| 2008 - 2015 годы - всего | В том числе | Ожидаемые результаты |
| 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год |
| I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы |
| Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника |
| 1. | Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы A B 3 5 | 128,624
-----------
84 | 66
---
44 | 62,624
--------
40 | | | | | | | создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы A B для бортовой и 3 5 наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 2. | Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона | 202
-----
134 | | 30,5
-----
20 | 39,5
-----
26 | 53,25
------
35,5 | 31,8
-----
21,2 | 46,95
-------
31,3 | | | создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей •диапазона на основе гетероструктур материалов группы A B для бортовой и 3 5 наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 3. | Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур | 212,75
---------
134,75 | 141,75
--------
87,75 | 71
---
47 | | | | | | | создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год) |
| 4. | Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур | 531
-----
375 | | 20
----
17 | 77,5
-----
65 | 163,5
------
109 | 118
----
80 | 152
-----
104 | | | создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 5. | Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" | 149,257
----------
101,7 | 85,757
---------
59,7 | 63,5
------
42 | | | | | | | создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 6. | Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" | 248,55
---------
158,1 | | 5,6
----
5 | 65,8
------
35 | 177,15
--------
118,1 | | | | | создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 7. | Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний - германий" | 448,408
----------
308,75 | 253
-----
169 | 195,408
----------
139,75 | | | | | | | разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 8. | Разработка базовых технологий проектирования кремний-германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков | 217,44
---------
142 | | 47
---
30 | 80,09
-------
52 | 58,95
-------
39,3 | 17
------
11,3 | 14,4
------
9,4 | | | создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 9. | Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры | 114,9
--------
74 | 60
----
40 | 54,9
------
34 | | | | | | | создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 10. | Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры | 126,913
-------------
73,1 | | | 79,513
----------
41,5 | 47,4
------
31,6 | | | | | создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 11. | Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X-, C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью | 226
-----
152 | 151,2
-------
102 | 74,8
-----
50 | | | | | | | создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 12. | Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов X- и ‘диапазонов на основе новых материалов | 83,5
-----
55 | | 13
---
8 | 40,5
-----
27 | 30
---
20 | | | | | создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры X- и C-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов |
| 13. | Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов X- и C-диапазонов на основе новых материалов | 109
-----
62 | | | 64
----
32 | 45
---
30 | | | | | создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры X- и C-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 14. | Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов | 13
---
8 | | 13
---
8 | | | | | | | создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 15. | Разработка конструктивно-параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов | 208,9
-------
115,9 | | | 139,9
------
69,9 | 69
---
46 | | | | | создание конструктивно-параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 16. | Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и ђдиапазонов для их | 32
---
22 | 18
---
12 | 14
---
10 | | | | | | | разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании |
| 17. | Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения | 149,416
----------
102 | 84,916
---------
59 | 64,5
-----
43 | | | | | | | создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 18. | Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения | 118,45
---------
85,3 | | | 77,5
-----
58 | 40,95
-------
27,3 | | | | | разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 19. | Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивноемкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами | 110,5
------
75,5 | 65,5
------
45,5 | 45
----
30 | | | | | | | создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно- индуктивноемкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 20. | Разработка базовых конструкций и технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивноемкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа | 84,5
------
53 | | | 50
----
30 | 34,5
-----
23 | | | | | создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивноемкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 21. | Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнито-электронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммо-образования | 133,314
--------
88 | 63,447
--------
42 | 69,867
--------
46 | | | | | | | создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 22. | Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастотных устройств | 2323,262
-----------
1528,566 | 338
-----
230 | 295,11
----------
193,1 | 364,823
---------
226,98 | 380,85
--------
253,9 | 320
-----
210 | 189,8
-------
124,8 | 210,129
---------
140,086 | 224,55
--------
149,7 | создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год), мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год), малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год) |
| 23. | Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастотных устройств на базе нитрида галлия | 1658,481
------------
1094,1 | 158,001
---------
103 | 253,012
----------
166,5 | 296,269
----------
192,4 | 293,55
--------
195,7 | 287,35
--------
189,9 | 122,05
---------
81,1 | 109,875
---------
73,25 | 138,374
------
92,25 | создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая: создание гетеропереходных полевых транзисторов с барьером Шоттки с удельной мощностью до 3 - 4 Вт/мм и рабочими напряжениями до 30 В, исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высоко-омных подложках (2013 год), разработку технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год) |
| 24. | Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления | 1046,46
----------
698,32 | | | | 160,2
-------
106,8 | 99,5
------
67,02 | 274,5
------
183 | 298,88
--------
199,25 | 213,38
--------
142,25 | исследование технологических принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц |
| 25. | Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложнофункциональной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы | 1021,25
---------
684,4 | | | | 49,2
-----
32,8 | 331,7
-------
224,7 | 221,4
------
147,6 | 242,25
--------
161,5 | 176,7
-------
117,8 | создание полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе |
| | Всего по направлению 1 | 9697,875
------------
6409,486 | 1485,57
----------
993,95 | 1392,821
---------
929,35 | 1375,395
-------
855,78 | 1603,5
-----
1069 | 1205,35
-------
804,12 | 1021,1
-------
681,2 | 861,134
-------
574,086 | 753,005
-------
502 | |
| Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база | | | | | | | | | | | |
| 26. | Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм | 106,65
------
79,65 | 60
----
38 | 46,65
-----
41,65 | | | | | | | создание технологии изготовления микросхем на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника) |
| 27. | Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм | 286,65
------
188,1 | | | 39,2
----
19,6 | 170,25
-----
113,5 | 53,2
----
37,2 | 24
----
17,8 | | | создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2013 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы |
| 28. | Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм | 245,904
-------
164 | 130
---
87 | 115,904
------
77 | | | | | | | создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм (2009 год) |
| 29. | Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм | 365,35
-----
235 | | | 108,6
----
54,3 | 166,05
-----
110,7 | 67,7
----
52,6 | 23
----
17,4 | | | создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм |
| 30. | Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы | 141,75
------
97,65 | 92
----
63 | 49,75
-----
34,65 | | | | | | | создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнето-электрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2009 год) |
| 31. | Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезо-электрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы | 257,45
------
159,2 | | | 74,6
----
37,3 | 130,35
-----
86,9 | 42,3
-----
28,2 | 10,2
---
6,8 | | | создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой радиационно стойкой сегнето-электрической памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2013 год) |
| 32. | Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-независимых радиационно стойких комплементарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса | 110,736
-------
73 | 58,609
------
38 | 52,127
-----
35 | | | | | | | разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микро-контроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналогоцифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения |
| 33. | Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире | 370,802
-------
231,7 | | | 82,952
-----
39,8 | 190,35
-----
126,9 | 72,6
----
48,4 | 24,9
----
16,6 | | | создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год) |
| 34. | Разработка базовой технологии и приборно-технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления | 92,669
------
73,15 | 51
----
40 | 41,669
------
33,15 | | | | | | | разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год) |
| 35. | Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов и микронанодиодов | 74,471
-----
50,6 | 36,2
----
26,1 | 38,271
------
24,5 | | | | | | | создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования |
| 36. | Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы | 256,6
------
167,3 | | | 21,4
----
10,7 | 25
-----
16,6 | 92,4
-----
61,6 | 117,8
-----
78,4 | | | разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний |
| 37. | Разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков для создания радиационно стойких сверхбольших интегральных схем | 866,247
-------
577,531 | | | | 105
-----
70 | 184,5
-----
123 | 251,2
-----
167,5 | 200,297
-------
133,531 | 125,25
------
83,5 | создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год) |
| 38. | Разработка расширенного ряда радиационно стойких сверхбольших интегральных схем для специальной аппаратуры связи, обработки и передачи информации, систем управления | 939,488
-------
625,825 | | | | 187,5
-----
125 | 185
---
123 | 141,25
------
94 | 230,25
-------
153,5 | 195,488
-------
130,325 | разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микро-контроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналогоцифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования |
| 39. | Разработка и совершенствование методов моделирования и проектирования радиационно стойкой элементной базы | 938
---
625 | | | | 75
---
50 | 275
---
183 | 210,75
------
140,5 | 186,75
------
124,5 | 190,5
-----
127 | разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний |
| 40. | Разработка и совершенствование базовых технологий и конструкций радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" с топологическими нормами не менее 0,18 мкм | 964,05
-------
629,7 | | | | 180
---
120 | 191
----
123 | 177,5
-----
113,5 | 209,55
------
139,7 | 206
----
133,5 | создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на сапфире" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год) |
| | Всего по направлению 2 | 6016,817
--------
3977,406 | 427,809
-------
292,1 | 344,371
-------
245,95 | 326,752
-------
161,7 | 1229,5
-----
819,6 | 1163,7
------
780 | 980,6
------
652,5 | 826,847
-------
551,231 | 717,238
-------
474,325 | |
| Направление 3. Микросистемная техника |
| 41. | Разработка базовых технологий микроэлектро-механических систем | 184,215
-------
117,9 | 165,053
-------
105,9 | 19,162
------
12 | | | | | | | создание базовых технологий (2009 год) и комплектов технологической документации на изготовление микроэлектро-механических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов |
| 42. | Разработка базовых конструкций микроэлектро-механических систем | 423,712
-------
263,8 | | 87,239
------
42,1 | 73,473
------
49,7 | 108
---
72 | 82,5
----
55 | 72,5
-----
45 | | | разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике |
| 43. | Разработка базовых технологий микроакустоэлектромеханических систем | 202,784
-------
132,15 | 122,356
-------
78,55 | 44,428
-------
29,6 | | | | 36
----
24 | | | создание базовых технологий (2009 год) и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники |
| 44. | Разработка базовых конструкций микроакустоэлектромеханических систем | 411,574
-------
258,8 | | 52
----
28 | 103,825
-------
60,3 | 88,5
----
59 | | 167,249
-------
111,5 | | | разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов |
| 45. | Разработка базовых технологий микроаналитических систем | 37
----
25 | 37
----
25 | | | | | | | | создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов |
| 46. | Разработка базовых конструкций микроаналитических систем | 134
-----
78 | | 47
---
20 | 60
----
40 | 27
----
18 | | | | | создание базовых конструкций микроаналитических систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники, разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах |
| 47. | Разработка базовых технологий микрооптоэлектромеханических систем | 42,444
------
27 | 15,358
-----
10,2 | 27,086
------
16,8 | | | | | | | создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2009 год) |
| 48. | Разработка базовых конструкций микрооптоэлектромеханических систем | 109,278
-------
70 | | 33,95
-----
21 | 48,328
------
31 | 27
---
18 | | | | | разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения |
| 49. | Разработка базовых технологий микросистем анализа магнитных полей | 55,008
------
36 | 55,008
------
36 | | | | | | | | создание базовых технологий изготовления микросистем анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год) |
| 50. | Разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных полей | 153,518
-------
98,018 | | 39,518
------
22,018 | 93
----
62 | 21
----
14 | | | | | разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях |
| 51. | Разработка базовых технологий радиочастотных микроэлектромеханических систем | 123,525
-------
80,662 | 43,274
------
28,45 | 80,251
------
52,212 | | | | | | | разработка и освоение в производстве базовых технологий изготовления радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год) |
| 52. | Разработка базовых конструкций радиочастотных микроэлектромеханических систем | 142,577
-------
96 | | 35,6
----
25 | 63,477
-----
42 | 43,5
---
29 | | | | | разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий |
| 53. | Разработка методов и средств обеспечения создания и производства изделий микросистемной техники | 38,915
-----
22,8 | 38,915
-----
22,8 | | | | | | | | создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии |
| 54. | Разработка перспективных технологий и конструкций микрооптоэлектромеханических систем для оптической аппаратуры, систем отображения изображений, научных исследований и специальной техники | 1130,25
------
753,5 | | | | | 345
----
230 | 315
----
210 | 256,5
----
171 | 213,75
------
142,5 | создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения (2012 год), акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год) |
| 55. | Разработка и совершенствование методов и средств контроля, испытаний и аттестации изделий микросистемотехники | 925,5
-----
617 | | | | 150
----
100 | 262,5
-----175 | 142,5
----
95 | 213,75
-----
142,5 | 156,75
-----
104,5 | создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии |
| 56. | Разработка перспективных технологий и конструкций микроаналитических систем для аппаратуры контроля и обнаружения токсичных, горючих, взрывчатых и наркотических веществ | 927
----
618 | | | | | 360
----
240 | 253,5
-----
169 | 156,75
-----
104,5 | 156,75
-----
104,5 | создание перспективных технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год) |
| | Всего по направлению 3 | 5041,3
-------
3294,63 | 476,964
------
306,9 | 466,233
------
268,73 | 442,103
------
285 | 465
----
310 | 1050
-----
700 | 986,75
-----
654,5 | 627
----
418 | 527,25
-----
351,5 | |
| Направление 4. Микроэлектроника |
| 57. | Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники: разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и "системы на кристалле" на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования, освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм | 308,667
------
178,4 | 219,3
----
129,5 | 89,367
-----
48,9 | | | | | | | разработка комплекта нормативно-технической документации по проектированию изделий микроэлектроники, создание отраслевой базы данных с каталогами библиотечных элементов и сложнофункциональных блоков с каталогизированными результатами аттестации на физическом уровне, разработка комплекта нормативно-технической и технологической документации по взаимодействию центров проектирования в сетевом режиме |
| 58. | Разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,13 мкм в целях обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) | 34,569
-----
22,7 | 22,7
----
14,7 | 11,869
-----
8 | | | | | | | разработка комплекта технологической документации и организационно- распорядительной документации по взаимодействию центров проектирования и центра изготовления фотошаблонов |
| 59. | Разработка семейств и серий изделий микроэлектроники: универсальных микропроцессоров для встроенных применений, универсальных микропроцессоров для серверов и рабочих станций, цифровых процессоров обработки сигналов, сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем, сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти, микро-контроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью, схем интерфейса дискретного ввода/вывода, схем аналогового интерфейса, цифро-аналоговых и аналогоцифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8 - 12 бит, схем приемопередатчиков шинных интерфейсов, изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, встроенных интегральных источников питания | 852,723
------
490,2 | 350,836
------
190,1 | 501,887
------
300,1 | | | | | | | разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства |
| 60. | Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: цифро-аналоговых и аналогоцифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14 - 16 бит, микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров, сенсоров на основе магнитоэлектрических и пьезо-материалов, встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10 - 12 ГГц, систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов | 2236,828
-------
1299 | | | 1129,878
-------
592,3 | 971,95
-----
616,7 | 135
----
90 | | | | разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства |
| 61. | Разработка технологии и освоение производства изделий микроэлектроники с технологическим уровнем 0,13 мкм | 545,397
------
308,8 | 304,9
----
168,3 | 240,497
-----
140,5 | | | | | | | разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической документации и ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 62. | Разработка базовой технологии формирования многослойной разводки (7 - 8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu | 939,45
-----
587,3 | | | 196
---
102 | 360
---
240 | 154
---
99 | 229,45
-----
146,3 | | | разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 63. | Разработка технологии и организация производства многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей | 519,525
------
288,9 | | 235,513
------
101 | 168,512
------
110,9 | 115,5
----
77 | | | | | разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии |
| 64. | Разработка новых методов технологических испытаний изделий микроэлектроники, гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов | 133,8
----
133,8 | 67
---
67 | 66,8
---
66,8 | | | | | | | разработка технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию специализированных участков |
| 65. | Разработка современных методов анализа отказов изделий микроэлектроники с применением ультраразрешающих методов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и другие) | 243,77
-----
243,77 | 131,9
----
131,9 | 111,87
-----
111,87 | | | | | | | разработка комплектов документации, включая утвержденные отраслевые методики, ввод в эксплуатацию модернизированных участков и лабораторий анализа отказов |
| 66. | Разработка базовых субмикронных технологий уровней 0,065 - 0,045 мкм | 1170,325
-------
773,55 | | | | | 310
---
200 | 354,45
-----
236,3 | 285
----
190 | 220,875
------
147,25 | создание технологии сверхбольших интегральных схем, создание базовой технологии формирования многослойной разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно- распорядительной документации по взаимодействию центров |
| 67. | Исследование технологических процессов и структур для субмикронных технологий уровней 0,032 мкм | 1372,075
------
894,45 | | | | | 383
----
245 | 383,45
-----
245,7 | 334,875
------
223,25 | 270,75
-----
180,5 | создание технологии сверхбольших интегральных схем технологических уровней 65 - 45 нм, организация опытного производства и исследование технологических уровней 0,032 мкм (2015 год) |
| 68. | Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники для применения в аппаратуре бытового и промышленного назначения, на транспорте, в топливно-энергетическом комплексе и в специальных системах | 1403,27
------
928,84 | | | | 166,05
-----
110,7 | 402,7
----
261,8 | 318
----
212 | 295,88
------
197,25 | 220,64
------
147,09 | создание технологий и конструкций перспективных изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, создание встроенных интегральных источников питания (2013 - 2015 годы) |
| 69. | Разработка перспективных технологий сборки сверхбольших интегральных схем в многовыводные корпуса, в том числе корпуса с матричным расположением выводов, и технологий многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе" | 1649,14
------
1072,36 | | | | 300
--
200 | 356,4
----
224,2 | 205
---
123 | 413,25
-----
275,5 | 374,49
-----
249,66 | разработка перспективной технологии многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей (2015 год) |
| | Всего по направлению 4 | 11409,539
--------
7222,07 | 1096,636
-------
701,5 | 1257,803
-------
777,17 | 1494,39
------
805,2 | 1913,5
-----
1244,4 | 1741,1
------
1120 | 1490,35
------
963,3 | 1329,005
-------
886 | 1086,755
-------
724,5 | |
| Направление 5. Электронные материалы и структуры |
| 70. | Разработка технологии производства новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза | 78
---
49 | 51
---
32 | 27
---
17 | | | | | | | внедрение новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза с повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов |
| 71. | Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений A3B5 для мощных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем | 93,663
-----
54,24 | | | 46,233
-----
22,62 | 47,43
----
31,62 | | | | | создание технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений A3B5 для обеспечения разработок и изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных транзисторов (2011 год) |
| 72. | Разработка базовой технологии производства метаморфных структур на основе GaAs и псевдоморфных структур на подложках InP для приборов сверхвысокочастотной электроники диапазона 60 - 90 ГГц | 78,047
-----
49,8 | 50,147
-----
32 | 27,9
---
17,8 | | | | | | | создание базовой технологии производства гетероструктур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц (2009 год) |
| 73. | Разработка технологии производства спинэлектронных магнитных материалов, радиопоглощающих и мелкодисперсных ферритовых материалов для сверхвысокочастотных приборов | 132,304
------
82 | | | 33,304
-----
16 | 45
---
30 | 54
---
36 | | | | создание спинэлектронных магнитных материалов и микроволновых структур со спиновым управлением для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления |
| 74. | Разработка технологии производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для обеспечения производства полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе | 76,4
---
47,3 | 50,1
---
31 | 26,3
---
16,3 | | | | | | | создание технологии массового производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе (2009 год) |
| 75. | Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысокочастотных приборов | 62,07
----
45,38 | | | 12
---
12 | 35,07
----
23,38 | 15
---
10 | | | | создание технологии производства поликристаллических алмазов и его пленок для мощных сверхвысокочастотных приборов (2012 год) |
| 76. | Исследование путей и разработка технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, а также полупроводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника | 57
---
38 | 36
---
24 | 21
---
14 | | | | | | | создание технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов микроструктурных приборов, магниторезисторов, осцилляторов, устройств оптоэлектроники (2009 год) |
| 77. | Разработка технологии выращивания слоев пьезокерамики на кремниевых подложках для формирования комплексированных устройств микросистемной техники | 64,048
-----
39 | | 4,5
---
3 | 32,548
-----
18 | 27
---
18 | | | | | создание базовой пленочной технологии пьезокерамических элементов, совместимой с комплементарной металлооксидной полупроводниковой технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год) |
| 78. | Разработка методологии и базовых технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием "жертвенных" и "стопорных" диффузионных и диэлектрических слоев для производства силовых приборов и элементов микроэлектро-механических систем | 63,657
-----
38 | 42,657
-----
24 | 21
---
14 | | | | | | | создание технологии травления и изготовления кремниевых трехмерных базовых элементов микроэлектро-механических систем с использованием "жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства элементов микроэлектро-механических систем (2009 год) кремниевых структур с использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния |
| 79. | Разработка базовых технологий получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий с широким диапазоном функциональных свойств | 45,85
----
22 | | | 29,35
----
11 | 16,5
---
11 | | | | | создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий, алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год) |
| 80. | Исследование и разработка технологии роста эпитаксиальных слоев карбида кремния, структур на основе нитридов, а также формирования изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники | 136,716
------
88,55 | 57,132
------
38 | 79,584
-----
50,55 | | | | | | | создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов для создания радиационно стойких сверхвысокочастотных и силовых приборов нового поколения (2009 год) |
| 81. | Разработка технологии производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения | 159,831
------
90 | 52
---
35 | 107,831
------
55 | | | | | | | создание технологии производства структур "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и топологическими нормами до 0,18 мкм для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения (2009 год) |
| 82. | Разработка технологии производства высокоомного радиационно облученного кремния, слитков и пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов | 138,549
------
89,7 | 54
---
36 | 84,549
-----
53,7 | | | | | | | создание технологии производства радиационно облученного кремния и пластин кремния до 150 мм для выпуска мощных транзисторов и сильноточных тиристоров нового поколения (2009 год) |
| 83. | Разработка технологии производства кремниевых подложек и структур для силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями p- и n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией | 90,4
---
58,9 | 38,5
---
24 | 51,9
---
34,9 | | | | | | | разработка и промышленное освоение получения высококачественных подложек и структур для использования в производстве силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией (2009 год) |
| 84. | Разработка технологии производства электронного кремния, кремниевых пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм | 220,764
------
162 | 73,964
-----
48 | 146,8
---
114 | | | | | | | создание технологии производства пластин кремния диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня 0,25 - 0,18 мкм (2009 год) |
| 85. | Разработка методологии, конструктивно-технических решений и перспективной базовой технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами | 266,35
-----
161 | | | 81,85
----
38 | 124,5
----
83 | 30
---
20 | 30
---
20 | | | разработка технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами, обеспечивающей сокращение состава сборочных операций и формирование трехмерных структур (2013 год) |
| 86. | Разработка технологии производства гетероструктур SiGe для разработки сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм | 230,141
------
143 | | | 35,141
-----
13 | 135
----
90 | 30
---
20 | 30
---
20 | | | создание базовой технологии производства гетероструктур SiGe для выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм (2011 год, 2013 год) |
| 87. | Разработка технологии выращивания и обработки, в том числе плазмохимической, новых пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и акустооптики | 46,745
-----
34 | 28,745
-----
22 | 18
---
12 | | | | | | | создание технологии выращивания и обработки пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год) |
| 88. | Разработка технологий производства соединений A3B5 и тройных структур для: производства сверхмощных лазерных диодов; высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов; фотоприемников среднего инфракрасного диапазона | 93,501
-----
58 | | | 24,001
-----
12 | 33
---
22 | 23
---
15 | 13,5
---
9 | | | создание технологии массового производства исходных материалов и структур для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники, в том числе: производства сверхмощных лазерных диодов (2010 год); высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов (2011 год); фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2013 год) |
| 89. | Исследование и разработка технологии получения гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения | 45,21
----
30 | 30,31
----
22 | 14,9
---
8 | | | | | | | создание технологии производства принципиально новых материалов полупроводниковой электроники на основе сложных композиций для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники (2009 год) |
| 90. | Разработка технологии производства современных компонентов для специализированных фотоэлектронных приборов, в том числе: катодов и газопоглотителей; электронно-оптических и отклоняющих систем; стекло-оболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок | 32,305
-----
17 | | | 24,805
-----
12 | 7,5
---
5 | | | | | создание технологии производства компонентов для специализированных электронно-лучевых (2010 год), электронно-оптических и отклоняющих систем (2010 год), стекло-оболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2011 год) |
| 91. | Разработка технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона и солнечных элементов с высокими значениями коэффициента полезного действия | 39,505
------
32 | 27,505
-----
20 | 12
----
12 | | | | | | | создание технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и других приложений (2009 год) |
| 92. | Разработка базовой технологии производства монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для гетероструктур | 42,013
-----
24 | | | 24,013
-----
12 | 18
---
12 | | | | | создание технологии монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год) |
| 93. | Разработка базовой технологии производства наноструктурированных оксидов металлов (корунда и т.п.) для производства вакуумно-плотной нанокерамики, в том числе с заданными оптическими свойствами | 44,599
-----
29,2 | 29,694
------
19,85 | 14,905
-----
9,35 | | | | | | | создание базовой технологии вакуумноплотной спецстойкой керамики из нанокристаллических порошков и нитридов металлов для промышленного освоения спецстойких приборов нового поколения (2009 год), в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RL‘матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники |
| 94. | Разработка базовой технологии производства полимерных и гибридных органо-неорганических наноструктурированных защитных материалов для электронных компонентов нового поколения прецизионных и сверхвысоко-частотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторноиндукционно-емкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов | 25,006
-----
13 | | | 22,006
-----
11 | 3
--
2 | | | | | создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями для создания изделий с высокой механической, термической и радиационной стойкостью при работе в условиях длительной эксплуатации и воздействии комплекса специальных внешних факторов (2011 год) |
| 95. | Исследование и разработка перспективных гетероструктурных и наноструктурированных материалов с экстремальными характеристиками для перспективных электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры специального назначения | 1365,875
-------
910,25 | | | | 225
----
150 | 269
----
179 | 309
----
206 | 306,375
------
204,25 | 256,5
----
171 | создание базовой технологии производства гетероструктур, структур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц (2012 год), создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год) |
| 96. | Исследование и разработка экологически чистых материалов и методов их использования в производстве электронной компонентной базы и радиоаппаратуры, включая бессвинцовые композиции для сборки | 1283,625
-------
855,75 | | | | | 435
---
290 | 300
---
200 | 263,625
------
175,75 | 285
---
190 | создание нового класса конструкционных и технологических материалов для уровней технологии 0,065 - 0,032 мкм и обеспечения высокого процента выхода годных изделий, экологических требований по международным стандартам (2012 год, 2015 год) |
| 97. | Разработка перспективных технологий получения ленточных материалов (полимерные, металлические, плакированные и другие) для радиоэлектронной аппаратуры и сборочных операций электронной компонентной базы | 1333,625
-------
889,75 | | | | | 404
---
270 | 352,5
----
235 | 292,125
------
194,75 | 285
----
190 | создание перспективных технологий производства компонентов для специализированных электронно-лучевых, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2013 год), создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированным и наполнителями (2015 год) |
| | Всего по направлению 5 | 6345,799
-------
4150,82 | 621,754
-------
407,85 | 658,169
------
431,6 | 365,251
------
177,62 | 717
----
478 | 1260
----
840 | 1035
----
690 | 862,125
------
574,75 | 826,5
----
551 | |
| Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы |
| 98. | Разработка технологии выпуска прецизионных температуростабильных высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1,5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2 - 5 нс | 30,928
-----
20 | 18
---
12 | 12,928
-----
8 | | | | | | | разработка расширенного ряда резонаторов с повышенной кратковременной и долговременной стабильностью для создания контрольной аппаратуры и техники связи двойного назначения |
| 99. | Разработка в лицензируемых и нелицензируемых международных частотных диапазонах 860 МГц и 2,45 ГГц ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных метоктранспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом | 78,5
---
45 | | 32
---
14 | 33
---
22 | 13,5
---
9 | | | | | создание технологии и конструкции акустоэлектронных пассивных и активных меток-транспондеров для применения в логистических приложениях на транспорте, в торговле и промышленности (2010 год, 2011 год) |
| 100. | Разработка базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа | 30,5
---
19,5 | 17
---
11 | 13,5
---
8,5 | | | | | | | создание технологии проектирования и базовых конструкций пьезоэлектрических фильтров в малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год) |
| 101. | Разработка технологии проектирования, базовой технологии производства и конструирования акусто-электронных устройств нового поколения и фильтров промежуточной частоты с высокими характеристиками для современных систем связи, включая высоко-избирательные высокочастотные устройства частотной селекции на поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц | 37,73
----
23 | 37,73
----
23 | | | | | | | | создание базовой технологии акусто-электронных приборов для перспективных систем связи, измерительной и навигационной аппаратуры нового поколения - подвижных, спутниковых, тропосферных и радиорелейных линий связи, цифрового интерактивного телевидения, радиоизмерительной аппаратуры, радиолокационных станций, спутниковых навигационных систем (2008 год) |
| 102. | Разработка технологии проектирования и базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов типа "система в корпусе" | 97,416
-----
60,9 | | 35,001
-----
22 | 62,415
-----
38,9 | | | | | | создание технологии производства высокоинтегрированной электронной компонентной базы типа "система в корпусе" для вновь разрабатываемых и модернизируемых сложных радиоэлектронных систем и комплексов (2010 год) |
| 103. | Разработка базовой конструкции и технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем | 63
---
42 | | | | 21
---
14 | 21
---
14 | 21
---
14 | | | создание базовой технологии (2013 год) и базовой конструкции микроминиатюрных высокодобротных фильтров для малогабаритной и носимой аппаратуры навигации и связи |
| 104. | Разработка технологии и базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений | 35
---
23 | 35
---
23 | | | | | | | | создание нового поколения оптоэлектронных приборов для обеспечения задач предотвращения аварий и контроля |
| 105. | Разработка базовой технологии унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона | 35,309
-----
21,9 | 16,009
-----
10 | 19,3
-----
11,9 | | | | | | | создание базовой технологии нового поколения приборов контроля тепловых полей для задач теплоэнергетики, медицины, поисковой и контрольной аппаратуры на транспорте, продуктопроводах и в охранных системах (2009 год) |
| 106. | Разработка базовой технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов и усилителей для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения, научной и метрологической аппаратуры | 82
----
53 | 45
---
30 | 37
----
23 | | | | | | | создание базовой технологии (2008 год) и конструкции новых типов приборов, сочетающих фотоэлектронные и твердотельные технологии, с целью получения экстремально достижимых характеристик для задач контроля и наблюдения в системах двойного назначения |
| 107. | Разработка базовых технологий мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения), специализированных лазерных полупроводниковых диодов, фотодиодов и лазерных волоконно-оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения | 96,537
-----
64 | 48,136
-----
30 | 48,401
-----
34 | | | | | | | создание базовой технологии (2008 год) и конструкций принципиально новых мощных диодных лазеров, предназначенных для широкого применения в изделиях двойного назначения, медицины, полиграфического оборудования и системах открытой оптической связи |
| 108. | Разработка и освоение базовых технологий для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта | 56,5
---
37 | | 16
---
10 | 30
---
20 | 10,5
---
7 | | | | | разработка базового комплекта основных оптоэлектронных компонентов для лазерных гироскопов широкого применения (2010 год), создание комплекса технологий обработки и формирования структурных и приборных элементов, оборудования контроля и аттестации, обеспечивающих новый уровень технико-экономических показателей производства |
| 109. | Разработка базовых конструкций и технологий создания квантово-электронных приемопередающих модулей для малогабаритных лазерных дальномеров нового поколения на основе твердотельных чип-лазеров с полупроводниковой накачкой, технологических лазерных установок широкого спектрального диапазона | 22
---
15 | 22
---
15 | | | | | | | | создание базовой технологии твердотельных чип-лазеров для лазерных дальномеров, твердотельных лазеров с пикосекундными длительностями импульсов для установок по прецизионной обработке композитных материалов, для создания элементов и изделий микромашиностроения и в производстве электронной компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год) |
| 110. | Разработка базовых технологий формирования конструктивных узлов и блоков для лазеров нового поколения и технологии создания полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве | 66,305
-----
43 | 56,27
----
37 | 10,035
-----
6 | | | | | | | создание технологии получения широкоапертурных элементов на основе алюмоиттриевой легированной керамики композитных составов для лазеров с диодной накачкой (2008 год), высокоэффективных преобразователей частоты лазерного излучения, организация промышленного выпуска оптических изделий и лазерных элементов широкой номенклатуры |
| 111. | Разработка базовых технологий, базовой конструкции и организация производства интегрированных катодолюминесцентных и других дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением | 35
---
35 | 17
---
17 | 18
---
18 | | | | | | | разработка расширенной серии низковольтных катодолюминесцентных и других дисплеев с широким диапазоном эргономических характеристик и свойств по условиям применения для информационных и контрольных систем |
| 112. | Разработка технологии и базовых конструкций высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения | 38,354
-----
29 | 23,73
----
16 | 14,624
-----
13 | | | | | | | создание ряда принципиально новых светоизлучающих приборов с минимальными геометрическими размерами, высокой надежностью и устойчивостью к механическим и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения |
| 113. | Разработка базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа | 100,604
------
59 | | 21,554
-----
10 | 61,05
----
37 | 18
---
12 | | | | | создание базовой технологии производства нового поколения оптоэлектронной высокоэффективной и надежной электронной компонентной базы для промышленного оборудования и систем связи (2010 год, 2011 год) |
| 114. | Разработка схемотехнических решений и унифицированных базовых конструкций и технологий формирования твердотельных видеомодулей на полупроводниковых свето-излучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой | 51,527
-----
33,5 | 24
---
16 | 27,527
-----
17,5 | | | | | | | создание технологии новых классов носимой и стационарной аппаратуры, экранов отображения информации коллективного пользования повышенных емкости и формата (2009 год) |
| 115. | Разработка базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения | 57,304
-----
37 | 31,723
-----
20 | 25,581
-----
17 | | | | | | | создание технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования в труднодоступных районах, развития солнечной энергетики в жилищно-коммунальном хозяйстве для обеспечения задач энергосбережения (2009 год) |
| 116. | Разработка базовой технологии и освоение производства оптоэлектронных реле с повышенными техническими характеристиками для поверхностного монтажа | 32
---
19 | 18
---
12 | 14
---
7 | | | | | | | создание технологии массового производства нового класса оптоэлектронных приборов для широкого применения в радиоэлектронной аппаратуре (2009 год) |
| 117. | Комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку" | 136,7
----
71,8 | | 50
---
22 | 63
---
34 | 23,7
---
15,8 | | | | | создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной стоимостью для информационных и обучающих систем (2010 год, 2011 год) |
| 118. | Разработка базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения | 145,651
------
100,5 | 45
---
30 | 13,526
-----
8,5 | 87,125
-----
62 | | | | | | создание технологии и конструкции активноматричных органических электролюминесцентных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, стойких к внешним специальным и климатическим воздействиям (2010 год) |
| 119. | Разработка базовой конструкции и технологии крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей | 85,004
-----
46 | | 41,004
-----
10 | 20
---
20 | 24
---
16 | | | | | создание технологии и базовых конструкций полноцветных газоразрядных видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год) |
| 120. | Разработка технологии сверхпрецизионных резисторов и гибридных интегральных схем цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей на их основе в металлокерамических корпусах для аппаратуры двойного назначения | 63,249
-----
42 | 24,013
-----
16 | 18,027
-----
12 | 21,209
-----
14 | | | | | | разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей с параметрами, превышающими уровень существующих отечественных и зарубежных изделий, для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год) |
| 121. | Разработка базовой технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона номиналов, прецизионных датчиков тока для измерительной и контрольной аппаратуры и освоение их производства | 72
---
48 | | | | 30
---
20 | 30
---
20 | 12
---
8 | | | разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов с повышенной удельной мощностью рассеяния, высоковольтных, высокоомных резисторов для измерительной техники, приборов ночного видения и аппаратуры контроля (2013 год) |
| 122. | Разработка технологии и базовых конструкций резисторов и резистивных структур нового поколения для поверхностного монтажа, в том числе резисторов с повышенными характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции | 149,019
------
100 | | 10,5
----
7 | 18,519
-----
13 | 24,75
----
16,5 | 45
---
30 | 50,25
----
33,5 | | | создание базовой технологии и конструкции резисторов с повышенными значениями стабильности, удельной мощности в чип-исполнении на основе многослойных монолитных структур (2010 год, 2013 год) |
| 123. | Разработка технологий формирования интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки | 46,93
------
30,95 | 36,001
-----
24 | 10,929
-----
6,95 | | | | | | | создание базовой технологии производства датчиков на резистивной основе с высокими техническими характеристиками и надежностью (2009 год) |
| 124. | Создание групповой технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов | 59,011
-----
39 | 30,006
-----
20 | 29,005
-----
19 | | | | | | | создание технологии автоматизированного производства чип- и микрочип-резисторов (в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год) |
| 125. | Разработка новых базовых технологий и конструктивных решений изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов и чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками | 126
----
83 | 24
---
16 | 27
---
17 | 75
---
50 | | | | | | создание базовой технологии производства конденсаторов с качественно улучшенными характеристиками с электродами из неблагородных металлов при сохранении высокого уровня надежности (2010 год) |
| 126. | Разработка комплексной базовой технологии и организация производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и ионисторов с повышенным током разряда | 29,801
-----
18 | 22,277
-----
13 | 7,524
----
5 | | | | | | | создание базовых технологий конденсаторов и ионисторов на основе полимерных материалов с повышенным удельным зарядом и энергоемких накопительных конденсаторов с повышенной удельной энергией (2009 год) |
| 127. | Разработка технологии, базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения с предельными характеристиками для радиотехнической аппаратуры с высокими сроками службы | 94,006
-----
62 | | 23,5
----
15 | 39,006
-----
26 | 31,5
----
21 | | | | | создание технологии и базовых конструкций нового поколения выключателей для радиоэлектронной аппаратуры с повышенными тактико-техническими характеристиками и надежностью (2011 год) |
| 128. | Разработка технологий создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками | 50,599
-----
33,5 | 24,803
-----
16,5 | 25,796
-----
17 | | | | | | | создание технологии изготовления коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей в широком диапазоне напряжений и токов для радиоэлектронных и электротехнических систем (2009 год) |
| 129. | Разработка полного комплекта электронной компонентной базы для создания модульного устройства грозозащиты зданий и сооружений с обеспечением требований по международным стандартам | 26,5
-----
17,5 | 26,5
-----
17,5 | | | | | | | | создание технологии выпуска устройств грозозащиты в индивидуальном, промышленном и гражданском строительстве, строительстве пожароопасных объектов (2008 год) |
| 130. | Разработка базовых конструкций и технологий изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа | 55
---
37 | 46
---
31 | 9
--
6 | | | | | | | создание базовой технологии формирования высококачественных гальванических покрытий, технологии прецизионного формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения (2009 год) |
| 131. | Комплексное исследование и разработка пленочных технологий изготовления высоко-экономичных крупноформатных гибких и особо плоских экранов | 741,505
------
494,67 | | | | 80,55
----
53,7 | 181
----
121 | 172,5
----
115 | 172,08
------
114,72 | 135,375
------
90,25 | комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических светоизлучающих диодов (ОСИД), полимерной пленочной основы и технологий изготовления гибких ОСИД-экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати, процессов наноимпринта и рулонной технологии изготовления (2015 год) |
| 132. | Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения | 754,875
---------
503,25 | | | | 75
---
50 | 217,5
------
145 | 156,75
-----
104,5 | 177,75
-----
118,5 | 127,875
------
85,25 | создание технологии формирования нового поколения оптоэлектронных комплексированных приборов, обеспечивающих создание "системы на кристалле" с оптическими входами-выходами (2014 год, 2015 год) |
| 133. | Разработка перспективных технологий промышленного изготовления солнечных высокоэффективных элементов | 796,05
-----
530,7 | | | | | 255
----
170 | 247,5
----
165 | 171
----
114 | 122,55
-----
81,7 | создание перспективной технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования (2015 год) |
| | Всего по направлению 6 | 4478,414
-------
2937,67 | 688,198
------
456 | 611,262
------
365,35 | 510,324
------
336,9 | 352,5
----
235 | 749,5
----
500 | 660
----
440 | 520,83
------
347,22 | 385,8
------
257,2 | |
| Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции |
| 134. | Разработка базовых технологий создания рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей для аппаратуры связи, радиолокации, телекоммуникаций, бортовых радиотехнических средств | 4155,333
-------
2729,15 | 130,715
------
90,1 | 167,733
------
113,6 | 127,015
------
87,7 | 630
----
420 | 1058
-----
691 | 707,55
-----
471,7 | 671,2
----
440,8 | 663,12
-----
414,25 | создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной элементной базы и последних достижений в разработке алгоритмов сжатия видеоизображений приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, цифрового телевидения, бортовых радиотехнических средств, активных фазированных антенных решеток с параметрами: диапазон частот до 100 ГГц; скорость передачи информации до 100 Гбит/с; создание базовых технологий и конструкций для создания унифицированных рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области; разработка новых технологий |
| 135. | Разработка базовых технологий создания нового класса унифицированных электронных модулей для обработки аналоговых и цифровых сигналов на основе устройств функциональной электроники, приборов обработки сигналов аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей, сенсоров и преобразователей | 2971,904
-------
1971,1 | 91,404
-----
61,1 | 159,155
------
104,9 | 101,29
-----
56,4 | 465
----
310 | 797
----
540 | 706,8
----
471,2 | 307,83
-----
198,55 | 343,425
------
228,95 | создание на основе базовых технологий и современной отечественной твердотельной компонентной электронной базы унифицированных электронных модулей нового поколения для обработки аналоговых и цифровых сигналов РЛС и других радиотехнических систем в высокочастотных, ПЧ и сверхвысоко-частотных диапазонах, освоение производства нового класса многофункциональных радиоэлектронных устройств, разработка унифицированных электронных модулей преобразователей физических и химических величин для измерения и контроля широкой номенклатуры параметров микромеханических систем |
| 136. | Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, навигации (угловых и линейных перемещений, ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени) | 1616,67
------
1080,4 | 47,185
-----
32,5 | 77,477
-----
42,2 | 63,783
-----
45,55 | 285
----
190 | 453
----
313 | 247,5
----
162 | 207,45
-----
138,3 | 235,275
------
156,85 | создание рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, радиолокационных, робототехнических, телекоммуникационных систем и навигации (ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени), позволяющих резко снизить стоимость и организовать крупносерийное производство радиоэлектронных средств широкого применения |
| 137. | Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей процессоров, скоростного и сверхскоростного ввода-вывода данных, шифрования и дешифрования данных, интерфейсов обмена, систем сбора и хранения информации, периферийных устройств, систем идентификации и управления доступом, конверторов, информационно-вычислительных систем | 3031,173
-------
2012,89 | 60,024
-----
40 | 89,053
-----
53,5 | 63,082
-----
42,04 | 540
----
360 | 977
----
658 | 447
----
296 | 440,35
-----
286,9 | 414,664
------
276,45 | создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы унифицированных электронных модулей широкой номенклатуры для применения в различных информационных системах, в том числе унифицированных электронных модулей шифрования и дешифрования данных; разработка базовых технологий и конструкций унифицированных электронных модулей на поверхностных акустических волнах систем радиочастотной и биометрической идентификации, систем идентификации личности, транспортных средств, электронных паспортов, логистики, контроля доступа на объекты повышенной безопасности, объектов атомной энергетики. В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/с |
| 138. | Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных цифровых модулей для перспективных магистрально-модульных архитектур | 1823,4
------
1215,25 | 49,076
-----
32,7 | 64,824
-----
43,2 | 81,236
-----
46,5 | 270
----
180 | 437
----
303 | 500,9
-----
329,6 | 212,314
------
141,55 | 208,05
-----
138,7 | разработка на основе перспективных отечественных сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" базового ряда электронных модулей для создания перспективных магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание защищенных средств вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов |
| 139. | Разработка базовых технологий создания ряда унифицированных электронных модулей для контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля, диагностики блоков радиоэлектронной аппаратуры, для стандартных и встроенных систем контроля и измерений | 2048,692
-------
1359,844 | 72,091
-----
35,5 | 92,753
-----
61,9 | 61,381
-----
40,8 | 330
----
220 | 536
----
364 | 312,9
------
208,6 | 328,079
------
218,719 | 315,488
------
210,325 | создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы рядов унифицированных электронных модулей, обеспечивающих возможность создания по модульному принципу контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля и диагностики на основе базовых несущих конструкций; создание комплекта сложно-функциональных блоков, определяющих ядро измерительных приборов, систем и комплексов, разработка законченных функциональных модулей, предназначенных для выполнения процессорных и интерфейсных функций поверки и диагностики сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений |
| 140. | Разработка базовых технологий создания нового поколения унифицированных рядов средств электропитания и преобразователей электроэнергии для радиоэлектронных систем и аппаратуры гражданского и двойного назначения | 2932,565
-------
1943,75 | 58,5
----
41 | 95,178
-----
62 | 91,262
-----
55 | 480
----
320 | 860
----
574 | 421,05
-----
280,7 | 523,45
-----
342,3 | 403,125
------
268,75 | разработка базовых технологий создания системо-образующих унифицированных рядов средств (систем, источников, сервисных устройств) и преобразователей электроэнергии нового поколения межвидового и межведомственного применения, в том числе средств электропитания с высокой плотностью упаковки элементов с применением бескорпусных изделий, плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью. Будут разработаны базовые технологии создания: унифицированных рядов источников электропитания; преобразователей электрической энергии; источников и систем бесперебойного электропитания; фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов; модулей защиты от сетевых помех; адаптеров |
| 141. | Разработка оптимизированной системы базовых несущих конструкций первого, второго и третьего уровней для наземной, морской, авиационной и космической радиоэлектронной аппаратуры специального и двойного назначения, предназначенной для жестких условий эксплуатации, в том числе работающей в негерметизированном отсеке с использованием прогрессивных технологий | 2924,13
------
1955,1 | 43
---
28 | 84,225
-----
54,5 | 90
---
57 | 525
---
350 | 920
----
612 | 424
----
295 | 431,775
------
287,85 | 406,13
-----
270,75 | разработка системы базовых несущих конструкций, изготавливаемых на основе прогрессивных технологий и обеспечивающих техническую совместимость со всеми видами современных объектов с использованием новых полимерных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение |
| 142. | Разработка базовых технологий комплексно - интегрированных базовых несущих конструкций с функциями контроля, диагностики, индикации функционирования | 2345,464
-------
1566,73 | 46,16
----
33 | 66,651
-----
45,3 | 60,078
-----
41,38 | 285
----
190 | 482
----
320 | 403,8
-----
269,2 | 511,575
------
341,05 | 490,2
------
326,8 | разработка базовых несущих конструкций с функциями контроля, в том числе контроля температуры, влажности, задымления в корпусах радиоэлектронной аппаратуры, уровня вибрации, контроля параметров составных частей радиоэлектронной аппаратуры - унифицированных электронных модулей, индикации рабочих режимов и аварийных сигналов для идентификации контролируемых параметров, разработка герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций, обеспечивающих нормальный тепловой режим радиоэлектронной аппаратуры и выполняющих функции измерения и регулирования в требуемом диапазоне температуры и влажности воздуха внутри герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций. Это позволит в 1,5 - 2 раза повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры |
| 143. | Разработка базовых технологий создания облегченных паяных базовых несущих конструкций для радиоэлектронной аппаратуры авиационного и космического базирования на основе существующих и перспективных алюминиевых сплавов повышенной прочности, обеспечивающих отвод тепла по элементам конструкции | 1206,093
-------
801,05 | 30,618
-------
20 | 34,2
-----
22,2 | 38
----
24 | 210
----
140 | 362
----
240 | 185
----
124 | 171
----
114 | 175,275
------
116,85 | обеспечение улучшения массогабаритных характеристик бортовой аппаратуры на 30 процентов и повышение прочности при внешних воздействиях в 1,5 - 2 раза |
| 144. | Разработка контейнерных базовых несущих конструкций с унифицированными интерфейсными средствами для комплексирования бортовых и наземных систем и комплексов различного назначения | 965,425
------
637,75 | 21
---
14 | 32,4
-----
20,4 | 38
---
24 | 180
----
120 | 275
----
180 | 144
----
96 | 139,65
-----
93,1 | 135,375
------
90,25 | повышение уровня системной интеграции и комплексирования средств и систем, повышение конкурентоспособности не менее чем в 2 раза, обеспечение функционирования аппаратуры в условиях внешних жестких воздействий |
| | Всего по направлению 7 | 26020,849
--------
17273,014 | 649,773
------
427,9 | 963,649
------
623,7 | 815,127
------
520,37 | 4200
-------
2800 | 7157
-----
4795 | 4500,5
-----3004 | 3944,673
-------
2603,119 | 3790,127
-------
2498,925 | |
| Направление 8. Типовые базовые технологические процессы |
| 145. | Разработка технологии изготовления высокоплотных теплонагруженных и сильноточных печатных плат | 2826,375
-------
1893,5 | 45
---
30 | 75,057
-----
50 | 66,568
-----
44 | 555
----
370 | 848
----
575 | 407,4
----
271,6 | 434,625
------
289,75 | 394,725
------
263,15 | обеспечение разработки технологий: производства печатных плат 5-го и выше классов точности, включая платы со встроенными пассивными элементами; создания межслойных соединений с переходными сопротивлениями до 1 мОм для силовых цепей электропитания; формирования слоев меди (в том числе с толщиной до 200 - 400 мкм), серебра, никеля с высокими показателями проводимости; формирования финишных покрытий для бессвинцовой технологии производства изделий; производства многослойных печатных плат под высокие температуры пайки; лазерных процессов изготовления печатных плат; прямой металлизации сквозных и глухих отверстий |
| 146. | Разработка технологии изготовления прецизионных коммутационных плат на основе керамики (в том числе низкотемпературной), металла, углепластика и других функциональных материалов | 1829,852
-------
1221,5 | 35,733
-----
25 | 52,195
-----
35 | 49,124
-----
33,3 | 360
----
240 | 545
----
363 | 271,95
-----
181,3 | 260,775
------
173,85 | 255,075
------
170,05 | обеспечение разработки технологий: изготовления коммутационных плат для жестких условий эксплуатации и широкого диапазона частот; получения коммутационных плат с температурным коэффициентом расширения, соответствующим тепловым характеристикам многовыводных корпусов (в том числе керамических) современных приборов; обеспечения предельно минимального газовыделения в замкнутом пространстве герметичных модулей; снижения энергоемкости технологических процессов за счет применения прогрессивных материалов и методов обработки, в том числе низкотемпературной керамики; интеграции в коммутационную плату теплостоков и низкоомных проводников, пассивных элементов; прогрессивных методов формообразования элементов коммутационных плат; обеспечения совмещенного монтажа компонентов методами пайки и сварки на одной плате |
| 147. | Разработка технологий сборки, монтажа электронных модулей, многокристальных модулей и микросборок на основе новой компонентной базы, перспективных технологических и конструкционных материалов | 3385,67
------
2247,95 | 65,121
-----
43 | 107,805
-----
63 | 67,219
-----
44,6 | 615
----
410 | 1033
-----
689 | 547,05
-----
364,7 | 503,025
------
335,35 | 447,45
-----
298,3 | обеспечение разработки технологий: новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе с применением бессвинцовых припоев; высокоточного дозирования материалов, применяемых при сборке (флюсы, припои и припойные пасты, клеи, лаки, компаунды и т.п.); новых методов сборки и пайки корпусов типа BGA, CSP, Flip-chip и других на различные коммутационные платы; монтажа новой электронной компонентной базы, в том числе бескорпусных кристаллов силовых ключей на токовые шины; сборки и монтажа низкопрофильных магнитных компонентов; настройки и ремонта сложных модулей, в том числе демонтажа и повторного монтажа многовыводных компонентов с восстановлением влагозащиты |
| 148. | Разработка технологии создания межблочных соединений для коммутации сигналов в широком диапазоне частот и мощностей | 1295,545
-------
863,03 | 29
---
19 | 36,5
---
24 | 36,5
---
24 | 225
----
150 | 382
----
255 | 206,07
-----
137,38 | 198,075
------
132,05 | 182,4
----
121,6 | обеспечение разработки технологий: изготовления антеннофидерных устройств, в том числе гибких волноводов, вращающихся сочленений с различными видами охлаждения; оптоволоконной коммутации, устойчивой к воздействию жестких условий эксплуатации для различных условий применения, в том числе для систем дистанционного управления и мониторинга; изготовления устройств коммутации (разъемов, переключателей и т.п.) различного назначения, в том числе многовыводных, герметичных, врубных, сильноточных и других |
| 149. | Разработка методов, средств и технологии автоматизированного контроля коммутационных плат, узлов, электронных модулей и приборов специального и общего применения на этапах разработки и производства | 2125,767
-------
1417,15 | 35,154
-----
23 | 61,38
----
41 | 47,258
-----
31,5 | 225
----
150 | 382
----
255 | 379,05
-----
252,7 | 472,875
------
315,25 | 523,05
-----
348,7 | повышение процента выхода годных изделий, снижение потерь на 15 - 30 процентов; обеспечение разработки: неразрушающих методов контроля качества монтажных соединений и многослойных структур за счет использования различного излучения и цифровой обработки информации; методов выявления напряженных состояний элементов конструкции и потенциальных неисправностей изделий; унифицированных методов и средств тестового и функционального контроля изделий различного назначения |
| 150. | Разработка технологии производства специальных технологических и конструкционных материалов и базовой технологии защиты электронных модулей от воздействия в жестких условиях эксплуатации | 3359,151
-------
2196,17 | 57,178
-----
36 | 81,504
-----
53,15 | 73,524
-----
48,97 | 600
----
400 | 1037
-----
658 | 535,35
-----
356,9 | 511,47
-----
334,4 | 463,125
------
308,75 | импортозамещение специальных конструкционных и технологических материалов, обеспечивающих процессы бессвинцовой и комбинированной пайки, изготовления коммутационных плат, разработка влагозащитных электроизоляционных покрытий с минимальным газовыделением со сроком эксплуатации 25 и более лет, разработка быстро-отверждающихся, эластичных, с низким газовыделением в вакууме клеев, компаундов, разработка материалов и технологии их применения для формирования теплостоков в высокоплотной аппаратуре, разработка высокоэффективных ферритов для планарных трансформаторов повышенной мощности, обеспечение разработки технологий: локальной защиты чувствительных компонентов, общей защиты модулей органическими материалами, в том числе наноструктурированными; вакуумно-плотной герметизации узлов и блоков со свободным внутренним объемом до 5 - 10 л методами пайки и сварки; изготовления вакуумно-плотных корпусов многокристальных модулей и микросборок под поверхностный монтаж на платы; формирования покрытий, обеспечивающих длительную защиту от дестабилизирующих факторов внешней среды, включая ионизирующие излучения, нанесения локальных покрытий с заданными свойствами на элементы конструкции модулей |
| | Всего по направлению 8 | 14822,36
-------
9839,3 | 267,186
------
176 | 414,441
------
266,15 | 340,193
------
226,37 | 2580
----
1720 | 4227
-----
2795 | 2346,87
------
1564,58 | 2380,845
-------
1580,65 | 2265,825
-------
1510,55 | |
| Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов |
| 151. | Разработка технологий создания систем и оборудования автоматизации проектирования радиоэлектронных систем и комплексов | 2578,29
------
1714,85 | 60,032
-----
40 | 89,083
-----
59 | 81,4
----
52 | 435
----
290 | 887
----
590 | 348,9
-----
232,6 | 342
----
228 | 334,875
------
223,25 | создание технологий отечественного программно-аппаратного обеспечения и средств разработки для автоматизированного проектирования радиоэлектронного оборудования с использованием различных технологических процессов, повышение качества и сокращение сроков разработки радиоэлектронной продукции, создание технологий обеспечения информационной безопасности функционирования информационно-управляющих систем, существенное повышение уровней защиты информации в информационно-управляющих системах, создание базовых универсальных функциональных модулей защиты информации от несанкционированного доступа, вирусных атак, средств разведки и считывания информации, криптозащиты каналов систем, реализация полного технологического цикла проектирования, испытаний и производства унифицированной высокоэффективной, импортозамещающей, конкурентоспособной аппаратуры |
| 152. | Разработка технологий моделирования сложных информационно-управляющих систем, в том числе систем реального времени | 3056,819
-------
2026,45 | 75,3
-----
49,8 | 138,5
----
80 | 80,194
-----
53,1 | 525
----
350 | 1055
---
705 | 429
----
286 | 384,75
-----
256,5 | 369,075
------
246,05 | создание новых способов моделирования: комбинированного способа моделирования, позволяющего существенным образом повысить быстродействие вычислений при сохранении точности расчета выходных показателей эффективности; способа операционно-динамического моделирования; снижение сроков разработки и испытаний радиоэлектронной продукции; повышение достоверности математического и имитационного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний и экспериментов |
| 153. | Разработка технологий полунатурных и стендовых испытаний сложных информационно-управляющих систем | 2397,233
-------
1596,65 | 45,054
-----
30 | 70,65
----
45,65 | 75,029
-----
50 | 405
----
270 | 975
----
650 | 285
----
190 | 270,75
-----
180,5 | 270,75
-----
180,5 | создание метрологически аттестованной унифицированной стендовой испытательной базы для проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ; снижение сроков разработки и стоимости испытаний радиоэлектронной продукции; существенное повышение достоверности полунатурного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний |
| 154. | Разработка технологии конструирования и производства, а также аппаратно-программного обеспечения метрологических систем различного назначения для создания нового поколения отечественного парка измерительной аппаратуры | 2231,71
------
1485,31 | 45,05
----
30 | 73,65
----
48,65 | 68,96
----
43,96 | 375
----
250 | 907
----
605 | 269
----
179 | 256,5
----
171 | 236,55
-----
157,7 | разработка базовых технологий, элементов и конструкций для создания парка измерительных систем и приборов, необходимых для разработки и испытаний радиотехнических информационно-управляющих систем, систем связи и телекоммуникаций |
| | Всего по направлению 9 | 10264,052
--------
6823,26 | 225,436
------
149,8 | 371,883
------
233,3 | 305,583
------
199,06 | 1740
-----
1160 | 3824
---
2550 | 1331,9
-----
887,6 | 1254
-----
836 | 1211,25
------
807,5 | |
| Направление 10. Обеспечивающие работы |
| 155. | Разработка организационных принципов и научно-технической базы обеспечения проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации | 90,6
---
87,6 | 9
---
6 | 6
---
6 | 7
---
7 | 10
---
10 | 18
---
18 | 14
---
14 | 13,3
---
13,3 | 13,3
---
13,3 | разработка комплекта методической и научно-технической документации для обеспечения функционирования систем проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации |
| 156. | Создание и обеспечение функционирования системы испытаний электронной компонентной базы, обеспечивающей поставку изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального и двойного назначения | 123,9
----
120,6 | 16,3
---
13 | 20
---
20 | 13
---
13 | 19
---
19 | 18
---
18 | 11
---
11 | 13,3
---
13,3 | 13,3
---
13,3 | разработка новых и совершенствование существующих методов испытаний электронной компонентной базы, разработка методов отбраковочных испытаний перспективной электронной компонентной базы, обеспечение поставки изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения) |
| 157. | Разработка и совершенствование методов, обеспечивающих качество и надежность сложнофункциональной электронной компонентной базы на этапах опытно-конструкторских работ, освоения и производства | 94,55
----
93,05 | 8,5
--
7 | 12
---
12 | 9
---
9 | 11
--
11 | 18
--
18 | 10,4
---
10,4 | 13,3
---
13,3 | 12,35
----
12,35 | разработка и систематизация методов расчетно-экспериментальной оценки показателей надежности электронной компонентной базы, разрешенной для применения в аппаратуре, функционирующей в специальных условиях и с длительными сроками активного существования |
| 158. | Создание и внедрение основополагающих документов по обеспечению жизненного цикла изделия на этапах проектирования, производства, применения и утилизации электронной компонентной базы | 93,15
----
84,65 | 10
---
7 | 14,5
---
9 | | 10
---
10 | 18
----
18 | 15
---
15 | 13,3
-----
13,3 | 12,35
----
12,35 | разработка системы технологий обеспечения жизненного цикла изделия при создании широкой номенклатуры электронной компонентной базы |
| 159. | Научное сопровождение Программы, в том числе определение технологического и технического уровней развития отечественной и импортной электронной компонентной базы на основе их рубежных технико-экономических показателей, разработка "маршрутных карт" развития групп электронной компонентной базы | 131,65
-----
120,65 | 19
---
13 | 25
---
20 | 15
---
15 | 19
---
19 | 18
---
18 | 10
---
10 | 13,3
---
13,3 | 12,35
----
12,35 | оптимизация состава выполняемых комплексов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по развитию электронной компонентной базы в рамках Программы и определение перспективных направлений создания новых классов электронной компонентной базы с установлением системы технико-экономических и рубежных технологических показателей, разработка "маршрутных карт" развития по направлениям электронной компонентной базы |
| 160. | Создание интегрированной информационно-аналитической автоматизированной системы по развитию электронной компонентной базы, охватывающей деятельность заказчика-координатора, заказчика и организаций, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, с целью оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико-экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы | 101,15
-----
94,65 | 11
---
7 | 14,5
---
12 | 9
--
9 | 10
---
10 | 18
---
18 | 13
---
13 | 13,3
---
13,3 | 12,35
----
12,35 | проведение технико-экономической оптимизации выполнения комплексных годовых мероприятий подпрограммы, создание системы действенного финансового и технического контроля выполнения Программы |
| 161. | Определение перспектив развития российской электронной компонентной базы на основе анализа динамики сегментов мирового и отечественного рынков радиоэлектронной продукции и действующей производственно-технологической базы | 96,65
----
89,65 | 11
---
7 | 13
---
10 | 8
--
8 | 8
---
8 | 18
---
18 | 13
---
13 | 13,3
---
13,3 | 12,35
----
12,35 | формирование системно-ориентированных материалов по экономике, технологиям проектирования и производству электронной компонентной базы, обобщение и анализ мирового опыта для выработки технически и экономически обоснованных решений развития электронной компонентной базы |
| 162. | Системный анализ результатов выполнения комплекса мероприятий Программы на основе создания отраслевой системы планирования и учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико-экономическим показателям | 73
---
68 | 11
---
8 | 13
---
11 | 8
--
8 | 7
---
7 | 14
---
14 | 6,7
---
6,7 | 6,65
-----
6,65 | 6,65
---
6,65 | создание отраслевой системы учета и планирования развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы |
| | Всего по направлению 10 | 804,65
----------
758,85 | 95,8
------
68 | 118
-----
100 | 69
----
69 | 94
----
94 | 140
----
140 | 93,1
----
93,1 | 99,75
------
99,75 | 95
---
95 | |
| | Итого по разделу I | 94901,655
-----------
62686,506 | 6035,127
----------
3980 | 6598,632
----------
4241,3 | 6044,117
-----------
3637 | 14895
-------
9930 | 22517,65
----------
15024,12 | 14446,17
----------
9630,78 | 12706,209
----------
8470,806 | 11658,75
----------
7772,5 | |