории 5, даже если они являются компонентами или электронными сборками другой аппаратуры  
  2. Часть 2 категории 5 не применяется к товарам, когда они вывозятся пользователем для собственного индивидуального использования  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  3. Криптографическое примечание. Пункты 5.1.2 и 5.4.2 не применяются к продукции, которая удовлетворяет всем следующим требованиям:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) общедоступна для продажи населению без ограничений, из имеющегося в наличии ассортимента в местах розничной продажи, посредством любого из следующего: продажи за наличные; продажи путем заказа товаров по почте; электронных сделок; или продажи по телефонным заказам;  
  б) криптографические возможности которой не могут быть легко изменены пользователем;  
  в) разработана для установки пользователем без дальнейшей существенной поддержки поставщиком;  
  г) в случае необходимости является доступной и будет представляться экспортерами контролирующим органам Российской Федерации, по их требованию, в хорошем состоянии для подтверждения ее соответствия условиям, изложенным в подпунктах "а" - "в"  
  Техническое примечание.  
  В части 2 категории 5 биты четности не включаются в длину ключа  
5.1.2. Системы, оборудование и компоненты  
5.1.2.1. Системы, аппаратура, специальные электронные сборки, модули и интегральные схемы, применяемые для защиты информации, и другие специально разработанные для этого компоненты:  
  Особое примечание.  
  В отношении контроля за приемным оборудованием глобальных навигационных спутниковых систем, содержащим или использующим дешифрование (Глобальная спутниковая система местоопределения - GPS или Глобальная навигационная спутниковая система - ГЛОНАСС), см. пункт 7.1.5  
5.1.2.1.1. Разработанные или модифицированные для использования криптографии с применением цифровых методов, выполняющие любые криптографические функции, иные, чем аутентификация или цифровая подпись, имеющие любую из следующих составляющих: симметричный алгоритм, использующий ключ с длиной, превышающей 56 бит; или асимметричный алгоритм, защита которого базируется на любом из следующих методов: 8471; 8543 70 900 9
  1) разложении на множители целых чисел, размер которых превышает 512 бит (например, алгоритм RSA);  
  2) вычислении дискретных логарифмов в мультипликативной группе конечного поля размера, превышающего 512 бит (например, алгоритм Диффи-Хелмана над Z/pZ); или  
  3) дискретном логарифме в группе, отличного от поименованного в вышеприведенном подпункте 2 размера, превышающего 112 бит (например, алгоритм Диффи-Хелмана над эллиптической кривой)  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Технические примечания:  
  1. Функции аутентификации и цифровой подписи включают в себя связанную с ними функцию распределения ключей 2. Аутентификация включает в себя все аспекты контроля доступа, где нет шифрования файлов или текстов, за исключением шифрования, которое непосредственно связано с защитой паролей, персональных идентификационных номеров или подобных данных для защиты от несанкционированного доступа 3. Термин "криптография" не относится к фиксированным методам сжатия или кодирования данных  
  Примечание. Пункт 5.1.2.1.1 включает оборудование, разработанное или модифицированное для использования криптографии на основе аналоговых принципов, в том случае, если они реализованы с использованием цифровых методов;  
5.1.2.1.2. Разработанные или модифицированные для выполнения криптоаналитических функций; 8471; 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.2.1.3. Специально разработанные или модифицированные для снижения нежелательной утечки несущих информацию сигналов, кроме того, что необходимо для защиты здоровья или соответствия установленным стандартам электромагнитных помех; 8471; 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.2.1.4. Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов генерации расширяющегося кода для систем с расширяющимся спектром, не контролируемые по пункту 5.1.2.1.5, включая скачкообразную перестройку кодов для систем со скачкообразной перестройкой частоты; 8471; 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.2.1.5. Разработанные или модифицированные с целью применения криптографических методов образования кодов формирования каналов, кодов шифрования или кодов опознавания сети для систем, использующих технологию сверхширокополосной модуляции, имеющие любую из следующих характеристик: 8471; 8543 70 900 9
  а) ширину полосы частот, превышающую 500 МГц; или  
  б) относительную ширину полосы частот 20% или более;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.2.1.6. Кабельные системы связи, разработанные или модифицированные с использованием механических, электрических или электронных средств для обнаружения несанкционированного доступа 8471; 8517 61 000 1; 8517 62 000 1; 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.1.2.1.7. Разработанные или модифицированные для использования в квантовой криптографии 8471; 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Квантовая криптография также известна как квантовое распределение ключей (КРК)  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  Пункт 5.1.2 не применяется:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) К персональным смарт-картам (интеллектуальным картам): криптографические возможности которых ограничены использованием в оборудовании или системах, выведенных из-под контроля подпунктами "б" - "ж" настоящего примечания; или для широкого общедоступного применения, криптографические возможности которых недоступны пользователю и которые в результате специальной разработки имеют ограниченные возможности защиты хранящейся на них персональной информации  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  Если персональная смарт-карта может выполнять несколько функций, то контрольный статус каждой из функций определяется отдельно;  
  б) к приемному оборудованию для радиовещания, платного телевидения или аналогичной передачи сообщений потребительского типа для вещания на ограниченную аудиторию без шифрования цифрового сигнала, кроме случаев его использования исключительно для отправки счетов или возврата информации, связанной с программой, провайдерам вещания;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  в) к оборудованию, криптографические возможности которого недоступны пользователю, специально разработанному и ограниченному для применения любым из следующего:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  1) программное обеспечение исполнено в защищенном от копирования виде;  
  2) доступом к любому из следующего: защищенному от копирования содержимому, хранящемуся на доступном только для чтения носителе информации; или информации, хранящейся в зашифрованной форме на носителях (например, в связи с защитой прав интеллектуальной собственности), когда эти носители информации предлагаются на продажу населению в идентичных наборах;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  3) контролем копирования аудиоили видеоинформации, защищенной авторскими правами; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  4) шифрованием и/или расшифрованием для защиты библиотек (например, наборов файлов, подпрограмм, объектных модулей), атрибутов разработки или связанных данных для разработки полупроводниковых устройств или интегральных схем;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  г) к криптографическому  
  оборудованию, специально разработанному и ограниченному применением для банковских или финансовых операций  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Техническое примечание.  
  Финансовые операции, указанные в пункте "г" примечания к пункту 5.1.2, включают сборы и оплату за транспортные услуги или кредитование;  
  д) к портативным или мобильным радиотелефонам гражданского применения (например, для использования в коммерческих гражданских системах сотовой радиосвязи), которые не способны к передаче зашифрованных данных непосредственно на другой радиотелефон или оборудование, отличное от оборудования сетевой радиосвязи с абонентами (СРА), а также к пересылке зашифрованных данных посредством оборудования СРА (например, контроллера радиосети или контроллера базовой станции);  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  е) к беспроводному телефонному оборудованию, не способному к сквозному шифрованию, максимальная дальность беспроводного действия которого без усиления (одиночное, без ретрансляции, соединение между терминалом и базовой станцией) составляет менее 400 м в соответствии с техническими условиями производителя  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  ж) к портативным или мобильным радиотелефонам и схожим пользовательским беспроводным устройствам для гражданского применения, которые реализуют только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты (за исключением антипиратских функций, которые не являются общедоступными), а также соответствуют условиям подпунктов "б" - "г" криптографического примечания (примечание 3) к части 2 категории 5, изготовлены в соответствии с техническими условиями заказчика для гражданского применения с возможностями, которые не влияют на криптографическое функциональное назначение этих исходно незаказных устройств  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
5.2.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
5.2.2.1. Оборудование, специально предназначенное для: 8543 70 900 9
  а) разработки аппаратуры или функций, контролируемых по части 2 категории 5, включая аппаратуру для измерений или испытаний;  
  б) производства аппаратуры или функций, контролируемых по части 2 категории 5, включая аппаратуру для измерений, испытаний, ремонта или производства  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.2.2.2. Измерительная аппаратура, специально разработанная для оценки и подтверждения функций защиты информации, контролируемых по пункту 5.1.2 или 5.4.2 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
5.3.2. Материалы - нет  
5.4.2. Программное обеспечение  
5.4.2.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по части 2 категории 5  
5.4.2.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, контролируемой по пункту 5.5.2  
5.4.2.3. Специальное программное обеспечение следующих видов:  
5.4.2.3.1. Программное обеспечение, имеющее характеристики, моделирующее или выполняющее функции аппаратуры, контролируемой по пункту 5.1.2 или 5.2.2;  
5.4.2.3.2. Программное обеспечение для сертификации программного обеспечения, контролируемого по пункту 5.4.2.3.1  
  Примечание.  
  По пункту 5.4.2 не контролируются:  
  а) программное обеспечение, необходимое для использования в аппаратуре, выведенной из-под контроля в соответствии с примечанием к пункту 5.1.2;  
  б) программное обеспечение, реализующее любую функцию аппаратуры, выведенной из-под контроля в соответствии с примечанием к пункту 5.1.2  
5.5.2. Технология  
5.5.2.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или использования оборудования либо программного обеспечения, контролируемых по части 2 категории 5  

КАТЕГОРИЯ 6. ДАТЧИКИ И ЛАЗЕРЫ
6.1. Системы, оборудование и компоненты  
6.1.1. Акустика  
6.1.1.1. Морские акустические системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:  
6.1.1.1.1. Нижеперечисленные активные (передающие и приемопередающие) системы, оборудование и специально разработанные компоненты для них:  
6.1.1.1.1.1. Широкополосные батиметрические обзорные системы, разработанные для картографирования морского дна, имеющие все следующие предназначения: 9015 80 910 0
  а) для измерения при углах отклонения от вертикали более 20 град.;  
  б) для измерения глубины более 600 м от поверхности воды; и  
  в) для обеспечения любой из следующих характеристик: объединения нескольких лучей, любой из которых уже 1,9 град.; или точности измерений лучше 0,3% от глубины воды, полученных путем усреднения отдельных измерений в пределах полосы;  
6.1.1.1.1.2. Системы обнаружения или определения местоположения, имеющие любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0; 9015 80 910 0
  а) частоту передачи ниже 10 кГц;  
  б) уровень звукового давления выше 224 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне от 10 кГц до 24 кГц включительно;  
  в) уровень звукового давления выше 235 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне между 24 кГц и 30 кГц;  
  г) формирование лучей уже 1 град. по любой оси и рабочую частоту ниже 100 кГц;  
  д) с дальностью надежного обнаружения целей более 5120 м; или  
  е) разработанные для нормального функционирования на глубинах более 1000 м и имеющие датчики с любыми из следующих характеристик: динамически подстраивающиеся под давление; или содержащие чувствительные элементы, изготовленные не из титаната-цирконата свинца  
  Особое примечание.  
  В отношении активных систем обнаружения или определения местоположения, указанных в пункте 6.1.1.1.1.2, см. также пункт 6.1.1.1.1 разделов 2 и 3;  
6.1.1.1.1.3. Акустические излучатели, включающие преобразователи, объединяющие пьезоэлектрические, магнитострикционные, электрострикционные, электродинамические или гидравлические элементы, действующие индивидуально или в определенной комбинации, имеющие любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0; 9015 80 910 0
  а) плотность мгновенной излучаемой акустической мощности, превышающую 0,01 мВт/кв. мм/Гц для приборов, работающих на частотах ниже 10 кГц;  
  б) плотность непрерывно излучаемой акустической мощности, превышающую 0,001 мВт/кв. мм/Гц для приборов, работающих на частотах ниже 10 кГц; или  
  Техническое примечание.  
  Плотность акустической мощности получается делением выходной акустической мощности на произведение площади излучающей поверхности и рабочей частоты  
  в) подавление боковых лепестков более 22 дБ  
  Примечания:  
  1. Контрольный статус акустических излучателей, в том числе преобразователей, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого другого оборудования  
  2. По пункту 6.1.1.1.1.3 не контролируются электронные источники, осуществляющие только вертикальное зондирование, механические (например, пневмопушки или пароударные пушки) или химические (например, взрывные) источники;  
6.1.1.1.1.4. Акустические системы, оборудование и специально разработанные компоненты для определения положения надводных судов и подводных аппаратов, предназначенные для работы на дистанции более 1000 м с точностью позиционирования меньше (лучше) 10 м СКО (среднеквадратичное отклонение) при измерении на расстояниях до 1000 м 9014 80 000 0; 9015 80 110 0
  Примечание.  
  Пункт 6.1.1.1.1.4 включает:  
  а) оборудование, использующее согласованную обработку сигналов между двумя или более буями и гидрофонным устройством на надводном судне и подводном аппарате;  
  б) оборудование, обладающее способностью автокоррекции накапливающейся погрешности скорости звука для вычислений местоположения  
  Примечание.  
  По пункту 6.1.1.1.1 не контролируются:  
  а) эхолоты, действующие вертикально под аппаратом, не включающие функцию сканирования луча в диапазоне более +/-20 град. и ограниченные измерением глубины воды, расстояния до погруженных или заглубленных объектов или косяков рыбы;  
  б) следующие акустические буи: аварийные акустические буи; акустические буи с дистанционным управлением, специально разработанные для перемещения или возвращения в подводное положение;  
6.1.1.1.2. Пассивные (принимающие, связанные или не связанные в условиях нормального применения с отдельными активными устройствами) системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:  
6.1.1.1.2.1. Гидрофоны с любой из следующих характеристик:  
  а) включающие непрерывные гибкие чувствительные элементы; 9014 80 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  б) включающие гибкие сборки дискретных чувствительных элементов с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм; 9014 80 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  в) имеющие любые из следующих чувствительных элементов: волоконно-оптические; пьезоэлектрические из полимерных пленок, отличные от поливинилиденфторида (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDFTFE)} ({поли(винилиденфторидтрифторэтилен) и поли(винилиденфторидтетрафторэтилен)}); или гибкие пьезоэлектрические из композиционных материалов; 9014 80 000 0; 9015 80 930 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  г) имеющие гидрофонную чувствительность лучше -180 дБ на любой глубине без компенсации ускорения; 9014 80 000 0; 9015 80 930 0
  д) разработанные для эксплуатации на глубинах, превышающих 35 м, с компенсацией ускорения; или 9014 80 000 0; 9015 80 930 0
  е) разработанные для эксплуатации на глубинах более 1000 м 9014 80 000 0; 9015 80 930 0
  Примечание.  
  Контрольный статус гидрофонов, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого оборудования  
  Технические примечания:  
  1. Пьезоэлектрические чувствительные элементы из полимерной пленки состоят из поляризованной полимерной пленки, которая натянута на несущую конструкцию или катушку (сердечник) и прикреплена к ним  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  2. Гибкие пьезоэлектрические чувствительные элементы из композиционного материала состоят из пьезоэлектрических керамических частиц или волокон, распределенных в электроизоляционном акустически прозрачном резиновом, полимерном или эпоксидном связующем, которое является неотъемлемой частью чувствительного элемента;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  3. Гидрофонная чувствительность определяется как 20-кратный десятичный логарифм отношения эффективного выходного напряжения к эффективной величине нормирующего напряжения 1 В, когда гидрофонный датчик без предусилителя помещен в акустическое поле плоской волны с эффективным давлением 1 мкПа. Например: гидрофон с -160 дБ (нормирующее напряжение 1 В на мкПа) даст выходное напряжение 10(-8) В в таком поле, в то время как гидрофон с чувствительностью -180 дБ даст только 10(-9) В на выходе. Таким образом, -160 дБ лучше, чем -180 дБ;  
6.1.1.1.2.2. Буксируемые акустические гидрофонные решетки, имеющие любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0
  а) гидрофонные группы, расположенные с шагом менее 12,5 м, или имеющие возможность модификации для расположения гидрофонных групп с шагом менее 12,5 м;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  б) разработанные или имеющие возможность модификации для работы на глубинах более 35 м  
  Техническое примечание.  
  Возможность модификации, указанная в подпунктах "а" и "б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает наличие резервов, позволяющих изменять схему соединений или внутренних связей для усовершенствования гидрофонной группы по ее размещению или изменению пределов рабочей глубины. Такими резервами является возможность монтажа: запасных проводников в количестве, превышающем 10% от числа рабочих проводников связи; блоков настройки конфигурации гидрофонной группы или внутренних устройств, ограничивающих глубину погружения, что обеспечивает регулировку или контроль более чем одной гидрофонной группы;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  в) датчики направленного действия, контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4;  
  г) продольно армированные рукава решетки;  
  д) собранные решетки диаметром менее 40 мм; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Подпункт е) - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  е) характеристики гидрофонов, указанные в пункте 6.1.1.1.2.1;  
6.1.1.1.2.3. Аппаратура обработки данных, специально разработанная для применения в буксируемых акустических гидрофонных решетках, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований или процессов; 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0
6.1.1.1.2.4. Датчики направленного действия, имеющие все следующие характеристики: 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 110 0;
  а) точность лучше +/- 0,5 град.; и 9015 80 930 0
  б) разработанные для работы на глубинах, превышающих 35 м, либо имеющие регулируемое или сменное глубинное чувствительное устройство, разработанное для работы на глубинах, превышающих 35 м;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.1.1.2.5. Донные или притопленные кабельные системы, имеющие любую из следующих составляющих: 8907 90 000 0; 9014 80 000 0; 9014 90 000 0;
  а) объединяющие гидрофоны, указанные в пункте 6.1.1.1.2.1; или 9015 80 930 0; 9015 80 990 0
  б) объединяющие сигнальные модули многоэлементной гидрофонной группы, имеющие все следующие характеристики: разработаны для функционирования на глубинах, превышающих 35 м, либо обладают регулируемым или сменным устройством измерения глубины для работы на глубинах, превышающих 35 м; и обладают возможностью оперативного взаимодействия с модулями буксируемых акустических гидрофонных решеток;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.1.1.2.6. Аппаратура обработки данных, специально разработанная для донных или притопленных кабельных систем, обладающая программируемостью пользователем и обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований либо процессов 8907 90 000 0; 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Особое примечание.  
  В отношении пассивных систем, оборудования и специальных компонентов, указанных в пунктах 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6, см. также пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6 раздела 2 и пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.5 раздела 3  
6.1.1.2. Аппаратура гидролокационного корреляционного и допплеровского лагов, разработанная для измерения горизонтальной составляющей скорости носителя аппаратуры относительно морского дна:  
6.1.1.2.1. Аппаратура гидролокационного корреляционного лага, имеющая любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0
  а) разработанная для эксплуатации на расстояниях между ее носителем и дном моря более 500 м; или  
  б) имеющая точность определения скорости лучше (меньше) 1%;  
6.1.1.2.2. Аппаратура гидролокационного допплеровского лага, имеющая точность определения скорости лучше (меньше) 1% 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0
  Примечания:  
  1. Пункт 6.1.1.2 не применяется к эхолотам, ограниченным любым из следующего:  
  а) измерением глубины;  
  б) измерением расстояния от погруженных под воду или затопленных объектов; или  
  в) промысловой разведкой  
  2. Пункт 6.1.1.2 не применяется к системам, специально разработанным для установки на надводные суда  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2. Оптические датчики, приборы и компоненты для них  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1. Приемники оптического излучения:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Особое примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.1. Следующие твердотельные приемники оптического излучения, пригодные для применения в космосе:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.1.1. Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие все следующие характеристики: 8541 40 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм; и  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  б) чувствительность менее 0,1% относительно максимального значения для длин волн свыше 400 нм;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.1.2. Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие все следующие характеристики: 8541 40 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 900 нм до 1200 нм; и  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  б) постоянную времени отклика приемника 95 нс или менее;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  В отношении твердотельных приемников оптического излучения, указанных в пунктах 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2, см. также пункты 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2 раздела 2;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.1.3. Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм 8541 40 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  В отношении твердотельных приемников оптического излучения, указанных в пункте 6.1.2.1.1.3, см. также пункт 6.1.2.1.1.3 раздела 2 и пункт 6.1.2.1 раздела 3;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.2. Следующие электронно-оптические преобразователи (ЭОП) и специально разработанные для них компоненты:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Пункт 6.1.2.1.2 не применяется к фотоэлектронным умножителям (ФЭУ) без формирования изображений, имеющим электронно-чувствительное устройство в вакууме, ограниченным исключительно любым из следующего:  
  а) единственным металлическим анодом; или  
  б) металлическими анодами с межцентровым расстоянием более 500 мкм  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Техническое примечание.  
  "Зарядовое умножение" является формой электронного усиления изображения и характеризуется созданием носителей зарядов в результате процесса ударной ионизации. Приемниками оптического излучения с зарядовым умножением могут быть электронно-оптические преобразователи, твердотельные приемники оптического излучения или фокальные матричные приемники  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.2.1. Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное: 8540 20 800 0
  а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм;  
  б) электронное усиление изображения, использующее любое из следующего:  
  1) микроканальную пластину с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее; или  
  2) электронный чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине; и  
  в) любые из следующих фотокатодов: фотокатоды S-20, S-25 или многощелочные фотокатоды с интегральной чувствительностью более 350 мкА/лм; GaAs или GaInAs фотокатоды; или другие полупроводниковые фотокатоды на основе соединений III - V с максимальной спектральной чувствительностью более 10 мА/Вт;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.2.2. Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное: 8540 20 800 0
  а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800 нм;  
  б) электронное усиление изображения, использующее любое из следующего:  
  1) микроканальную пластину с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее; или  
  2) электронно-чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине; и  
  в) полупроводниковые фотокатоды на основе соединений III - V (например, GaAs или GaInAs) и фотокатоды на эффекте переноса электронов  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Подпункт "в" пункта 6.1.2.1.2.2 не применяется к полупроводниковым фотокатодам с максимальной спектральной чувствительностью 15 мА/Вт или менее  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  В отношении электронно-оптических преобразователей, указанных в в пунктах 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2, см. также пункты 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2 раздела 2;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.2.3. Нижеперечисленные специально разработанные компоненты:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.2.3.1. Микроканальные пластины с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее; 8541 40 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.2.3.2. Электронный чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине; 8541 40 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.2.3.3. Полупроводниковые фотокатоды на соединениях III - V (например, GaAs или GaInAs) и фотокатоды на эффекте переноса электронов 8541 40 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Пункт 6.1.2.1.2.3.3 не применяется к полупроводниковым фотокатодам, разработанным для достижения любого из нижеприведенных значений максимальной спектральной чувствительности:  
  а) 10 мА/Вт или менее при максимуме спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм; или  
  б) 15 мА/Вт или менее при максимуме спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800 нм;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.3. Следующие фокальные матричные приемники, непригодные для применения в космосе:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Техническое примечание.  
  Линейные или двухмерные многоэлементные матричные приемники оптического излучения определяются фокальными матричными приемниками  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.3.1. Фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное: 8541 40 900 0
  а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 900 нм до 1050 нм; и  
  б) любую из следующих характеристик: постоянную времени отклика приемника менее 0,5 нс; или являющиеся специально разработанными или модифицированными для достижения зарядового умножения и имеющие максимальную спектральную чувствительность, превышающую 10 мА/Вт;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.3.2. Фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное: 8541 40 900 0
  а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200 нм; и  
  б) любую из следующих характеристик: постоянную времени отклика приемника 95 нс или менее; или являющиеся специально разработанными или модифицированными для достижения зарядового умножения и имеющие максимальную спектральную чувствительность, превышающую 10 мА/Вт;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.3.3. Нелинейные (двухмерные) фокальные матричные приемники, имеющие отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм 8541 40 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  Микроболометрические решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, на основе кремния и другого материала определяются только по пункту 6.1.2.1.3.6;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.3.4. Линейные (одномерные) фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное: 8541 40 900 0
  а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 3000 нм; и  
  б) любую из следующих характеристик: отношение размера элемента приемника в направлении сканирования к размеру элемента приемника в направлении поперек сканирования менее 3,8; или обработку сигналов в элементе (SPRITE-структура)  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Техническое примечание.  
  Для целей подпункта "б" пункта 6.1.2.1.3.4 "направление поперек сканирования" определяется как направление вдоль оси, параллельной линейке элементов приемника, а "направление сканирования" определяется как направление вдоль оси, перпендикулярной линейке элементов приемника  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Пункт 6.1.2.1.3.4 не применяется к фокальным матричным приемникам на основе германия, содержащим не более 32 детекторных элементов;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.3.5. Линейные (одномерные) фокальные матричные приемники, имеющие отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 3000 нм до 30 000 нм; 8541 40 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.3.6. Нелинейные (двухмерные) инфракрасные фокальные матричные приемники на основе микроболометрического материала, для отдельных элементов которых не применяется спектральная фильтрация чувствительности в диапазоне длин волн от 8000 нм до 14 000 нм 8541 40 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Техническое примечание.  
  Для целей пункта 6.1.2.1.3.6 микроболометр определяется как тепловой приемник инфракрасного излучения, у которого формирование соответствующего выходного сигнала происходит за счет изменения температуры приемника при поглощении инфракрасного излучения;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.1.3.7. Фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное: 8541 40 900 0
  а) отдельные элементы приемника с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 900 нм;  
  б) являющиеся специально разработанными или модифицированными для достижения зарядового умножения и имеющие в спектральном диапазоне, превышающем 760 нм, максимальную спектральную чувствительность выше 10мА/Вт; и в) более 32 элементов  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Техническое примечания. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечания:  
  1. Пункт 6.1.2.1.3 включает фоторезистивные и фотовольтаические матрицы  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  2. Пункт 6.1.2.1.3 не применяется:  
  а) к многоэлементным приемникам (с числом элементов не более 16) с фоточувствительными элементами из сульфида или селенида свинца (PbS или PbSe соответственно);  
  б) к пироэлектрическим приемникам на основе любого из следующих материалов: триглицинсульфата и его производных; титаната свинца-лантана-циркония (PLZT керамики) и его производных; танталата лития (LiTaO ); 3 поливинилиденфторида и его производных; или ниобата бария-стронция (BaStNbO ) 3 и его производных;  
  в) к фокальным матричным приемникам, специально разработанным или модифицированным для реализации зарядового умножения, имеющим ограниченное конструкцией значение максимальной спектральной чувствительности 10 мА/Вт или менее для длин волн, превышающих 760 нм, и имеющим все нижеперечисленное:  
  1) включенный в их конструкцию механизм ограничения чувствительности без возможности его удаления или модификации; и  
  2) любое из следующего: механизм ограничения чувствительности, являющийся неотъемлемой частью конструкции приемника; или фокальный матричный приемник, действующий только вместе с установленным механизмом ограничения чувствительности  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Техническое примечание.  
  Механизм ограничения чувствительности приемника является неотъемлемой частью конструкции приемника и разработан с отсутствием возможности его удаления или модификации без приведения приемника в нерабочее состояние  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особые примечания:  
  1. Микроболометрические фокальные матричные приемники, непригодные для применения в космосе, определяются только по пункту 6.1.2.1.3.6  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  2. В отношении фокальных матричных приемников, указанных в пункте 6.1.2.1.3, см. также пункт 6.1.2.1.3 раздела 2  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.2. Моноспектральные датчики изображения и многоспектральные датчики изображения, разработанные для применения при дистанционном зондировании и имеющие любое из следующего: 8540 89 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) мгновенное угловое поле (МУП) менее 200 мкрад; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  б) разработанные для функционирования в диапазоне длин волн от 400 нм до 30 000 нм и имеющие все нижеперечисленное:  
  1) обеспечивающие выходные данные изображения в цифровом формате; и  
  2) имеющие любую из следующих характеристик: - пригодные для применения в космосе; или - разработанные для функционирования на борту летательного аппарата, использующие приемники, изготовленные не из кремния и имеющие МУП менее 2,5 мрад  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  В отношении многоспектральных датчиков изображения, указанных в пункте 6.1.2.2, см. также пункт 6.1.2.2 раздела 2  
6.1.2.3. Приборы прямого наблюдения изображения, содержащие любое из следующего:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.3.1. Электронно-оптические преобразователи, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2.1 или 6.1.2.1.2.2; 8540 20 800 0; 8540 99 000 0; 9005
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.3.2. Фокальные матричные приемники, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3 или 6.1.2.5; или 8540 99 000 0; 9005
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.3.3. Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.1 8540 99 000 0; 9005
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Техническое примечание.  
  Под приборами прямого наблюдения изображения понимаются приборы для получения человеком-наблюдателем визуального изображения без преобразования его в электронный сигнал для телевизионного дисплея и без возможности записи или сохранения этого изображения фотографическим, электронным или другим способом  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Пункт 6.1.2.3 не применяется к следующим приборам, содержащим фотокатоды на основе материалов, отличных от GaAs или GaInAs:  
  а) промышленным или гражданским системам охранной сигнализации, системам управления движением транспорта или промышленного управления перемещением и системам счета;  
  б) медицинским приборам;  
  в) промышленным приборам, используемым для проверки, сортировки или анализа состояния материалов;  
  г) датчикам контроля пламени для промышленных печей;  
  д) приборам, специально разработанным для лабораторного использования  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  В отношении оборудования прямого наблюдения, указанного в пункте 6.1.2.3, см. также пункт 6.1.2.3 раздела 2  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.4. Специальные вспомогательные компоненты для оптических датчиков:  
6.1.2.4.1. Криогенные охладители, пригодные для применения в космосе; 8418 69 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.4.2. Нижеперечисленные криогенные охладители, непригодные для применения в космосе, с температурой источника охлаждения ниже 218 К (-55 град. С):  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.4.2.1. Криогенные охладители с замкнутым циклом и с определенным техническими условиями средним временем наработки на отказ или средним временем наработки между отказами более 2500 ч; 8418 69 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.4.2.2. Саморегулирующиеся миниохладители, работающие по циклу ДжоуляТомсона, с наружными диаметрами канала менее 8 мм; 8418 69 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.4.3. Оптические волокна, специально изготовленные с заданным составом или структурой либо модифицированные с помощью покрытия для обеспечения их акустической, температурной, инерциальной, электромагнитной или радиационной чувствительности 9001 10 900
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.2.5. Фокальные матричные приемники, пригодные для применения в космосе, имеющие в матрице более 2048 элементов и максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм 9013 80 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Особое примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.3. Камеры, системы или приборы и компоненты для них  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  Для камер, специально разработанных или модифицированных для подводного использования, см. пункты 8.1.2.4 и 8.1.2.5  
6.1.3.1. Камеры для контрольноизмерительных приборов (регистрационные киносъемочные аппараты) и специально разработанные для них компоненты:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.3.1.1. Высокоскоростные записывающие кинокамеры, использующие любой формат пленки от 8 мм до 16 мм, в которых пленка непрерывно движется вперед в течение всего периода записи и которые способны записывать при скорости кадрирования более 13 150 кадров/с 9007 11 000 0; 9007 19 000 0
  Примечание.  
  Пункт 6.1.3.1.1 не применяется к записывающим кинокамерам, разработанным для гражданских целей;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.3.1.2. Механические высокоскоростные камеры с неподвижной пленкой и скоростью записи более 1 000 000 кадров/с для полной высоты кадрирования 35-мм пленки, или с пропорционально более высокой скоростью для меньшей высоты кадров, или с пропорционально меньшей скоростью для большей высоты кадров; 9007 19 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.3.1.3. Механические или электронные фотохронографы (стрик-камеры), имеющие скорость записи более 10 мм/мкс; 9007 19 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.3.1.4. Электронные камеры с кадрированием изображения, имеющие скорость более 1 000 000 кадров/с; 9007 19 000 0
6.1.3.1.5. Электронные камеры, имеющие все нижеперечисленное: 9007 19 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) скорость электронного затвора (способность стробирования) менее 1 мкс на полный кадр; и  
  б) время считывания, обеспечивающее скорость кадрирования более 125 полных кадров в секунду  
  Примечание.  
  Камеры для контрольно-измерительных приборов, определенные в пунктах 6.1.3.1.3 - 6.1.3.1.5 и имеющие модульную структуру, должны оцениваться их максимальной способностью использования подходящих сменных модулей в соответствии со спецификацией изготовителя;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.3.1.6. Сменные модули, имеющие все следующие характеристики: 9007 19 000 0; 9007 91 000 0
  а) специально разработанные для камер контрольно-измерительных приборов, имеющих модульную структуру и определенных в пункте 6.1.3.1; и  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  б) дающие возможность камерам удовлетворять характеристикам, определенным в пунктах 6.1.3.1.3, 6.1.3.1.4 или 6.1.3.1.5, в соответствии с техническими требованиями производителей  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.3.2. Камеры формирования изображения:  
6.1.3.2.1. Видеокамеры, включающие твердотельные датчики, имеющие максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 10 нм до 30 000 нм и все следующее: 8525 80
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) имеющие любую из следующих характеристик: более 4 x 10(6) активных пикселей в твердотельной матрице для монохромных (черно-белых) камер; более 4 x 10(6) активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер, включающих три твердотельные матрицы; или более 12 x 10(6) активных пикселей в твердотельной матрице для цветных камер на основе одной твердотельной матрицы; и  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  б) имеющие любую из следующих характеристик: оптические зеркала, определенные в пункте 6.1.4.1; оборудование (приборы) для оптического контроля, определенное в пункте 6.1.4.4; или способность комментирования накопленных внутри камеры данных сопровождения  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
  Технические примечания:  
  1. Для целей настоящего пункта цифровые видеокамеры должны оцениваться максимальным числом активных пикселей, используемых для фиксации (сохранения) движущихся изображений  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  2. Для целей настоящего пункта термин "данные сопровождения камеры" означает информацию, необходимую для определения ориентации линии визирования камеры относительно Земли. Это включает:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) азимутальный угол линии визирования камеры, образованный относительно направления магнитного поля земли; и  
  б) вертикальный угол между линией визирования камеры и горизонтом земли;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
6.1.3.2.2. Сканирующие камеры и системы на основе сканирующих камер, имеющие все следующее: 8525 80 300 0; 8525 80 910; 8525 80 990 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 10 нм до 30 000 нм;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  б) линейные матричные приемники с более чем 8192 элементами в матрице; и  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  в) механическое сканирование в одном направлении;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.3.2.3. Камеры формирования изображений, включающие в себя электроннооптические преобразователи, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2.1 или 6.1.2.1.2.2; 8525 80 300 0; 8525 80 910; 8525 80 990 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.3.2.4. Камеры формирования изображений, включающие любые из нижеперечисленных фокальных матричных приемников: 8525 80 110 0; 8525 80 190 0; 8525 80 300 0; 8525 80 910 9;
  а) определенных в пунктах 6.1.2.1.3.1 - 6.1.2.1.3.5; 8525 80 990 9
  б) определенных в пункте 6.1.2.1.3.6;  
  в) определенных в пункте 6.1.2.1.3.7; или  
  г) определенных в пункте 6.1.2.5  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечания:  
  1. Камеры формирования изображения, определенные в пункте 6.1.3.2.4, включают фокальные матричные приемники, объединенные с электронным устройством для обработки поступивших от них сигналов, позволяющие получить, по крайней мере, выходной аналоговый или цифровой сигнал в момент подачи питания  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  2. Подпункт "а" пункта 6.1.3.2.4 не применяется к камерам формирования изображений, включающим в себя линейные фокальные матричные приемники с 12 или меньшим числом элементов без временной задержки и интегрирования сигнала в элементе, разработанным для любого из следующего:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) промышленных или гражданских систем охранной сигнализации, систем управления движением транспорта или промышленного управления перемещением и систем счета;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  б) производственного оборудования, используемого для контроля или мониторинга тепловых потоков в зданиях, оборудовании или производственных процессах;  
  в) производственного оборудования, используемого для контроля, сортировки или анализа состояния материалов;  
  г) оборудования, специально разработанного для лабораторного использования; или  
  д) медицинского оборудования  
  3. Подпункт "б" пункта 6.1.3.2.4 не применяется к камерам формирования изображения, имеющим любую из следующих характеристик:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) максимальную частоту смены кадров, равную или меньше 9 Гц;  
  б) имеющим все нижеследующее:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  1) минимальное горизонтальное или вертикальное мгновенное угловое поле (МУП), по крайней мере, 10 мрад/пиксель (миллирадиан/ пиксель);  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  2) включающим объективы с фиксированным фокусным расстоянием без возможности их удаления;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  3) не включающим в свой состав дисплей с отображением прямого наблюдения; и  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Техническое примечание.  
  Отображение прямого наблюдения относится к камере формирования изображения, работающей в инфракрасной области спектра, которая передает визуальное изображение наблюдателю с помощью миниатюрного дисплея, включающего в себя любой светозащитный механизм  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  4) имеющим любое из нижеследующего: отсутствие устройств для получения фактически наблюдаемого изображения, обнаруженного в угловом поле; или являющимся разработанными только для одного вида применения и без возможности изменения их пользователем; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Техническое примечание.  
  Мгновенное угловое поле (МУП), определенное в пункте "б" примечания 3, является наименьшей величиной, вычисляемой по горизонтальному угловому полю (ГУП) или вертикальному угловому полю (ВУП). Горизонтальное МУП равно значению ГУП, отнесенного к количеству горизонтальных чувствительных элементов приемника. Вертикальное МУП равно значению ВУП, отнесенного к количеству вертикальных чувствительных элементов приемника  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  в) специально разработанным для установки на гражданское пассажирское наземное транспортное средство массой менее трех тонн (вес брутто транспортного средства) и отвечающим всем следующим требованиям:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  1) работающим только тогда, когда они установлены на любое из следующего:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  гражданское пассажирское наземное транспортное средство, для которого они предназначались; или специально разработанное и сертифицированное испытательное или тестирующее оборудование для этих камер; и  
  2) включающим в себя устройство, которое приводит камеру в нерабочее состояние при извлечении ее из транспортного средства, для которого камера предназначалась  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  В случае необходимости детали изделия предоставляются соответствующему уполномоченному органу Российской Федерации по его требованию, чтобы убедиться в их соответствии условиям, изложенным в подпункте 4 пункта "б" и пункте "в" вышеупомянутого примечания 3  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  4. Подпункт "в" пункта 6.1.3.2.4 не применяется к камерам формирования изображения, имеющим любую из следующих характеристик: а) отвечающим всем следующим требованиям:  
  1) являющимся специально разработанными для установки в качестве встроенного компонента в системы или оборудование (приборы), предназначенные для работы внутри помещения от штепсельной вилки для стенной розетки, и конструктивно ограниченным только для одного из следующих видов применения: для мониторинга промышленного процесса, контроля качества или анализа состояния материалов; в лабораторном оборудовании (приборах), специально разработанном для научных исследований; в медицинском оборудовании (приборах); или в аппаратуре (приборах) системы обнаружения финансового мошенничества (финансовых подделок); и  
  2) работающим только тогда, когда они установлены на/в любое из следующего: системы или оборудование (приборы), для которых они предназначались; или специально разработанное и сертифицированное оборудование для технического обслуживания и ремонта этих камер; и  
  3) включающим в себя устройство, которое приводит камеру в нерабочее состояние при извлечении ее из систем или оборудования (приборов), для которых камера предназначалась;  
  б) являющимся специально разработанными для установки на гражданское пассажирское наземное транспортное средство массой менее трех тонн (вес брутто транспортного средства) или паром для перевозки пассажиров и транспортных средств, имеющий общую длину парома (ОДП) 65 м или более, и отвечающим всем следующим требованиям:  
  1) работающим только тогда, когда они установлены на любое из следующего: гражданское пассажирское наземное транспортное средство или паром для перевозки пассажиров и транспортных средств, для которого они предназначались; или специально разработанное и сертифицированное испытательное или тестирующее оборудование для этих камер; и  
  2) включающим в себя устройство, которое приводит камеру в нерабочее состояние при извлечении ее из транспортного средства, для которого камера предназначалась;  
  в) имеющим ограниченное конструкцией значение максимальной спектральной чувствительности 10 мА/Вт или менее для длин волн, превышающих 760 нм, и отвечающим всем следующим требованиям:  
  1) включающим в себя механизм ограничения чувствительности, разработанный с отсутствием возможности его извлечения или изменения; и  
  2) включающим в себя устройство, которое приводит камеру в нерабочее состояние при извлечении из нее механизма ограничения чувствительности; или  
  г) отвечающим всем следующим требованиям:  
  1) не включающим в свой состав дисплей с отображением прямого наблюдения или дисплей электронного изображения;  
  2) не имеющим устройств для получения фактически наблюдаемого изображения, обнаруженного в угловом поле;  
  3) имеющим фокальный матричный приемник, работающий только когда он установлен в камеру, для которой был предназначен; и  
  4) имеющим фокальный матричный приемник, включающий в себя активное устройство, которое делает его неработоспособным при извлечении из камеры, для которой этот фокальный матричный приемник предназначался  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  В случае необходимости элементы камер предоставляются соответствующему уполномоченному органу Российской Федерации по его требованию, чтобы убедиться в их соответствии условиям, изложенным в вышеупомянутом примечании 4;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.3.2.5. Камеры формирования изображений, включающие твердотельные приемники оптического излучения, определенные в пункте 6.1.2.1.1 8525 80 110 0; 8525 80 190 0; 8525 80 300 0; 8525 80 910 9; 8525 80 990 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  В отношении камер формирования изображения, указанных в пунктах 6.1.3.2.3 - 6.1.3.2.5, см. также пункты 6.1.3.1.1 - 6.1.3.1.3 раздела 2  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Пункт 6.1.3.2 не применяется к телевизионным или видеокамерам, специально разработанным для телевизионного вещания  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.4. Оптика (оптическое оборудование (приборы) и компоненты)  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.4.1. Оптические зеркала (рефлекторы):  
6.1.4.1.1. Деформируемые зеркала, имеющие сплошные или многоэлементные поверхности, и специально разработанные для них компоненты, которые способны динамически осуществлять перерегулировку положения частей поверхности зеркала с частотой выше 100 Гц; 9001 90 000 0; 9002 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.4.1.2. Легкие монолитные зеркала, имеющие среднюю эквивалентную плотность менее 30 кг/кв. м и общую массу более 10 кг; 9001 90 000 0; 9002 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.4.1.3. Зеркала из легких композиционных или пенообразных материалов, имеющие среднюю эквивалентную плотность менее 30 кг/кв. м и общую массу более 2 кг; 9001 90 000 0; 9002 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.4.1.4. Зеркала для управления лучом с диаметром или длиной по главной оси более 100 мм, имеющие плоскостность 1/2 длины волны или лучше (длина волны равна 633 нм) и ширину полосы частот управления более 100 Гц 9001 90 000 0; 9002 90 000 0
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  Для оптических зеркал, специально разработанных для литографического оборудования, см. пункт 3.2.1  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.4.2. Оптические компоненты, изготовленные из селенида цинка (ZnSe) или сульфида цинка (ZnS), с полосой пропускания от 3000 нм до 25 000 нм, имеющие любую из следующих характеристик: 9001 90 000 0; 9002 90 000 0
  а) объем более 100 куб. см; или  
  б) диаметр или длину по главной оси более 80 мм и толщину (глубину) более 20 мм  
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
6.1.4.3. Компоненты для оптических систем, пригодные для применения в космосе:  
6.1.4.3.1. Оптические элементы облегченного типа с эквивалентной плотностью менее 20% по сравнению со сплошной заготовкой с теми же апертурой и толщиной; 9001 90 000 0; 9002 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.4.3.2. Необработанные подложки, обработанные подложки с поверхностным покрытием (однослойным или многослойным, металлическим или диэлектрическим, проводящим, полупроводящим или изолирующим) или имеющие защитные пленки; 7014 00 000 0; 9001 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.4.3.3. Сегменты или системы зеркал, предназначенные для сборки в космосе в оптическую систему с входной (сборной) апертурой, равной или больше одного оптического метра в диаметре; 9001 90 000 0; 9002 90 000 0
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
6.1.4.3.4. Изготовленные из композиционных материалов, имеющих коэффициент линейного температурного расширения, равный или меньше 5 х 10(-6) в любом направлении 9003 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  В отношении компонентов оптических систем, указанных в пунктах 6.1.4.3 - 6.1.4.3.4, см. также пункты 6.1.4.1 - 6.1.4.1.4 раздела 2  
6.1.4.4. Оборудование для оптического контроля:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.1.4.4.1. Специально разработанное для поддержания профиля поверхности или ориентации оптических компонентов, пригодных для применения в космосе и определенных в пункте 6.1.4.3.1 или 6.1.4.3.3; 9031 49 900 0; 9032 89 000 9
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
6.1.4.4.2. Имеющее управление, слежение, стабилизацию или юстировку резонатора в полосе частот, равной или выше 100 Гц, и погрешность 10 мкрад или менее; 9031 49 900 0; 9032 89 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.4.4.3. Кардановы подвесы, имеющие все следующие характеристики: 8412 21 200 9; 8412 31 000 0;
  а) максимальный угол поворота более 5 град; 8479 89 970 9; 9032 81 000 9;
  б) ширину полосы, равную или выше 100 Гц; 9032 89 000 9
  в) ошибки угловой ориентации, равные или меньше 200 мкрад; и  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  г) имеющие любую из следующих характеристик: диаметр или длину по главной оси более 0,15 м, но не более 1 м и допускающие угловые ускорения более 2 рад/с2; или диаметр или длину по главной оси более 1 м и допускающие угловые ускорения более 0,5 рад/с2 ;  
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
6.1.4.4.4. Специально разработанное для сохранения настройки фазированной антенной решетки (ФАР) или фазированных сегментов систем зеркал, содержащих зеркала с диаметром сегмента или длиной по главной оси 1 м или более 9032 89 000 9
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  В отношении оборудования для оптического контроля, указанного в пунктах 6.1.4.4 - 6.1.4.4.4, см. также пункты 6.1.4.2 - 6.1.4.2.4 раздела 2  
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
6.1.4.5. Асферические оптические элементы, имеющие все следующие характеристики: 9001 90 000 0; 9002 90 000 0
  а) наибольший размер оптической апертуры более 400 мм;  
  б) шероховатость поверхности менее 1 нм (среднеквадратичную) на выборочном участке длиной, равной или превышающей 1 мм; и в) абсолютную величину коэффициента линейного температурного расширения менее 3 х 10(-6)/К при температуре 25 град .С  
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
  Технические примечания:  
  1. Асферический оптический элемент - любой элемент, используемый в оптической системе, оптическая поверхность или поверхности которого разработаны отличающимися от формы идеальной сферы  
  2. Изготовители не нуждаются в измерении шероховатости поверхности, указанной в подпункте "б" пункта 6.1.4.5, за исключением тех случаев, когда оптический элемент разработан или изготовлен с целью соответствия или превышения определенного параметра  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Пункт 6.1.4.5 не применяется к асферическим оптическим элементам, имеющим любые из следующих характеристик:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) наибольший размер оптической апертуры менее 1 м и отношение фокусного расстояния к апертуре, равное или больше 4,5 : 1;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  б) наибольший размер оптической апертуры, равный или больше 1 м, и отношение фокусного расстояния к апертуре, равное или больше 7 : 1  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  в) разработанным как линзы Френеля, "рыбий глаз", пластины, призмы или дифракционные оптические элементы;  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  г) изготовленным из боросиликатного стекла, имеющего коэффициент линейного температурного расширения более 2,5 х 10(-16)/К при температуре 25 град. С; или  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  д) являющимся отражательными оптическими элементами для рентгеновских лучей, обладающим свойствами внутреннего отражения (например, зеркала для рентгеновских трубок)  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  Особое примечание.  
  Для асферических оптических элементов, специально разработанных для литографического оборудования, см. пункт 3.2.1  
  Лазеры  
6.1.5. Лазеры, компоненты и оптическое оборудование:  
  Примечания: 1. Импульсные лазеры включают лазеры, генерирующие импульсы на фоне непрерывной накачки  
  2. Эксимерные, полупроводниковые, химические лазеры, лазеры на оксиде углерода (CO) и диоксиде углерода (CO2) и одноимпульсные лазеры на неодимовом стекле определяются только по пункту 6.1.5.4  
  3. Пункт 6.1.5 включает волоконные лазеры  
  4. Контрольный статус лазеров, использующих преобразование частоты (изменение длины волны) другим способом, чем накачка лазера другим лазером, определяется как параметрами выходного излучения лазера, так и параметрами частотнопреобразованного оптикой излучения  
  5. По пункту 6.1.5 не контролируются следующие лазеры:  
  а) рубиновые с выходной энергией менее 20 Дж;  
  б) азотные;  
  в) криптоновые  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  КПД "от розетки" определяется как отношение выходной мощности (или средней выходной мощности) лазерного излучения к общей электрической входной мощности, необходимой для работы лазера, включая электроснабжение/регулирование мощности и терморегулирование/теплообмен  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.5.1. Неперестраиваемые непрерывные (работающие в непрерывном режиме) лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
  а) длину волны излучения менее 150 нм и выходную мощность более 1 Вт;  
  б) длину волны излучения 150 нм или более, но не превышающую 520 нм, и выходную мощность более 30 Вт  
  Примечание.  
  По подпункту "б" пункта 6.1.5.1 не контролируются аргоновые лазеры, имеющие выходную мощность, равную или меньше 50 Вт;  
  в) длину волны излучения более 520 нм, но не превышающую 540 нм, и имеющие любое из следующего: выходную мощность в режиме генерации одной поперечной моды более 50 Вт; или выходную мощность в многомодовом режиме генерации поперечных мод более 150 Вт;  
  г) длину волны излучения более 540 нм, но не превышающую 800 нм, и выходную мощность более 30 Вт;  
  д) длину волны излучения более 800 нм, но не превышающую 975 нм, и имеющие любое из следующего: выходную мощность в режиме генерации одной поперечной моды более 50 Вт; или выходную мощность в многомодовом режиме генерации поперечных мод более 80 Вт;  
  е) длину волны излучения более 975 нм, но не превышающую 1150 нм, и имеющие любое из следующего:  
  1) в режиме генерации одной поперечной моды имеющие любое из следующего: КПД "от розетки" более 12% и выходную мощность более 100 Вт; или выходную мощность более 150 Вт; или  
  2) в многомодовом режиме генерации поперечных мод имеющие любое из следующего: КПД "от розетки" более 18% и выходную мощность более 500 Вт; или выходную мощность более 2 кВт  
  Примечание.  
  По подпункту 2 вышеупомянутого пункта "е" не контролируются многомодовые (по поперечной моде) промышленные лазеры с выходной мощностью более 2 кВт, но не превышающей 6 кВт, общей массой более 1200 кг. Для целей настоящего примечания под общей массой понимается масса всех компонентов, необходимых для работы лазера (например, лазер, источник питания, теплообменник), но за исключением внешних оптических устройств для преобразования и/или транспортировки лазерного пучка;  
  ж) длину волны излучения более 1150 нм, но не превышающую 1555 нм, и имеющие любое из следующего: выходную мощность в режиме генерации одной поперечной моды более 50 Вт; или выходную мощность в многомодовом режиме генерации поперечных мод более 80 Вт; или  
  з) длину волны излучения более 1555 нм и выходную мощность более 1 Вт;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.5.2. Неперестраиваемые импульсные лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
  а) длину волны излучения менее 150 нм и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 50 мДж и пиковую мощность более 1 Вт; или среднюю выходную мощность более 1 Вт;  
  б) длину волны излучения 150 нм или более, но не превышающую 520 нм, и имеющие любое из следующего:  
  1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; или 2) среднюю выходную мощность более 30 Вт  
  Примечание.  
  По подпункту 2 вышеупомянутого пункта "б" не контролируются аргоновые лазеры со средней выходной мощностью, равной или меньше 50 Вт;  
  в) длину волны излучения более 520 нм, но не превышающую 540 нм, и имеющие любое из следующего:  
  1) в режиме генерации одной поперечной моды имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 50 Вт; или среднюю выходную мощность более 50 Вт; или  
  2) в многомодовом режиме генерации поперечных мод имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 150 Вт; или среднюю выходную мощность более 150 Вт;  
  г) длину волны излучения более 540 нм, но не превышающую 800 нм, и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; или среднюю выходную мощность более 30 Вт;  
  д) длину волны излучения более 800 нм, но не превышающую 975 нм, и имеющие любое из следующего:  
  1) длительность импульса, не превышающую 1 мкс, и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 0,5 Дж и пиковую мощность более 50 Вт; среднюю выходную мощность в режиме генерации одной поперечной моды более 20 Вт; или среднюю выходную мощность в многомодовом режиме генерации поперечных мод более 50 Вт; или  
  2) длительность импульса более 1 мкс и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 2 Дж и пиковую мощность более 50 Вт; среднюю выходную мощность в режиме генерации одной поперечной моды более 50 Вт; или среднюю выходную мощность в многомодовом режиме генерации поперечных мод более 80 Вт;  
  е) длину волны излучения более 975 нм, но не превышающую 1150 нм, и имеющие любое из следующего:  
  1) длительность импульса, не превышающую 1 нс, и имеющие любое из следующего: выходную пиковую мощность в импульсе более 5 ГВт; среднюю выходную мощность более 10 Вт; или выходную энергию в импульсе более 0,1 Дж;  
  2) длительность импульса более 1 нс, но не превышающую 1 мкс, и имеющие любое из следующего: в режиме генерации одной поперечной моды имеющие любое из следующего: - пиковую мощность более 100 МВт; - среднюю выходную мощность более 20 Вт, конструктивно ограниченную максимальной частотой повторения импульсов, равной или меньше 1 кГц; - КПД "от розетки" более 12%, среднюю выходную мощность более 100 Вт и способные работать с частотой повторения импульса более 1 кГц; - среднюю выходную мощность более 150 Вт и способные работать при частоте повторения импульсов более 1 кГц; или - выходную энергию в импульсе более 2 Дж; или в многомодовом режиме генерации поперечных мод имеющие любое из следующего: - пиковую мощность более 400 МВт; - КПД "от розетки" более 18% и среднюю выходную мощность более 500 Вт; - среднюю выходную мощность более 2 кВт; или - выходную энергию в импульсе более 4 Дж; или  
  3) длительность импульса более 1 мкс и имеющие любое из следующего: в режиме генерации одной поперечной моды имеющие любое из следующего: - пиковую мощность более 500 кВт; - КПД "от розетки" более 12% и среднюю выходную мощность более 100 Вт; или - среднюю выходную мощность более 150 Вт; или в многомодовом режиме генерации поперечных мод имеющие любое из следующего: - пиковую мощность более 1 МВт; - КПД "от розетки" более 18% и среднюю выходную мощность более 500 Вт; или среднюю выходную мощность более 2 кВт;  
  ж) длину волны излучения более 1150 нм, но не превышающую 1555 нм, и имеющие любое из следующего:  
  1) длительность импульса, не превышающую 1 мкс, и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 0,5 Дж и пиковую мощность более 50 Вт; среднюю выходную мощность в режиме генерации одной поперечной моды более 20 Вт; или среднюю выходную мощность в многомодовом режиме генерации поперечных мод более 50 Вт; или  
  2) длительность импульса более 1 мкс и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 2 Дж и пиковую мощность более 50 Вт; среднюю выходную мощность в режиме генерации одной поперечной моды более 50 Вт; или среднюю выходную мощность в многомодовом режиме генерации поперечных мод более 80 Вт; или  
  з) длину волны излучения более 1550 нм и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 100 мДж и пиковую мощность более 1 Вт; или среднюю выходную мощность более 1 Вт;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.5.3. Перестраиваемые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
  Примечание.  
  Пункт 6.1.5.3 включает титаносапфировые (Ti:Al2O3), тулий-YAG (Tm:YAG), тулий-YSGG (Tm:YSGG) лазеры, лазеры на александрите (Cr:BeAl2O4), лазеры на центрах окраски, лазеры на красителях и жидкостные лазеры  
  а) длину волны излучения менее 600 нм и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 50 мДж и пиковую мощность более 1 Вт; или среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 1 Вт;  
  б) длину волны излучения 600 нм или более, но не превышающую 1400 нм, и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 1 Дж и пиковую мощность более 20 Вт; или среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 20 Вт; или  
  в) длину волны излучения более 1400 нм и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 50 мДж и пиковую мощность более 1 Вт; или среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 1 Вт;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.5.4. Другие лазеры, не контролируемые по пунктам 6.1.5.1 - 6.1.5.3:  
6.1.5.4.1. Полупроводниковые лазеры:  
  Примечания:  
  1. Пункт 6.1.5.4.1 включает полупроводниковые лазеры, имеющие оптические волоконные выходы  
  2. Контрольный статус полупроводниковых лазеров, специально разработанных для другого оборудования, определяется по контрольному статусу этого другого оборудования  
6.1.5.4.1.1. Одиночные полупроводниковые лазеры, работающие в режиме генерации одной поперечной моды, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 40 100 0
  а) длину волны, равную или меньше 1510 нм, и среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 1,5 Вт; или  
  б) длину волны более 1510 нм и среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 500 мВт;  
6.1.5.4.1.2. Одиночные многомодовые (по поперечной моде) полупроводниковые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 40 100 0
  а) длину волны менее 1400 нм и среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 10 Вт;  
  б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 2,5 Вт; или  
  в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 1 Вт;  
6.1.5.4.1.3. Отдельные линейки полупроводниковых лазеров, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 40 100 0
  а) длину волны менее 1400 нм и среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 80 Вт;  
  б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 25 Вт; или  
  в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 10 Вт;  
6.1.5.4.1.4. Решетки полупроводниковых лазеров, содержащие, по крайней мере, одну линейку, контролируемую по пункту 6.1.5.4.1.3 8541 40 100 0
  Технические примечания:  
  1. Полупроводниковые лазеры обычно называются лазерными диодами  
  2. Линейка состоит из многочисленных полупроводниковых лазерных излучателей, выполненных в виде кристалла (чипа) таким образом, чтобы центры испускаемых лучей находились на параллельных траекториях  
  3. Решетки полупроводниковых лазеров получают путем размещения линеек друг над другом или иным способом их сборки так, чтобы центры испускаемых лучей находились на параллельных траекториях;  
6.1.5.4.2. Лазеры на оксиде углерода (CO), имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
  а) выходную энергию в импульсе более 2 Дж и пиковую мощность более 5 кВт; или  
  б) среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 5 кВт;  
6.1.5.4.3. Лазеры на диоксиде углерода (CO2), имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
  а) мощность непрерывного излучения более 15 кВт;  
  б) длительность импульсов в импульсном режиме более 10 мкс и имеющие любое из следующего: среднюю выходную мощность более 10 кВт; или пиковую мощность более 100 кВт; или  
  в) длительность импульсов в импульсном режиме, равную или меньше 10 мкс, и имеющие любое из следующего: энергию в импульсе более 5 Дж; или среднюю выходную мощность более 2,5 кВт;  
6.1.5.4.4. Эксимерные лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
  а) длину волны излучения, не превышающую 150 нм, и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 50 мДж; или среднюю выходную мощность более 1 Вт;  
  б) длину волны излучения более 150 нм, но не превышающую 190 нм, и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или среднюю выходную мощность более 120 Вт;  
  в) длину волны излучения более 190 нм, но не превышающую 360 нм, и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 10 Дж; или среднюю выходную мощность более 500 Вт; или  
  г) длину волны излучения более 360 нм и имеющие любое из следующего: выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или среднюю выходную мощность более 30 Вт  
  Особое примечание.  
  Для эксимерных лазеров, специально разработанных для литографического оборудования, см. пункт 3.2.1;  
6.1.5.4.5. Химические лазеры:  
6.1.5.4.5.1. Лазеры на фториде водорода (HF); 9013 20 000 0
6.1.5.4.5.2. Лазеры на фториде дейтерия (DF); 9013 20 000 0
6.1.5.4.5.3. Переходные лазеры:  
6.1.5.4.5.3.1. Кислородно-йодные (O2-I) лазеры; 9013 20 000 0
6.1.5.4.5.3.2. Фторид дейтерия-диоксид-углеродные (DF-CO2) лазеры; 9013 20 000 0
6.1.5.4.6. Одноимпульсные лазеры на неодимовом стекле, имеющие любую из следующих характеристик: 9013 20 000 0
  а) длительность импульса, не превышающую 1 мкс, и выходную энергию в импульсе более 50 Дж; или  
  б) длительность импульса более 1 мкс и выходную энергию в импульсе более 100 Дж  
  Примечание.  
  Термин "одноимпульсные" относится к лазерам, которые или испускают одиночный импульс, или имеют временной интервал между импульсами более одной минуты;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.5.5. Следующие компоненты:  
6.1.5.5.1. Зеркала, охлаждаемые либо активным методом, либо методом тепловой трубы 9001 90 000 0; 9002 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Активным охлаждением является метод охлаждения оптических компонентов, в котором используется течение жидкости по субповерхности (расположенной обычно менее чем в 1 мм под оптической поверхностью) оптического компонента для отвода тепла от оптики;  
6.1.5.5.2. Оптические зеркала или прозрачные или частично прозрачные оптические или электрооптические компоненты, специально разработанные для использования с контролируемыми лазерами; 9001 90 000 0; 9002 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.5.6. Оптическое оборудование следующих видов:  
6.1.5.6.1. Оборудование, измеряющее динамический волновой фронт (фазу), использующее по крайней мере 50 позиций на волновом фронте луча, имеющее любую из следующих характеристик: а) частоту кадров, равную или выше 100 Гц, и фазовую дискриминацию, составляющую по крайней мере 5% от длины волны луча; или б) частоту кадров, равную или выше 1000 Гц, и фазовую дискриминацию, составляющую по крайней мере 20% от длины волны луча; 9031 49 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.5.6.2. Оборудование лазерной диагностики, способное измерять погрешности углового управления положением луча лазера сверхвысокой мощности, равные или меньше 10 мкрад; 9031 49 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.5.6.3. Оптическое оборудование и компоненты, специально разработанные для использования в системе лазера сверхвысокой мощности с фазированными решетками для суммирования когерентных лучей с точностью 1/10 длины волны или 0,1 мкм, в зависимости от того, какая из величин меньше; 9013 90 900 0
6.1.5.6.4. Проекционные телескопические оптические системы, специально разработанные для использования с системами лазеров сверхвысокой мощности Датчики магнитного и электрического полей 9002 19 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.6. Магнитометры, магнитные градиентометры, внутренние магнитные градиентометры, подводные датчики электрического поля и компенсационные системы, указанные ниже, и специально разработанные для них компоненты:  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.6.1. Следующие магнитометры и их подсистемы:  
6.1.6.1.1. Использующие технологию сверхпроводящих материалов (сверхпроводящих квантовых интерференционных датчиков или СКВИДов) и имеющие любую из следующих характеристик: 9015 80 110 0; 9015 80 930 0
  а) системы СКВИДов, разработанные для стационарной эксплуатации, без специально разработанных подсистем, предназначенных для уменьшения шума в движении, и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 50 фТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; или  
  б) системы СКВИДов, специально разработанные для устранения шума в движении и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) магнитометра в движении меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц;  
6.1.6.1.2. Использующие технологии оптической накачки или ядерной прецессии (протонной/Оверхаузера), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах 9015 80 110 0; 9015 80 930 0
  Особое примечание.  
  В отношении магнитометров и их подсистем, указанных в пунктах 6.1.6.1.1 и 6.1.6.1.2, см. также пункты 6.1.5.1.1 и 6.1.5.1.2 раздела 2;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.6.1.3. Использующие технологию феррозондов (магнитомодуляционных датчиков), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 10 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц 9015 80 110 0; 9015 80 930 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
6.1.6.1.4. Магнитометры с катушкой индуктивности, имеющие среднеквадратичное значение уровня шума (чувствительности) меньше (лучше), чем любой из следующих показателей: 9015 80 110 0; 9015 80 930 0
  а) 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте ниже 1 Гц;  
  б) 1 х 10(-3)нТ,деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц или выше, но не выше 10 Гц; или  
  в) 1 х 10(-4) нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частотах выше 10 Гц;  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
6.1.6.1.5. Волоконно-оптические магнитометры со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) меньше (лучше) 1 нТ, деленной на корень квадратный из частоты в герцах; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
6.1.6.2. Подводные датчики электрического поля, имеющие уровень шума (чувствительность), измеренный на частоте 1 Гц, меньше (лучше) 8 нВ/м, деленных на корень квадратный из частоты в герцах; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0; 9030
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.6.3. Следующие магнитные градиентометры  
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
6.1.6.3.1. Магнитные градиентометры, использующие наборы магнитометров, контролируемых по пункту 6.1.6.1; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
6.1.6.3.2. Волоконно-оптические внутренние магнитные градиентометры со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) градиента магнитного поля меньше (лучше) 0,3 нТ/м, деленных на корень квадратный из частоты в герцах; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
6.1.6.3.3. Внутренние магнитные градиентометры, использующие технологию, отличную от волоконнооптической, со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) градиента магнитного поля меньше (лучше) 0,015 нТ/м, деленных на корень квадратный из частоты в герцах; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
6.1.6.4. Компенсационные системы для магнитных датчиков или подводных датчиков электрического поля, дающие в результате рабочие характеристики, равные или лучше, чем контрольные параметры, указанные в пункте 6.1.6.1, 6.1.6.2 или 6.1.6.3 9015 80 110 0; 9015 80 930 0; 9030
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Особое примечание.  
  В отношении компенсационных систем, указанных в пункте 6.1.6.4, см. также пункт 6.1.5.2 раздела 2  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Пункт 6.1.6.8. - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Особое примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
  Примечание.  
  По пункту 6.1.6 не контролируются приборы, специально разработанные для рыбопромыслового применения или биомагнитных измерений в медицинской диагностике  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Гравиметры  
6.1.7. Гравиметры и гравитационные градиентометры:  
6.1.7.1. Гравиметры, разработанные или модифицированные для наземного использования, со статической точностью меньше (лучше) 10 микрогалей 9015 80 930 0
  Примечание.  
  По пункту 6.1.7.1 не контролируются наземные гравиметры типа кварцевых элементов (Уордена);  
6.1.7.2. Гравиметры, разработанные для мобильных средств, имеющие все следующие характеристики: 9015 80 930 0
  а) статическую точность меньше (лучше) 0,7 миллигалей; и  
  б) рабочую точность меньше (лучше) 0,7 миллигалей со временем выхода на устойчивый режим регистрации менее 2 мин при любой комбинации присутствующих корректирующих компенсаций и влияния движения;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.7.3. Гравитационные градиентометры 9015 80 930 0
  Радиолокаторы  
6.1.8. Локационные системы, оборудование и узлы, имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты:  
6.1.8.1. Работают на частотах от 40 ГГц до 230 ГГц и имеют любую из следующих характеристик: 8526 10 000
  а) среднюю выходную мощность более 100 мВт; или  
  б) точность обнаружения 1 м или меньше (лучше) по дальности и 0,2 градуса или меньше (лучше) по азимуту;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.8.2. Имеют перестраиваемую рабочую полосу частот, ширина которой превышает +/- 6,25% от центральной рабочей частоты 8526 10 000
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Техническое примечание.  
  Центральная рабочая частота равна половине суммы наибольшей и наименьшей номинальных рабочих частот;  
6.1.8.3. Имеют возможность работать одновременно на двух или более несущих частотах; 8526 10 000
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.8.4. Имеют возможность работы в режимах радиолокационных станций (РЛС) с синтезированной апертурой или обратной синтезированной апертурой или в режиме локатора бокового обзора воздушного базирования 8526 10 000
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Особое примечание.  
  В отношении локационных систем, оборудования и узлов, указанных в пункте 6.1.8.4, см. также пункт 6.1.6.1 раздела 2;  
6.1.8.5. Включают фазированные антенные решетки с электронным управлением диаграммой направленности; 8526 10 000
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.8.6. Определяют высотные одиночные цели 8526 10 000
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 6.1.8.6 не контролируется прецизионное радиолокационное оборудование для контроля захода на посадку, соответствующее стандартам ИКАО;  
6.1.8.7. Специально разработаны для воздушного базирования (устанавливаются на воздушном шаре или летательном аппарате) и имеют допплеровскую обработку сигнала для обнаружения движущихся целей; 8526 10 000
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.1.8.8. Используют обработку сигналов локатора с применением: 8526 10 000
  а) методов расширения спектра РЛС; или  
  б) методов радиолокации с быстрой перестройкой частоты  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Особое примечание.  
  В отношении РЛС, указанных в пункте 6.1.8.8, см. также пункт 6.1.6.2 раздела 2;  
6.1.8.9. Обеспечивают наземное функционирование с максимальной инструментальной дальностью действия более 185 км 8526 10 000
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 6.1.8.9 не контролируются:  
  а) обзорные РЛС для рыболовецких целей;  
  б) наземные РЛС, специально разработанные для управления воздушным движением в случае, когда они удовлетворяют всем следующим условиям: имеют максимальную инструментальную дальность действия 500 км или менее; сконфигурированы так, что данные с РЛС о цели могут быть переданы только в одну сторону от места нахождения локатора к одному или нескольким гражданским центрам управления воздушным движением (УВД) на маршруте; не содержат средств для дистанционного управления скоростью сканирования локатора из центра УВД на маршруте; и должны устанавливаться для постоянной работы;  
  в) локаторы для слежения за метеорологическими воздушными шарами;  
6.1.8.10. Являются лазерными локационными станциями или лазерными дальномерами (ЛИДАРы), имеющими любую из следующих характеристик: 9015 10 100 0; 9015 10 900 0; 9031 80 340 0; 9031 80 910 0
  а) пригодные для применения в космосе; или  
  б) использующие методы когерентного гетеродинного или гомодинного детектирования и имеющие угловое разрешение меньше (лучше) 20 мкрад  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
  Примечание.  
  По пункту 6.1.8.10 не контролируются ЛИДАРы, специально разработанные для геодезических или метеорологических целей;  
6.1.8.11. Имеют подсистемы обработки сигнала со сжатием импульса с любой из следующих характеристик: 8526 10 000
  а) коэффициентом сжатия импульса более 150; или  
  б) шириной импульса менее 200 нс  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Особое примечание.  
  В отношении локационных систем, оборудования и узлов, указанных в пункте 6.1.8.11, см. также пункт 6.1.6.3 раздела 2;  
6.1.8.12. Имеют подсистемы обработки данных, обеспечивающие любое из нижеследующего: 8526 10 000
  а) автоматическое сопровождение цели, обеспечивающее при любом повороте антенны определение прогнозируемого положения цели на время, превышающее время до следующего прохождения луча антенны;  
  б) вычисление скорости цели от активной РЛС, имеющей непериодическое (варьируемое) сканирование;  
  в) обработку сигнала для автоматического распознавания образов (выделение признаков) и сравнения с базами данных характеристик цели (формы сигналов или формирование изображений) для идентификации или классификации целей; или  
  г) наложение и корреляция или синтез данных о цели от двух или более пространственно распределенных и взаимосвязанных радиолокационных датчиков для усиления распознавания целей  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Примечания:  
  1. По подпункту "а" пункта 6.1.8.12 не контролируются средства выдачи сигнала для предупреждения столкновений в системах контроля воздушного движения, морских или прибрежных РЛС  
  2. По подпункту "г" пункта 6.1.8.12 не контролируются системы, оборудование и узлы, используемые для контроля морского движения  
  Особое примечание.  
  В отношении локационных систем, оборудования и узлов, указанных в подпункте "в" пункта 6.1.8.12, см. также пункт 6.1.6.4 раздела 2 и пункт 6.1.3 раздела 3  
  Примечание.  
  По пункту 6.1.8 не контролируются:  
  а) обзорные РЛС с активным ответом;  
  б) радиолокаторы, устанавливаемые на гражданский автотранспорт;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  в) дисплеи или мониторы, используемые для управления воздушным движением (УВД), имеющие не более 12 различимых элементов на 1 мм;  
  г) метеорологические локаторы  
6.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование  
6.2.1. Акустика - нет  
6.2.2. Оптические датчики - нет  
6.2.3 Камеры - нет  
  Оптика  
6.2.4. Следующее оптическое оборудование:  
6.2.4.1. Оборудование для измерения абсолютного значения коэффициента отражения с погрешностью +/- 0,1%; 9031 49 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.2.4.2. Оборудование, отличное от оборудования для измерения оптического поверхностного рассеяния, имеющее незатемненную апертуру с диаметром более 10 см, специально разработанное для бесконтактного оптического измерения неплоскостности оптической поверхности (профиля) с точностью 2 нм или меньше (лучше) от требуемого профиля 9031 49 900 0
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
  Примечание.  
  Пункт 6.2.4 не применяется к микроскопам  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.2.5. Лазеры - нет  
6.2.6. Датчики магнитного и электрического полей - нет  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Гравиметры  
6.2.7. Оборудование для производства, юстировки и калибровки гравиметров наземного базирования со статической точностью лучше 0,1 миллигала 9031 80 380 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Радиолокаторы  
6.2.8. Импульсные локационные системы для измерения поперечного сечения, имеющие длительность передаваемых импульсов 100 нс или менее, и специально разработанные для них компоненты 8526 10 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  Особое примечание.  
  В отношении импульсных локационных систем, указанных в пункте 6.2.8, см. также пункт 6.2.1 разделов 2 и 3  
6.3. Материалы  
6.3.1. Акустика - нет  
  Оптические датчики  
6.3.2. Материалы оптических датчиков:  
6.3.2.1. Теллур (Те) с чистотой 99,9995% или более; 2804 50 900 0
6.3.2.2. Монокристаллы (включая пластины с эпитаксиальными слоями) любого из следующего: 3818 00 900 0; 8107 90 000 0
  а) теллурида цинка-кадмия (CdZnTe) с содержанием цинка менее 6% по мольным долям;  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
  б) теллурида кадмия (CdTe) любой чистоты; или  
  в) теллурида ртути-кадмия (HgCdTe) любой чистоты  
  Техническое примечание.  
  Мольная доля определяется отношением молей ZnTe к сумме молей CdTe и ZnTe, присутствующих в кристалле  
6.3.3. Камеры - нет  
  Оптика  
6.3.4. Следующие оптические материалы:  
6.3.4.1. Заготовки из селенида цинка (ZnSe) и сульфида цинка (ZnS), полученные химическим осаждением из парогазовой фазы, имеющие любую из следующих характеристик: 2830 90 850 0; 2842 90 100 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
  а) объем более 100 куб. см; или  
  б) диаметр более 80 мм и толщину 20 мм или более;  
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
6.3.4.2. Були любых из нижеперечисленных электрооптических материалов:  
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)  
6.3.4.2.1. Арсенат титанила-калия (КТА); 2842 90 800 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.3.4.2.2. Селенид серебра-галлия (AgGaSe2) или; 2842 90 100 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
6.3.4.2.3. Селенид таллия-мышьяка (Tl3AsSe3, известный также как TAS); 2842 90 100 0
6.3.4.3. Нелинейные оптические материалы, имеющие все следующие характеристики: 7020 00 800 0
  а) кубичную восприимчивость (хи 3) 10(-6) кв. м/В2 или более; и  
  б) время отклика менее 1 мс;  
6.3.4.4. Заготовки карбида кремния или осажденных материалов бериллия-бериллия (Be/Be) с диаметром или длиной главной оси более 300 мм; 2849 20 000 0; 8112 19 000 0
6.3.4.5. Стекло, в том числе кварцевое стекло, фосфатное стекло, фторофосфатное стекло, фторид циркония (ZrF4) и фторид гафния (HfF4), имеющее все следующие характеристики: 7001 00 910 0; 7001 00 990 0; 7020 00 800 0
  а) концентрацию гидроксильных ионов (ОН-) менее 5 частей на миллион;  
  б) интегральные уровни чистоты по металлам лучше 1 части на миллион; и  
  в) высокую однородность (флуктуацию коэффициента преломления) менее 5 х 10(-6);  
6.3.4.6. Искусственный алмаз с поглощением менее 10(-5) см(-1) в диапазоне длин волн от 200 нм до 14 000 нм 7104 20 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)  
  Лазеры  
6.3.5. Синтетические кристаллические материалы (основа) лазера в виде заготовок:  
6.3.5.1. Сапфир, легированный титаном; 7104 20 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.3.5.2. Александрит 7104 20 000 0
6.3.6. Датчики магнитного и электрического полей - нет  
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
6.3.7. Гравиметры - нет  
6.3.8. Радиолокаторы - нет  
6.4. Программное обеспечение  
6.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 6.1.4, 6.1.5, 6.1.8 или 6.2.8  
  Особое примечание.  
  В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 6.4.1, см. также пункт 6.4.1 разделов 2 и 3  
6.4.2. Программное обеспечение, специально разработанное для использования оборудования, контролируемого по пункту 6.1.2.2, 6.1.8 или 6.2.8  
6.4.3. Иное программное обеспечение, кроме указанного в пунктах 6.4.1 и 6.4.2:  
  Акустика  
6.4.3.1. Программное обеспечение следующих видов:  
6.4.3.1.1. Программное обеспечение, специально разработанное для формирования акустического луча при обработке в р